CST仿真详解静电场对PCB罗氏线圈有无上下屏蔽层的影响

   

仿真建模    

在距离罗氏线圈平面100mm处建立一个静电场源，如图，激励10V的电压    

   

   

并且我们在绕组内部加一个空气盒子    

   

   

无屏蔽时    

   

   

   

   

有屏蔽    

   

   

   

从结果看，有屏蔽时大部分电场被阻挡在屏蔽层外，穿透场很小    

   

空气盒子上的平均电场强度和最大电场强度，通过后处理得到    

有屏蔽，最大0.0075V/m，平均0.0034V/m    

无屏蔽，最大0.435V/m，平均0.2795V/m    

   

   

从结果看，罗氏线圈屏蔽层对电场强度的屏蔽作用非常明显，效果很好    

   

   

最后总结

   

通过CST 静电场仿真对比验证有无屏蔽对PCB罗氏线圈影响。PCB 罗氏线圈接地上下屏蔽层能够将外部静电场阻挡在屏蔽外侧，大幅降低线圈绕组处电场强度，有效抑制静电耦合干扰。