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输入输出压差大用DC/DC,压差小用LDO,但压差真的是越小越好吗?

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大家都知道,咱们在电源设计中有个基本原则:当输入输出电压差较大时,通常选择DC/DC转换器,因为它的转换效率更高、发热更小;而当压差较小时,则倾向于使用LDO线性稳压器,虽然效率相对较低,但结构简单、噪声小。这一点想必大家都有所了解。

今天我们想深入探讨的是:当决定使用LDO时,输入输出压差到底可以小到什么程度?这个小是否存在一个明确的下限?背后的原因又是什么呢?这正是本次讨论想跟大家理清的一个问题。


01

了解基础参数:Dropout Voltage  

咱们随意翻开任何一款LDO芯片的数据手册,你都会看到一个关键参数:Dropout Voltage。这个参数的定义很明确:LDO能够维持目标输出电压Vout时,输入电压Vin和Vout之间的最小电压差

用公式表示就是:

当 Vin - Vout≥ Dropout Voltage 时,LDO正常稳压;

当 Vin - Vout < Dropout Voltage 时,LDO进入Dropout模式,输出电压开始下降,无法稳定在目标值。

为了让大家更清楚的了解它,咱们来看看手册。这个手册写的非常详细,不同的输出电压,对应Dropout Voltage范围是多少,这里都有很详细的备注说明,包括Dropout Voltage的典型值,最大值范围都给出来了。

我们再将这个图进行放大,如图红色圈出,当我们输出的电压范围在3.3V到5V之间,Dropout Voltage的电压范围典型值为300mV,最大值为425mV,当然我们在设计时,一般都会按照最大值去设计

通过这个表,咱们来举个更详细的例子,假如我们就用上面这款LDO,它的Dropout Voltage最大值为0.425V,假设输出电压设定为3.3V。那么:

  • Vin必须 ≥ 3.725V,LDO才能正常输出3.3V

  • 如果Vin=3.5V,压差只有0.2V(小于0.425V),此时输出电压会小于3.3V,并且无法稳压

这个例子清晰地说明了为什么在LDO选型时,必须仔细阅读规格书,确保输入输出的压差大于Dropout Voltage。但问题来了:Dropout Voltage只是芯片手册上的一个数字吗?我们在实际设计中只需要满足这个数字就行了吗?答案是否定的。


02

Dropout Voltage怎么来的?  

要真正理解Dropout Voltage,咱们得先从LDO到底怎么工作的说起。

LDO内部通常包含几个关键部分:误差放大器、基准电压源(Vref)、反馈电阻网络和一个功率晶体管(现在的LDO常用PMOS管)。

它是怎么稳压的呢?

误差放大器会不停比较两个信号:一个是基准电压Vref,另一个是从输出电压Vout通过电阻采样回来的反馈电压。只要两者有细微差别,误差放大器就会调整输出给功率MOS管栅极的电压,从而改变这个MOS管打开程度——导通电阻一变,流过它的电流就变,最终把输出电压Vout拉回到设定值。

这里有个关键区别:

和DC/DC电源那种开关模式工作不同,LDO内部的功率管主要在‌线性区‌(也称可变电阻区)。你可以理解为这个功率MOS管从来不会完全打开或完全关闭,而是一直处在开一点、开一半这种精细调节的状态。

具体来说,功率管需要一定的Vds电压来工作在饱和区或线性区。如果Vin-Vout太小,功率管就会进入深线性区甚至截止区,失去调节能力。这就是Dropout Voltage的物理本质——它代表了维持功率管正常工作所需的最小源漏电压。


03

在硬件设计中,我们需要注意哪些?  

了解Dropout Voltage的原理很重要,但我们也不用过于紧张,不要害怕它,实际工作中只要把握好下面几个关键点,就能避坑。

第一,注意PCB走线。

我们知道,PCB上的走线都有阻抗,线越细、越长,阻抗就越大。这个小小的电阻,在大电流下会吃掉你宝贵的电压。

举个例子:假设LDO输入是3.5V,要输出3.3V/500mA,LDO的Dropout电压是0.2V。看起来刚好:3.5V - 0.2V = 3.3V。

但实际上,LDO之前的芯片一般是通过DC/DC降压,从DC/DC到LDO输入端的走线,如果有100mΩ电阻,500mA电流流过就会产生50mV压降——LDO实际只有3.45V输入。同样,从LDO输出端到负载的走线,如果有100mΩ电阻,要让负载真正得到3.3V,LDO就必须输出3.35V才行。

这样算下来,留给LDO的实际压差只有:3.45V - 3.35V = 0.1V,根本不够0.2V的Dropout电压需求,稳压一定会失败。

所以,这就是我们平时要求电源走线要尽可能粗的原因,在布线能走通的前提下,尽可能加宽电源走线。


第二,注意输入电源纹波

咱们通常在LDO的前级使用DC/DC开关电源。所有开关电源都有纹波,这意味着LDO的输入电压不是稳定的直流,而是在一定范围内波动的。

假设DC/DC标称输出为5V,纹波为±50mV,那么LDO的实际输入电压在4.95V到5.05V之间波动。如果我们按照5V来计算压差,当输入跌到4.95V时,可能就无法满足Dropout电压要求了。

虽然输出电容可以储存能量,在一定程度上平滑输入电压,但在负载瞬态变化或输入电压瞬态跌落时,仍可能出现问题。特别是当系统中有大功率负载(如电机、功放)突然启动时,可能会将前级电源电压瞬间拉低,导致LDO短暂进入Dropout状态。

所以建议输入电压考虑电源纹波,预留LDO输入电压的余量。


第三,负载越重,Dropout越大

LDO的Dropout电压会随着负载电流增加而变大。手册上标注的“0.7V@1A”只代表特定条件下的值,不代表所有情况。

如果你的系统最大负载电流是1A,那就必须按照1A条件下的Dropout电压来设计。很多手册会提供这个曲线图,如果没有,就需要向原厂要数据,或者在实际测试中验证。


不要用轻载时的参数去设计重载工况,这是新手常犯的错误。

第四,温度的影响

半导体器件的特性会随温度变化,功率管的导通电阻通常随温度升高而增加。这意味着在高温环境下,Dropout Voltage会变大。

一般来说,设计时需要为高温情况留出余量,通常建议在室温计算值的基础上增加10%到20%。如果系统工作在极端高温环境,这个余量需要更大。


04

小结  

最后,回到我们最初的问题:“压差越小越好吗?”对于LDO来说,压差小确实意味着效率高、发热小,但这个小是有下限的——必须大于Dropout Voltage。我们的任务就是确保在各种最坏情况下,这个条件始终成立。

我知道刚才讲的那些考量点——走线阻抗、纹波影响、负载变化、温度效应——看起来有点多,在实际项目中可能很难做到面面俱到。

最重要的是:你要知道哪些参数是关键,哪些地方容易出问题。这样,当有一天产品真的出现异常——比如系统在某些情况下会莫名其妙复位,或者输出电压不稳——你至少有个排查的方向,知道该从哪里入手,而不是毫无头绪。

来源:硬件笔记本
电源半导体芯片电机
著作权归作者所有,欢迎分享,未经许可,不得转载
首次发布时间:2026-03-20
最近编辑:5月前
硬件笔记本
本科 一点一滴,厚积薄发。
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请问:这种MOS管电压的兼容设计,有没有风险?

下图展示了一个咱们常见的简单电路:利用一个NMOS(Q2)来控制PMOS(Q1)的通断,它通常应用于需要对某路电压进行时序控制的场景,例如电源时序管理、背光电压或LCD屏供电的控制。然而,在实际的产品兼容性设计中,我们往往会面临两种输入电压的情况:第一,输入电压VCC为DC12V或DC24V,也就是两种电压二选一。 第二,输入电压VCC为DC12V和DC24V,也就是同时存在两种输入电压。 不同输入电压会对主回路产生什么影响?关键在于,它会改变控制PMOS Q1的栅源电压Vgs。 当 VCC = 12V 且 PWM 为高电平时,Q2 导通后,计算可得 Q1 的Vgs=6V; 当 VCC = 24V 且 PWM 为高电平时,Q2 导通后,计算可得 Q1 的Vgs=12V。 这就引出了一个核心问题:在不同输入电压下,Q1 的Vgs值会随之变化。那么Vgs应该设定为多少才合适?这样的设计是否存在潜在风险? 通过以上分析,我们已经明确了问题所在。接下来,我们将从以下几个方面逐步讨论,咱们一起寻找问题的答案。01了解栅源电压Vgs 要确保MOS管正常导通,我们首先需要了解一个基本参数:阈值电压Vgs(th)。这是使MOS管开始导通所需的最小栅源电压。只有当施加的Vgs电压大于此阈值时,MOS管才会开启。 那么,Vgs(th)的具体数值是多少呢?实际上,它因不同的MOS管型号而异。我们可以通过查阅任意一款MOS管的规格书来找到这个参数。以下图为例,这款MOS管在Vgs=Vds的测试条件下,其Vgs(th)最大值为2.5V,但请注意,此时对应的漏极电流ID仅为250μA。如此小的电流显然无法满足大多数实际应用的需求,我们通常需要MOS管能够通过更大的电流。 细心的同学可能已经注意到,前面提到的Vgs(th)最大值2.5V是在结温Tj=25℃的条件下给出的。如果产品的实际工作环境温度范围较宽,我们还能简单地按照这个2.5V来设计驱动电路吗? 答案显然是否定的。因为MOS管是金属氧化物,半导体场效应晶体管,半导体中载流子的迁移率与外界温度环境直接相关,温度变化会显著影响阈值电压。所以这里有一个误区就是将开启电压与最佳工作电压搞混了。2.5V是让MOS管开始导通的门槛,因此仅仅满足阈值电压并不足以实现充分的导通,我们还需要关注能使MOS管输出足够电流的实际驱动电压。为了准确评估这种影响,我们可以在器件手册中找到如下图所示的温度特性曲线。 如图我们可以看到,温度越高,Vgs(th)越小,温度越低,Vgs(th)越大。所以我们在设计驱动电压时,不要觉得只要超过了阈值电压就可以正常开通MOS管了。那驱动电压还跟什么有关?我们通过两张图咱们再来进一步理解一下。 第一张图,假定横坐标VDS电压都是0.4V,可以看出Vgs驱动电压越大,输出电流也就越大,也就意味着Vgs电压决定了MOS管的导通程度,只要提高Vgs,MOS管就能从相同的电压获得更大的电流。 第二张图,在温度为25℃条件下,也就是图中黑色的曲线,可以看出MOS管的导通电阻RDS(on)不是一个固定值,它与Vgs电压的强度密切相关。 随着Vgs升高,半导体内部形成的导电沟道会显著增强,会有更宽更深的沟道为载流子提供了更低阻力的通路,从而使RDS(on)大幅降低。 综上,尽可能的提高Vgs电压,使MOS管尽可能完全饱和,使其达到数据手册上标称的最低RDS(on),从而最大程度地减少导通损耗。 02米勒平台 如图,MOS管内部有寄生电容Cgs,Cgd,Cds。因为寄生电容的存在,所以给栅极电压的过程就是给电容充电的过程。 其中:输入电容Ciss=Cgs+Cgd,输出电容Coss=Cgd+Cds,反向传输电容Crss=Cgd,也叫米勒电容。然而,这三个等效电容是构成串并联组合关系,它们并不是独立的,而是相互影响,其中一个关键电容就是米勒电容Cgd。这个电容不是恒定的,它随着栅极和漏极间电压变化而迅速变化,同时会影响栅极和源极电容的充电。 上图为米勒平台,也叫米勒效应,是指MOS管g、d的极间电容Crss在开关动作期间引起的瞬态效应。 在米勒平台这段时间里,MOS管处于半开半关的状态:漏源电压(VDS)正在下降,而漏极电流(ID)却在上升。这种高电压和大电流同时存在的阶段,会产生很大的开关损耗,导致MOS管在瞬间严重发热。 因此,我们总希望这个平台的时间越短越好。 03Vgs如何取值? 首先,我们可以确认Vgs的电压值能承受的最大范围,随意打开一个MOS管的规格书,可以看到Vgs工作的电压范围在±20V,这也是它的最大耐压,所以驱动电压一定不能超过±20V。 根据经验值,像开关电源的功率MOS管由于需要降低导通损耗,以及通过较大电流,一般的G极驱动电压都是10V-15V。对于做逻辑电平转换器件,可适当降低驱动电压。 其次电压一定要高于米勒平台,这个米勒平台的电压没有一个具体的数值,它取决于器件参数、工作条件和驱动设计。可以用示波器来测量。 所以回到咱们最初的问题,当Vgs=12V肯定是可以的,12V这个驱动电压,已经比MOS管米勒平台电压高出一大截了。这就好比给你的栅极电容Ciss配了一个马力更大的充电泵,能一下子灌进更大的瞬时电流。 这样一来,MOS管就像被猛推了一把,能用更快的速度冲过那个速度又慢、功耗又大的米勒平台危险区。整个开关切换的过程一下子就缩短了。而开关时间越短,MOS管在半开半关那种挣扎状态里呆的时间就越少,就是开关损耗自然就越低。当Vgs=6V时,这样的设计是否存在潜在风险?大家心里也就有了答案。 来源:硬件笔记本

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