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技术博客 I 3D-IC 以及传热模型的重要性

10月前浏览234
  




本文要点



  • 缩小集成电路的总面积是 3D-IC 技术的主要目标。

  • 开发 3D-IC 的传热模型,有助于在设计和开发的早期阶段应对热管理方面的挑战。

  • 开发 3D-IC 传热模型主要采用两种技术:分析法和数值计算法。 


传统的单裸片平面集成电路 (IC) 设计无法满足电子市场对高功率密度、高带宽和低功耗产品的要求。三维 (3D) 集成电路技术将多个芯片垂直堆叠,实现电气互连,具有更出众的优势。3D-IC 电路外形小巧,集成度更高、信号延迟更低,支持异构集成,这些先进的功能使之具有出色的电气性能。


 

3D-IC 设计的电能耗散水平和热密度较高,这为热管理带来了严峻的挑战。


然而,3D-IC 设计的电能耗散水平和热密度较高,这为热管理带来了严峻的挑战。为了克服 3D-IC 在热管理方面的限制,3D-IC 传热模型应运而生。3D-IC 传热模型有助于开发新的封装工艺。本文将讨论 3D-IC 及其传热模型。


01

3D-IC 技术


缩小集成电路的总面积是 3D-IC 技术的主要目标。3D-IC 的设计方法是垂直堆叠传统器件层或芯片,这些层和芯片之间实现了电气互连。3D-IC 技术提高了集成器件的功能、性能和封装密度。该技术能够减少信号延迟,提高片上通信速度。在 3D-IC 封装中,逻辑芯片和存储芯片之间的互连变得更短,从而提高了信号传输速度。3D-IC 的垂直集成密度和异构集成度更高,与系统级单芯片和层叠封装等替代方案相比更具优势。3D-IC 的集成方式可以是面对面集成,也可以是背对背集成。


 


3D-IC 可分为两类



1

3D 堆叠 IC

堆叠 IC 芯片并使用硅通孔 (TSV) 实现芯片互连。TSV 是制造 3D 堆叠 IC 的基本元素。通过 TVS 蚀刻过程钻出一个个孔,在其中填充钨、铜或多晶硅等导电材料。TSV 互连缩短了各层和芯片之间的路径,从而提高了互连密度,同时降低了功耗。

2

真正的 3D-IC

使用晶圆厂工艺在单个芯片上堆叠多个器件层。这种集成电路非常适合在既定的  footprint 区域集成更多晶体管。该技术有助于在最先进的节点上克服单裸片的限制。


02

3D-IC 的优势




1

设计成本低

在 3D-IC 中,所有功能都无需转移到先进的工艺节点,因此降低了设计成本。



2

易于实现高速传输

3D-IC 技术的互连长度更短,从而减少了信号延迟,有助于实现高速通信和传输。



3

电路微型化

层层堆叠有助于在 3D-IC 中集成大量晶体管。晶体管的密集化节省了空间,因此 3D-IC 非常适合紧凑型设备。



4

功耗低

3D-IC 不需要使用高功耗驱动器。相反,它们依赖低功耗的小型输入输出驱动器。3D-IC 的阻抗较低,这一点也有助于减少内部功率损耗。



5

带宽更高

3D-IC 可以提供更高的带宽特性。在 3D-IC 技术中,在处理器顶部堆叠高速缓冲存储器可增加带宽。



6

灵活

堆叠异构技术为 3D-IC 带来了灵活性。利用 3D-IC 中的异构集成技术,可以混合部署不同的制造处理器和节点。这有助于重新使用现有的芯片,而无需重新设计新的芯片,可无风险地降低成本。


03

3D-IC 技术中的传热模型


热管理是 3D-IC 技术面临的最大障碍之一。为了在既定的 footprint 内实现较高的功率密度,需要将器件层堆叠在一起。堆叠层的 footprint 是固定的,通电后会造成发热现象。复杂的结构再加上集成度高,增加了散热量和热密度。3D 堆叠 IC 技术本身就有温度过高的特点,会在 3D-IC 集成中引发灾难性故障。


要使 3D-IC 有效工作,就必须采取适当的散热措施。传统的空气散热方式不足以满足 3D-IC 的要求,需要设计复杂的热管理系统来动态控制 3D-IC 的温度。开发 3D-IC 的传热模型,有助于在设计和开发的早期阶段应对热管理方面的挑战。3D-IC 的传热模型可以解答基本的传热问题,要成功实施 3D-IC 技术,弄清楚这些问题非常重要。


 

图:由 Cadence Celsius Thermal Solver 生成的具有金属互连的封装内 3D 结构的温度分布图。


3D-IC 传热模型可用于分析 3D-IC 设计热管理的限制。该模型可充当一种辅助工具,用于针对 IC 冷却和封装方式实施合适的热管理方法,以适应 3D-IC 的散热需要。


用于开发 3D-IC 传热模型的技术主要有两种


1

分析法

分析传热模型,通过求解能量守恒方程和边界条件得出 3D-IC 结构的温度场。该方法可用于研究各种几何和热物理参数对 3D-IC 散热性能的影响。

1

数值计算法

当 3D-IC 具有复杂的结构和与温度相关的特性时,就很难推导出传热方程的精确解。在这种情况下,可对几何体进行离散化处理,求出方程的近似解,以此建立数值计算传热模型。数值计算法能够以可接受的准确度预测温度。


3D-IC 的传热模型可以确定结点温度和内部结构的峰值温度。传热模型还能确定 3D-IC 结构中的热点,帮助工程师设计有效的热管理技术。

来源:Cadence楷登
System电路电子芯片通信ECAD材料Cadence控制模具电气
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首次发布时间:2025-10-26
最近编辑:10月前
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本文要点:“谐波失真”通常表示在时域中观察到的波形失真。谐波失真可从功率谱或时域波形中观察到,有多种表现形式。不同形式的非线性会产生不同类型的谐波失真。任何模拟信号只要存在一定程度的非线性,都会产生谐波失真。模拟信号失真时,信号在时域中的外观会发生变化,表现为波形压缩或完全偏移。谐波模拟信号中的谐波失真已是老生常谈,但调制信号或方波/锯齿波中也明显存在各类谐波失真,其中一个常见的例子是功率放大器,它们在运行时通常接近饱和点。谐波失真对信号的影响取决于产生失真的元件,甚至是信号的测量方式。那么问题来了,如何厘清信号中谐波失真的类型?有没有方法直接测量或计算?本文将举例介绍不同类型的谐波失真,以及产生的原因。 谐波失真类型一般来说,通过观察波形,可以发现五种类型的谐波失真:振幅失真频率失真相位失真互调失真交叉失真除了非线性产生的非线性失真外,上述类型的谐波失真只出现在宽带信号或离散频率相加的信号上。1振幅失真与频率失真 这两个术语有时会互相替代,但一般所指并非同类。二者在时域上看似相似,但在频域上却完全不同。在时域测量中,振幅失真与频率失真区别如下:振幅失真:当电路或设备产生的输出信号的幅值是输入幅值的非线性函数时,就会出现这种情况。振幅失真是由非线性引起的,可以在谐波信号或宽带信号中观察到。这种现象有时被称为削波失真,因为它发生在饱和器件(如放大器)中。 由于饱和,振幅失真通常表现为削波频率失真:当电路或设备导致输入信号中不同频率器件的电压/电流发生不同程度的变化时,就会出现频率失真。频率失真只能在宽带信号中观察到。当伯德图的幅值为非线性时,滤波器通常会出现频率失真。 伯德图中幅值曲线的形状会导致宽带信号中出现频率失真在实际器件中,振幅失真可能只在特定频率范围内产生;为了加以区分,这种现象可称为“非线性频率失真”,此时还应该说明非线性在实际器件和电路中的重要性。2相位失真 当滤波器的传递函数(伯德图)的相位是频率的非线性函数时,滤波器就会产生相位失真。此时输出波形会出现失真,但不一定是因为波形出现了削波或其他幅值效应,而是因为群速度和相速度不是恒定值,因此组成信号的不同频率会以不同的速度传播。 伯德图相位曲线中的非线性区域会因色散而产生相位失真3互调失真 当频率调制信号或其他宽带信号馈入非线性器件时,会出现互调失真。具体来讲,当输入接近饱和状态时,互调失真就会常见于功率放大器,此时,构成输入信号的离散频率相加会产生和/差谐波。最突出的一组和/差谐波是三阶互调。这些谐波最有可能出现在放大器的线性输入区,且最接近输入信号功率谱的频带边缘。在时域中,互调失真表现为频率略高于输入信号载波频率的低振幅噪声。4交叉失真 在推挽式晶体管放大器中,特别是在使用三极管(Bipolar Junction Transistor,BJT)的放大器中,信号可能会出现交叉失真。当一对晶体管中有一个进入截止区时,输出信号会短暂降至零,此时就会发生交叉失真。实际上,当输入信号处于低电平时,放大器中的两个晶体管都没有开启,因此即使输入信号不为零,输出信号也为零。下面是一个简单的时域示例。 推挽(B 类)放大器中的交叉失真如何发现谐波失真在测量或仿真中很容易发现上述类型的谐波失真:只需比较相关器件或电路的输入和输出信号即可。如果两者在时域和频域上不是线性函数关系,则说明存在某种失真。在设计阶段,仿真工具可以让电路中可能出现的谐波失真问题无处遁形。在设计低失真的真实器件系统时,Cadence 的系统分析工具集可以帮助设计人员发现信号中的各类谐波失真,从而采取有效措施。PSpice 仿真工具可用于生成所需的仿真,识别和优化低谐波失真电路,并利用内置建模应用对实际电路进行仿真。来源:Cadence楷登

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