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MOS管防反接电路设计

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电子元件大都是使用直流工作,电源线反接就有可能就会烧坏,那电路如何防反接?首当其冲我们想到的就是二极管了,运用其单向导通特性可有效防止电源反接而损坏电路,但是随之而来的问题是二极管存在PN节电压,通常在0.7V左右,低电流是影响不明显,但流过大电流时,如流过1A电流其会产生0.7W的功耗,0.7W的功耗发热对元件本身及周边元件的可靠性是个非常大的考验。
可见二极管防反接最大问题是管压降,越低损耗就越小。在晶体管中导通压降最低的就属场效应管了,就是我们平常叫的MOS管,那如何运用MOS管这一优良特性设计防反接电路?如下图所示:

NMOS防反接电路
当输入上正下负时,下图黄色线条所示电流路径,经过R1、R2,MOS寄生二极管到地,R1与R2分压后其GS极电压大于MOS导通电压Vgs,MOS导通,红色线条所示的整个电路回路接通。

正向导通时电流路径
当输入上负下正时,下图黄色线条所示电流路径,电流路径被MOS寄生二极管反向截止,MOS管因GS极没有电压而截止,整个电路回路断开,有效保护了系统电路。

反向截止电流路径
上面介绍了NMOS防反接,PMOS防反接电路如下,其防反接原理与NMOS一致,不再赘述。

PMOS防反接电路
通常电路系统是共地的就用POMS防反接,共源就用NMOS防反接。

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来源:硬件笔记本
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首次发布时间:2025-11-11
最近编辑:11月前
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