
芯片的散热能力就是算力。
芯片的峰值性能不再单纯由晶体管数量决定,而是由散热能力决定。当芯片温度达到安全阈值(如90℃-100℃)时,系统会触发温控保护机制(即“热节流”或“降频”),自动降低运行频率与电压。这会导致实际性能大幅缩水。例如,手机CPU在高温下可能仅发挥70%甚至更低的性能;轻薄本或AI设备在持续高负载运行后,也会因降频出现明显的卡顿或推理速度下降。
长期处于高温状态会加速电子元件的老化,导致导热硅脂干涸、焊点疲劳以及电池容量衰减,从而缩短主板元件及整个设备的使用寿命。极端情况下,过热甚至可能引发死机、蓝屏或火灾等严重的安全隐患。

芯片散热是指通过传导、对流、辐射或相变等方式,将芯片工作时产生的热量及时导出并散发到环境中,以维持其结温在安全阈值内,保障设备长期稳定运行。随着AI和高性能计算芯片的功耗跃升至千瓦量级,散热已成为决定芯片性能释放的核心瓶颈。
芯片散热的核心遵循热力学定律,热量从高温区向低温区流动。整个散热过程是一个“产生-传导-散发”的过程,主要依赖三种热传递方式:
热传导:热量通过直接接触从高温区域向低温区域流动。芯片内部的热量首先通过硅基材料传导至封装外壳,再经过导热界面材料(如导热膏)传递至散热器。热对流:热量通过流体(如空气或液体)的流动被带走。风扇或水泵可以加速流体的流动,从而大幅提升散热效率。热辐射:所有物体都会以电磁波(红外线)的形式向周围空间辐射热量,其效率与物体表面特性及温度有关。

图1.芯片散热模型

根据芯片尺寸搭建的三维简化模型,主要包括金属和硅基材料,具体简化模型如图2所示。模型计算过程需设置材料的密度、比热容和导热系数,为了结果的准确性,以上参数均从相关论文资料以及现有实验数据中获得,如图3所示。

图2. 几何模型

图3. 材料参数

图4. 边界条件

图5. 网格分布
计算模型采用稳态求解器求解,通过计算得到芯片温度特性分布如下所示。

图6. 芯片温度分布
图7. 硅基薄层温度分布
图8. 等温线分布