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一文读懂地弹:定义、原因与降噪方法全解析

5月前浏览370

地弹的定义和原因    

 


地弹是一种在晶体管开关切换(即当PCB地和芯片封装地处于不同电压时)期间发生的噪声形式,它会中断高速或高频操作。


地弹的主要原因是电路中各点地电位存在差异。


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在上面的电路中,一个CMOS(器件)连接到一个具有CL电容和RL电阻的输出负载。其他组件包括:


  • LA:封装电源引脚的固有电感

  • LB:封装输出引脚的固有电感

  • LC:CMOS封装接地引脚的固有电感

  • RI:CMOS IC的固有电阻


考虑一种输出从高电平变为低电平的情况。此时,电流从负载侧流出,负载电容放电。该电流 (I) 流过电感LB和LC会产生一个电压 V=L(di/dt)V=L(di/dt)。


产生的电压使内部CMOS地电位不同于外部负载地电位。因此,内部参考地电位高于外部地的零电位。这种差异在电路中产生噪声,并影响电路中开关器件的工作功能。


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减小地弹的方法    

 


  • 在IC封装的VCC和GND引脚之间部署一个旁路电容。它可以有效旁路电压尖峰和电源噪声

  • 只要可能,尽量采用焊盘中过孔(via-in-pads)技术

  • 使用短的信号返回路径,因为这将减少寄生电容

  • 切勿共享用于接地连接的过孔或走线。使用独立的过孔和走线连接到地平面


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  • 使用低电压差分信号(LVDS)作为I/O标准。该标准提供高带宽和高抗噪能力

  • 使用完整的地平面以减少IR损耗和电感,避免使用分割的地平面

来源:电磁兼容之家
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著作权归作者所有,欢迎分享,未经许可,不得转载
首次发布时间:2026-03-18
最近编辑:5月前
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