二极管选型时一定要考虑温度！！！

大家好，我是EE小新。

这两天在测试肖特基二极管和通用二极管的温度特性，持续加大电流，当温度升高到80℃往上的时候，开关二极管的正向电压V_F随着温度升高而降低，反向泄漏电流IR随着温度升高而增大。

此时可能测试漏电流不是很明显，但是反向泄露的电压随着温度的升高，电压越来越高，到最后几乎等同于输入电压。

刚好看到东芝发表的关于温度的文章，大家可以看看。

半导体器件的电气特性通常对环境温度和工作结温敏感。 Si二极管的特性在工作范围内通常如下变化。

1. 开关二极管的正向电压V_F随着温度升高而降低。
2. 反向漏电流I_R随着温度升高而增大。

二极管之所以如此，主要有以下原因：

由于强键合，碳化硅（SiC）作为一种宽带隙（WBG）半导体，比硅更受晶格振动的影响。 由于宽带隙（WBG），供体电子在碳化硅（SiC）中比在硅中更不易被激发。因此，硅二极管和碳化硅二极管在其通常使用的电流范围内具有不同的温度特性。

下面显示了硅和碳化硅肖特基势垒二极管（SiC SBD）的I_F–V_F曲线。

对于硅肖特基势垒二极管，正向电压（V_F）随着温度升高而降低。

相反，对于碳化硅肖特基势垒二极管，V_F随着温度升高而增加。在较高的I_F下，硅和碳化硅肖特基势垒二极管的正向电压（V_F）会随着温度升高而升高。

由于上述温度特性，硅二极管比碳化硅二极管更容易发生热失控。