DOI:10.1080/17452759.2024.2328266
摆动沉积让电弧增材IN718的孔隙更少,却没有明显拉开低周疲劳寿命。Xi、Ni等结合EBSD、CT、疲劳试验和晶体塑性,说明减少缺陷与改善晶粒间变形协调性并不是同一件事。
贡献在于把含背应力的位错密度晶体塑性与既有局部储能(SED)判据联用。固定晶粒几何,分别改变取向及单孔位置/孔径,拆解织构与缺陷竞争,再用Coffin–Manson(C–M)关系给出寿命情景包络。
试验沿构建方向,采用室温、R=−1、0.5Hz的应变控制循环,总应变幅±0.6%—±1.0%。
图 6(b):二维平面应变、周期边界;同一几何分别赋P强织构与O弱织构,不是3D重建。
式(8)(13):背应力随滑移演化以描述反向加载,位错密度ρ影响滑移阻力。
式(17):每周塑性功、位错密度共同进入储能指标,ζ取5%。其量纲是J/m²,并非单位体积能量。
式(18)(19):20周后假定储能增量稳定,Gc为临界储能阈值。Nsim是萌生周次,C–M使用反向次数2Nf。
图 2(e)(f):平行沉积P的织构强度18.45,摆动沉积O为5.41。两图色条不同,不能只比颜色。
图 3节选:CT所测ROI中,P孔隙率0.047%、最大缺陷50.85μm;O为0.011%、37.46μm。
图 5(b)(d):±0.8%代表断口,上为P近表面孔洞,下为O滑移带/刻面,提示两类萌生路径。
图 7(b):±0.8%第3周滞回用于标定,吻合不能当成独立寿命验证。
图 9(a)(b):±0.8%、20周,弱织构模型的晶界/三叉结出现更多储能热点。
图 10(a):先在无孔模型找最高储能P1与低储能P2,再放40/55μm理想圆孔,孔周网格0.5μm。
图 11(a):上排P1,下排P2;列为无孔、55μm孔、40μm孔。上下色条范围不同,比较须看数值。
图 11(b):P1处40μm孔的后期储能高于P2处55μm孔。紫线仅为5#孔边值,并非该模型全域最大。
图 12(a—h):孔周多滑移系显著激活,使局部塑性累积增强。图中为分滑移系剪切应变,不是损伤。
图 13(a)(c):无孔与危险位置大孔情景。拟合带展示本文数据范围内的包络,不能当作95%可靠度设计界限。
孔径、位置与取向环境共同影响疲劳响应。本例中,P强织构的协调优势与较大缺陷风险相互竞争,使两路线寿命相近、散布不同;位置效应可超过尺寸效应。
模型估计微裂纹萌生,实验以应力幅降20%或1万周终止,二者口径不同。证据限于室温、构建方向和二维单孔。
评估增材疲劳,应把CT缺陷放回晶粒取向环境,不能只排序孔隙率或最大孔径。应用前还需标定Gc,核实20周稳态假设、网格敏感性与应变幅口径,分清萌生和扩展寿命。
来源:Xi、Ni等(共同第一作者),Virtual and Physical Prototyping 19(1)(2024),e2328266。原式及原图按CC BY 4.0节选、重排。