非隔离驱动芯片IR21814S 电路设计
该电路工作工程可分为如下几个部分：
（1）MOS管下管工作，上管驱动自举电容充电
DCPWMB输入高电平，推挽输出DCDRVB高电平驱动Q121导通，DCPWMA为低电平，推挽输出DCDRVA低电平截止上管Q120。自举电容C308通过下管Q121进行充电至VCC_FAN。
图1 驱动电路上管充电路径
（2）MOS管下管截止，自举电容充电完成
下管截止后，自举电容电压浮空，其电压等于VCC_FAN，此浮空电压作为上管Q120驱动的供电电源。
（3）MOS管下管截止，上管导通
DCPWMA输入高电平，推挽输出DCDVRA高电平驱动Q120导通。
图2 驱动电路MOS导通路径
（4）上管截止，下管导通
驱动芯片的选择
几种驱动芯片性能对比如下
MIC4424B | IXDN404SI | LM5110 | NCP5181 | IR2181(4) | IR2110 | |
tr max(ns) | 35 | 18 | 25 | 60 | 60 | 35 |
tf max(ns) | 35 | 17 | 25 | 40 | 35 | 25 |
tondelay max(ns) | 75 | 40 | 40 | 170 | 270 | 150 |
toffdelay max(ns) | 75 | 39 | 40 | 170 | 330 | 125 |
Isource(A) | 3 | 4 | 3 | 1.4 | 1.9 | 2.5 |
Isink(A) | - | - | 5 | 2.2 | 2.3 | 2.5 |
通过以上几种芯片的开关损耗性能指标对比可以看出：
IR2110的开关速度快，Isink/Isource电流大，损耗较小。但是，IR2110(3)的封装相对大（WSOP16)，价格也贵，就没有选择此芯片。
而其他几种芯片没有泵升功能，不宜采用。
由于IR21814已经被广泛采用，成熟度高，而且性能较优。因此，建议PWM驱动芯片仍然采用的IR21814。
5.4.2 推挽三极管选型
由于供电电压VCC_FAN=14.5V，同时考虑到电压本身的纹波，所以所选择的三极管耐压必须大于20V；由于正向驱动电阻R=10ohms+2.55ohms=12.55ohms，正向驱动峰值电流I=14.5V/12.55ohms=1.16A。反向驱动电阻R=2.55ohms，反向驱动峰值电流I=14.5V/2.55ohms=5.7A，所以，根据以上驱动电流的计算，所以选三极管的峰值电流必须大于5.7A。
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