这就是今天咱们要聊的主角,共模半导体GM6504系列降压电源模块,2×2mm的封装,4A输出,外围就7颗阻容,模块本身还没旁边那颗电容大。

关于AI算力,大家更多关注的是GPU有多强,大模型有多聪明,需要花多少token。但咱们做硬件的,视角得往下看一层,在那些高速光模块、AI加速卡还有服务器里,电源方案也同样重要,对电源的体积、带载能力和纹波都有严格要求。
GM6504主要就是解决这些高密度供电痛点的,咱们一起来看看。
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先说最直观的感受:GM65041的2mm×2mm×1.43mm封装,真小。

可能光看数字没啥概念,我打个比方,这种封装尺寸,在光模块、AI加速卡这种PCB密度极高的板上,省出来的面积足够你多拉几组关键信号线,或者把外围阻容排得更从容,甚至能给走线留出完整的地平面参考层。对于咱们Layout工程师来说,板子会更好画一些。
底部有裸 露焊盘,热阻做到约39~43°C/W。小封装最怕烫,这个热阻数据在同类模块里算不错的。当然,实际效果还得看咱们的PCB散热设计,后面会细说。
典型电路也非常简单,只有阻容,没有功率MOS和大电感,非常省事。

从功能框图可以看到,大电感都被集成在了GM6504内部

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先说最基本的输入输出范围:输入电压2.5V到5.5V,也就是说常见的5V、3.3V系统都能直接用。输出呢,最低能调到0.5V,最高跟输入走,100%占空比模式下基本就是Vin减一点点压降,覆盖了目前主流FPGA、ASIC的内核电压,0.6V、0.8V、1.2V都不在话下。

下面看看几项核心指标:
1、输出电流4A
持续输出4A,对于5V输入的系统来说,余量很足。它默认是FPWM强制连续模式,轻载时效率会比跳频模式低一点,但换来的是输出纹波更干净,对高速数字电路,比如光模块的激光器驱动、SerDes供电更友好。
如果你做电池设备,可以选带“-1”后缀的SKIP模式型号,轻载效率更高。

2、1.6MHz开关频率
固定1.6MHz开关频率,配合内部补偿网络,就像上面说的,你不用自己去算那堆复杂的环路补偿,外围电路按数据手册推荐值,放几个瓷片电容和电阻分压就能正常工作,省了不少事。
22ns的最小导通时间,加上宽环路带宽带来的快速瞬态响应,即使负载突然跳变,电压也能很快稳下来。这俩特性加一块儿,让这颗料能轻松应对从5.5V到0.5V的高压降比场景,给新一代0.6V、0.8V内核的FPGA或ASIC供电,非常对路。
下图为负载从0.1A跳变到4.5A时的输出波形,直接体现了芯片在宽环路带宽下的动态响应表现。

3、±1%全温精度
注意是-40°C到+125°C全温度范围±1%。很多芯片只标常温精度,高温下就飘了。这个指标对我们做工业级、通信级产品很关键,尤其是给CPU/FPGA内核供电,电压精度直接关系到芯片稳定性和寿命。
下图横轴是从-50°C到+150°C范围,纵轴是FB引脚电压的偏差。图上的走线FB电压稳定在500mV附近,偏差控制在±1%以内,直接证明了全温范围内输出电压精度。

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1、输出电容
手册给了公式:COUT = 20 × (4A / 1.6MHz) × √(0.4 / VOUT)。算出来1.2V输出约需45μF。但我建议,实际用47μF或更大的陶瓷电容(X7R/X5R),并多并一颗小容值(比如0.1μF)在高频去耦。因为陶瓷电容的容值会随直流偏置电压下降,实际有效容值可能只有标称的60%~70%。留足余量,瞬态响应和环路稳定性才扛得住。

2. 前馈电容CFF
手册建议在2pF~22pF之间选。我的经验是,可以先焊一个10PF进行尝试,观察Vout的振铃。如果振铃大,再加大电容。

3、PGND和AGND的处理
手册在第4页的引脚定义里,明确把GND和AGND分开了,这是芯片设计上的区分。

再看第5页的绝对最大额定值表,VIN、SW、OUT这些功率引脚的参考地都是PGND,而EN、PG、FB这些控制引脚的参考地都是AGND。

所以Layout时,建议:在顶层,输入电容的负端、输出电容的负端、芯片的PGND焊盘直接铺一块完整铜皮,并通过多个过孔打到内层主地平面。FB引脚的反馈电阻,其下地端必须单独用走线连到AGND引脚,不要混到功率地回路里,从而减小噪声的影响。
4、打散热过孔
裸焊盘下面的散热过孔,封装底部的裸 露焊盘要通过密集过孔连接到内层地平面,既能保证接地阻抗足够低,又能把热量快速导走。

以上就是这颗芯片的介绍,主要面向高密度、低压大电流、对尺寸敏感的应用场景,比如AI加速卡、光模块、服务器多轨供电这些,电池供电的便携设备也能用得上,覆盖面还是挺广的。
大家方案选型时,可以做个参考。