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硬核知识集锦:必须要弄清楚的模拟电路入门100个知识点

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1、在常温下,硅二极管的门槛电压约为0.5V,导通后在较大电流下的正向压降约为0.7V;锗二极管的门槛电压约为0.1V,导通后在较大电流下的正向压降约为0.2V。

2、二极管的正向电阻小;反向电阻大。

3、二极管的最主要特性是单向导电性。PN结外加正向电压时,扩散电流大于漂移电流,耗尽层变窄。

4、二极管最主要的电特性是单向导电性,稳压二极管在使用时,稳压二极管与负载并联,稳压二极管与输入电源之间必须加入一个电阻。

5、电子技术分为模拟电子技术和数字电子技术两大部分,其中研究在平滑、连续变化的电压或电流信号下工作的电子电路及其技术,称为模拟电子技术。

6、PN结反向偏置时,PN结的内电场增强。PN具有具有单向导电特性。

7、硅二极管导通后,其管压降是恒定的,且不随电流而改变,典型值为0.7伏;其门坎电压Vth约为0.5伏。

8、二极管正向偏置时,其正向导通电流由多数载流子的扩散运动形成。

9、P型半导体的多子为空穴、N型半导体的多子为自由电子。

10、因掺入杂质性质不同,杂质半导体可为空穴(P)半导体和电子(N)半导体两大类。

11、二极管的最主要特性是单向导电性,它的两个主要参数是反映正向特性的最大整流电流和反映反向特性的反向击穿电压。

12、在常温下,硅二极管的开启电压约为0.5V,导通后在较大电流下的正向压降约为0.7V。

13、频率响应是指在输入正弦信号的情况下,输出随频率连续变化的稳态响应。

14、本征半导体的载流子为电子—空穴对。

15、N型半导体中的多数载流子是电子,少数载流子是空穴。

16、按一个周期内一只三极管的导通角区分,功率放大电路可分为甲类、乙类、甲乙类三种基本类型。

17、在阻容耦合多级放大电路中,影响低频信号放大的是耦合和旁路电容,影响高频信号放大的是结电容。

18、在NPN三极管组成的基本共射放大电路中,如果电路的其它参数不变,三极管的β增加,则IBQ增大,ICQ增大,UCEQ减小。

19、三极管的三个工作区域是截止,饱和,放大。集成运算放大器是一种采用直接耦合方式的放大电路。

20、某放大电路中的三极管,在工作状态中测得它的管脚电压Va = 1.2V、 Vb = 0.5V、 Vc = 3.6V,试问该三极管是硅管管(材料),NPN型的三极管,该管的集电极是a、b、c中的C。

21、已知某两级放大电路中第一、第二级的对数增益分别为60dB和20dB,则该放大电路总的对数增益为80dB,总的电压放大倍数为10000。

22、三极管实现放大作用的外部条件是:发射结正偏、集电结反偏。某放大电路中的三极管,测得管脚电压Va = -1V、Vb =-3.2V、Vc =-3.9V,这是硅管(硅、锗),NPN型,集电极管脚是a。

23、三种不同耦合方式的放大电路分别为:阻容(RC)耦合、直接耦合和变压器耦合,其中直接耦合能够放大缓慢变化的信号。

24、在多级放大电路中,后级的输入电阻是前级的负载,而前级的输出电阻可视为后级的信号源的内阻。多级放大电路总的通频带比其中每一级的通频带要窄。

25、某放大电路在负载开路时的输出电压为4V,接入12kΩ的负载电阻后,输出电压降为3V,这说明放大电路的输出电阻为4kΩ。

26、为了保证三极管工作在放大区,要求:

①发射结正向偏置,集电结反向偏置。

②对于NPN型三极管,应使VBC<0。

27、放大器级间耦合方式主要有阻容(RC)耦合、直接耦合和变压器耦合三大类。

28、在三极管组成的三种不同组态的放大电路中,共射和共基组态有电压放大作用,共射组态有电流放大作用,共射和共集组态有倒相作用;共集组态带负载能力强,共集组态向信号源索取的电流小,共基组态的频率响应好。

29、三极管放大电路的三种基本组态是共集、共基、共射。

30、多级放大器各级之间的耦合连接方式一般情况下有直接耦合,阻容耦合,变压器耦合。

31、在单级共射放大电路中,如果输入为正弦波形,用示波器观察VO和VI的波形,则VO和VI的相位差为180°;当为共集电极电路时,则VO和VI的相位差为0。

32、放大器有两种不同性质的失真,分别是饱和失真和截止失真。

33、晶体管工作在饱和区时,发射结正偏,集电结正偏;工作在放大区时,集电结反偏,发射结正偏。

34、在共射、共集和共基三种放大电路组态中,希望电压放大倍数大、输出电压与输入电压反相,可选用共射组态;希望输入电阻大、输出电压与输入电压同相,可选用共集组态。

35、场效应管同双极型三极管相比,其输入电阻大,热稳定性好。

36、影响放大电路通频带下限频率fL的是隔直电容和极间电容。

37、三极管工作在放大区时,它的发射结保持正向偏置,集电结保持反向偏置。

38、场效应管有共源、共栅、共漏三种组态。

39、在多级放大电路中总的通频带比其中每一级的通频带窄。

40、场效应管从结构上分成结型FET和MOSFET两大类型,它属于电压控制型器件。

41、场效应管属于电压控制电流型器件,而双极型半导体三极管则可以认为是电流控制电流型器件。

42、场效应管是电压控制电流器件,只依靠多数载流子导电。

43、根据场效应管的输出特性,其工作情况可以分为可变电阻区、恒流区、击穿区和截止区四个区域。

44、当栅源电压等于零时,增强型FET无导电沟道,结型FET的沟道电阻最小。

45、FET是电压控制器件,BJT是电流控制器件。

46、在甲类、乙类和甲乙类功率放大电路中,效率最低的电路为甲类。

47、一个输出功率为10W的扩音机电路,若用乙类推挽功放,则应选额定功耗至少应为2W的功率管2只。

48、在甲类、乙类和甲乙类功率放大电路中,效率最低的电路为甲类,为了消除交越失真常采用甲乙类电路。

49、乙类功放的主要优点是效率高,但出现交越失真,克服交越失真的方法是采用甲乙类。

50、乙类互补对称功率放大电路产生特有的失真现象叫交越失真。

51、双电源互补对称功率放大电路(OCL)中VCC=8v,RL=8Ω,电路的最大输出功率为4W,此时应选用最大功耗大于0.8W功率管。

52、差动放大电路中的长尾电阻Re或恒流管的作用是引人一个共模负反馈。

53、已知某差动放大电路Ad=100、KCMR=60dB,则其AC=0.1。集成电路运算放大器一般由差分输入级、中间级、输出级、偏置电路四部分组成。

54、差分式放大电路能放大直流和交流信号,它对差模信号具有放大能力,它对共模信号具有抑制能力。

55、差动放大电路能够抑制零漂和共模输入信号。

56、电路如图1所示,T1、T2和T3的特性完全相同,则I2≈0.4mA,I3≈0.2mA,则R3≈10kΩ。

图片

57、集成运放通常由输入级、中间级;输出级、偏置级四个部分组成。

58、正反馈是指反馈信号增强净输入信号;负反馈是指反馈信号减弱净输入信号。

59、电流并联负反馈能稳定电路的输出电流,同时使输入电阻减小。

60、负反馈对放大电路性能的改善体现在:提高增益的稳定性、减小非线性失真、抑制反馈环内噪声、扩展频带、改变输入电阻和输出电阻。

61、为了分别达到下列要求,应引人何种类型的反馈:

①降低电路对信号源索取的电流:串联负反馈。

②当环境温度变化或换用不同值的三极管时,要求放大电路的静态工作点保持稳定:直流负反馈。

③稳定输出电流:电流负反馈。

62、电压串联负反馈能稳定电路的输出电压,同时使输入电阻大。

63、某负反馈放大电路的开环放大倍数A=100000,反馈系数F=0.01,则闭环放大倍数100。

64、负反馈放大电路产生自激振荡的条件是。

65、负反馈放大电路的四种基本类型是电压串联、电压并联、电流串联、电流并联。

66、为稳定电路的输出信号,电路应采用负反馈。为了产生一个正弦波信号,电路应采用正反馈。

67、理想集成运算放大器的理想化条件是:

图片


68、理想运算放大器的理想化条件中有:

图片

69、电流源电路的特点是,直流等效电阻小,交流等效电阻大。

70、电流源的特点是输出电流恒定,直流等效电阻小,交流等效电阻大。

71、工作在线性区的理想集成运放有两条重要结论是虚断和虚短。

72、理想运算放大器,图片

73、在构成电压比较器时集成运放工作在开环或正反馈状态。

74、如果有用信号频率高于1000Hz,可选用高通滤波器;如果希望500Hz以下的有用信号,可选用低通滤波器。

75、选取频率高于1000Hz的信号时,可选用高通滤波器;抑制50Hz的交流干扰时,可选用带阻滤波器;如果希望抑制500Hz以下的信号,可选用高通滤波器。

76、有用信号频率高于1000Hz,可选用高通滤波器;希望抑制50Hz的交流电源干扰,可选用带阻滤波器;如果希望只通过500Hz到1kHz的有用信号,可选用带通滤波器。

77、根据工作信号频率范围滤波器可以分为:低通滤波器、高通滤波器、带通滤波器及带阻滤波器。

78、集成运算放大器在线性状态和理想工作条件下,得出两个重要结论,它们是:虚断和虚短。

79、通用型集成运算放输入级大多采用差分放大电路,输出级大多采用共集电路。

80、正弦波振荡电路是由放大电路、反馈网络、选频网络、稳幅环节四个部分组成。

81、正弦波振荡电路产生振荡时,幅度平衡条件为图片,相位平衡条件为图片

82、信号发生器原理是在电路负反馈时图片,例如自激电路。在正反馈时图片,例如文氏振荡电路。

83、石英晶体振荡器是LC振荡电路的特殊形式,因而振荡频率具有很高的稳定性。

84、正弦波振荡电路利用正反馈产生振荡的条件是图片、其中相位平衡条件是图片,n为整数、为使电路起振,幅值条件是图片

85、正弦波振荡电路必须由放大电路、反馈网络、选频网络、稳幅环节 四部分组成。

86、RC正弦波振荡电路达到稳定平衡状态时有:图片

87、正弦波自激振荡电路振荡的平衡条件是图片 n为整数 。

88、正弦波振荡电路起振的条件是图片 n为整数。

89、有用信号频率高于1000Hz,可选用高通滤波器。文氏电桥振荡器中的放大电路电压放大倍数图片,才能满足起振条件。

90、为了稳定电路的输出信号,电路应采用交流负反馈。为了产生一个正弦波信号,电路应采用正反馈。

91、直流电源是将电网电压的交流电转换成直流电的能量转换电路。

94、将交流电变换成脉动直流电的电路称为整流电路;半波整流电路输出的直流电压平均值等于输入的交流电压(即变压器副边电压)有效值的0.45倍;全波整流电路输出的直流电压平均值等于输入的交流电压(即变压器副边电压)有效值的0.9倍。

96、串联型稳压电路中的放大环节所放大的对象是输出取样电压。

97、开关型直流电源比线性直流电源效率高的原因是调整管的的状态不同。

98、小功率稳压电源一般由电源变压器、整流电路、滤波器、稳压电路等四部分构成。

99、幅度失真和相位失真总称为频率失真。

100、串联反馈式稳压电路由调整管、比较放大、基准电压、取样环节四部分组成。


来源:电磁兼容之家
非线性电源电路半导体通用电子电场材料
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首次发布时间:2026-05-27
最近编辑:3月前
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VCC(电源)和 GND(地)之间电容的作用,这就为你揭晓答案!

作用:电源输入/输出滤波电容,主要用于稳定输出,对稳压有利。 电容的主要作用稳压电源与地之间接电容的原因有两个作用,储能和旁路储能:电路的耗电有时候大,有时候小,当耗电突然增大的时候如果没有电容,电源电压会被拉低,产生噪声,振铃,严重会导致 CPU 重启,这时候大容量的电容可以暂时把储存的电能释放出来,稳定电源电压,就像河流和水库的关系旁路:电路电流很多时候有脉动,例如数字电路的同步频率,会造成电源电压的脉动,这是一种交流噪声,小容量的无极电容可以把这种噪声旁路到地(电容可以通交流,阻直流,小容量电容通频带比大电容高得多),也是为了提高稳定性。电源滤波电容的容量 = 介电常数面积 / 距离 =εS/d,通常 ε、d 不易改动,只能改动 S 来改变电容量。当电容很大时,S 必然大,为了减小体积,不得不用卷叠的方式,但卷叠必然增加电感量(尽管对称双绕)。电容实际是 R、L、C的组合,如此,大电容相对电感量 L 也大。例如:用 2200uF 电容波时,对于低频 50Hz是很好的,但是对于高频(K、MHz)来说,一点用也没有,因为L太大。所以高手很讲究电源的滤波,会采用大、中、小三种电容,分别针对低、中、高频来滤波。 实际应用01 在直流电源(Vcc)和地之间并接电容的电容可称为滤波电容,滤波电容滤除电源的杂波和交流成分,压平滑脉动直流电,储存电能,取值一般 100-4700uF。取值与负载电流和对电源的纯净度有关,容量越大越好。有时在大电容旁边会并有一个容量较小的电容,叫高频去耦电容,也是滤波的一种形式,用来滤除电源中的高频杂波,以免电路态产生自激,稳定电路工作状,取值一般 0.1-10uF,取值与滤除杂波的频率有关。 这样接的作用一般叫 “退耦”,也叫 “退交连”、“旁路” 电容,常按排在电源供给、IC 和功能模块电路附近。以无感的瓷片、独石电容为佳。作用是为高频信号提供通路,减小电源内阻,去除电源和地线在敷铜板上 “走长线” 的影响,防止公用电源的各部分电路之间的 “有害交连” 等等。常用 10nF。02 在开发板上,通常直流电源和地之间有很多 0.1uF非电解电容和 10uF的电解电容。 这些电容,目的是使电源线和地线之间为低阻抗,电源接近理想电压源。你要说是滤波作用也可以,但需要弄清楚是滤什么波。不是滤电源的纹波,而是某芯片电流发生变化在电源线上造成的纹波,使其不影响其它芯片。 使用 0.1uF 无极性电容和 10uF 电解电容并联,是因为电解电容的寄生电感比较大,消除高频纹波能力较差。而无极性电容寄生电感小,滤除高频纹波能力较好。但若根据低频的要求选择容量,则无极性电容体积太大,成本也高,电解电容体积小,同样容量价格较便宜。故采用两种电容并联。 你自己设计电路,也应该这样使用,而且各电容位置和走线很有讲究。 只能说两句原则:01各小容量的无极性电容两端到芯片的电源引脚和地引脚联接线尽可能短,越短越好。02电源通常由其它电路板引入,电解电容通常每块电路板上只有一个两个。一个电解电容的话,放到电源进入该电路板之处。此时电解电容当然离各芯片较远,但因电解电容主要在较低频率起作用,所以稍远一点没有关系。如果该电路板上用两支电解电容,另一支放到耗电最多的芯片附近。这些和电路板元件布局、地线的走线安排 (多层板通常有地层) 都有关系。10MHz 以下的噪声 0.1μF 电容效果好。按 C=1/F,即 10MHz 取 0.1μF。简单的说是,将干扰通过电容接地。来源:电磁兼容之家

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