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AnsysWB-IGBT芯片稳态热仿真

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绝缘栅双极性晶体管模块(IGBT模块)因其能够承受高电压、导通强电流,同时快速切换两种模式,成为大功率系统的热门选择。

该模块由多个安装在铜底板顶部的IGBT芯片组成,底部配有散热器。在模块中,电流因电阻损耗而产生热量,这也被称为焦耳热。虽然散热器以相对恒定的速率散热,但模块的开关以及随后电流密度和热源的增减会导致模块以循环的方式加热和冷却。这种反复的热膨胀和机械变形会导致机械疲劳[1],特别是在键合线和芯片金属化层之间的连接点处。

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内容简介:Ansys Workbench 2025R1版本 源模型文件

芯片ANSYS疲劳
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首次发布时间:2025-12-29
最近编辑:8月前
奥利给GG
硕士 | 结构设计工程... 不内卷,也不躺平
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