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电弧增材IN718中的δ相:强化与软化为何并存?

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DOI:10.1016/j.ijplas.2023.103708

推荐理由

δ相多一点,电弧增材镍基合金IN718就更强吗?Xi、Ni等把热处理、透射电镜(TEM)、压痕与晶体塑性串联,说明δ既能约束局部滑移,也会消耗γ″析出所需的Nb。本文适合关注析出强化、组织建模与热处理的读者。

作者研究思路

核心贡献是在已有位错密度晶体塑性中,同时纳入δ的显式几何与γ″含量的经验变化:细γ′/γ″通过初始滑移阻力均匀化,δ按各向异性弹性相处理。用基体压痕区分软化,再用含δ的代表体积单元(RVE)比较整体与局部响应。

δ相附近局部网格加密

图 8(e):500 μm、30晶粒的二维RVE中,δ附近局部加密;图示为网格细节。

核心公式

初始滑移阻力与析出剪切强化原式

式(29)(30):初始阻力由晶界、固溶及γ′/γ″剪切贡献组成;f、r与APB分别表示体积分数、平均半径与反相畴界能。

δ与γ双撇体积分数经验关联原式

式(31):用δ含量近似γ″变化,η=0.98为本文经验系数。它不是普适相守恒或析出动力学方程。

位错交互阻力与位错密度演化原式

式(24)(25):ρ决定位错交互阻力,演化包含增殖和湮灭;初始析出强化与后续位错硬化由此分开。

核心结果图

一小时和四小时处理后的δ分布

图 1(b)(d):均经1150℃/2h均匀化;900℃保温1h、4h后,统一700℃/14h时效。δ由晶界向晶内发展,总体积分数0.170%→1.471%。

粗大γ双撇的透射显微及成分衍射证据

图 3:粗γ″周围出现层错、失配与贫析出区。判相结合成分和衍射,不能把富Nb颗粒都叫δ。

作者归纳的δ成核和长大示意

图 13(a—c):作者归纳的成核/长大示意,非原位实时图。

不同热处理的室温拉伸响应
基体反演屈服与整体屈服比较

图 6及表5—6:HA仅均匀化+时效。室温下,4h组拉伸屈服约998 MPa,基体压痕反演约842 MPa,均低于HA;但统计断裂应变约30%,高于HA的约22%。局部热点不等于整体延性必然下降。

其余三组热处理的曲线对照

图 9(a):HA与4h用于标定,其余三组作曲线对照。模型没有损伤,未描述末段断裂下降。

HA样品应力分布
四小时处理样品应力分布

图 10(a)(b):6%宏观应变,δ重新分配应力并形成邻近集中。原色条顶值与正文有出入,此处只比较分布。

位错密度场与完整原色条

图 11(a)(b):6%宏观应变,δ附近位错聚集更明显。原色条单位印作mm²,量纲应为mm⁻²。

δ附近位错聚集的TEM观测

图 11(c):TEM提供位错聚集的定性对照,不能当成对模拟密度逐点验证。

无δ与晶界δ的累积剪切应变
晶内δ及晶界晶内δ共存时的累积剪切应变

图 12(a)节选:10%宏观应变,上组为1#无δ、4#晶界δ,下组为5#晶内δ、6#二者共存。圈定E/F附近累积剪切应变约0.48→1.07;这是局部滑移累积,不是宏观拉伸应变或损伤。

作者核心结论

δ对γ″的竞争、粗γ″失共格与δ空间约束共同影响响应。晶界δ可限制跨晶塑性,大晶内针状δ则有局部失稳风险。证据限于室温二维塑性,无损伤、疲劳或高温寿命验证。

对我们的启示

热处理不能只追δ含量,还应比较基体强度、δ的尺度与位置及应变热点。建模可借鉴“细相均匀化+粗相显式化+受控子模型”;参数拟合、局部定性对照和断裂预测须分开。


来源:Xi、Ni等(共同第一作者),International Journal of Plasticity 168(2023),103708。原式及原图节选。

来源:我的博士日记
疲劳断裂增材
著作权归作者所有,欢迎分享,未经许可,不得转载
首次发布时间:2026-10-26
最近编辑:39分钟前
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