阳光电源再落一子，这次盯上了磁元件

电力电子技术与新能源

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核心事件

2026.9.1 阳光电源公开电感及功率变换装置专利（CN122677284A），解决大功率高频电感损耗、散热难题，提升功率密度与可靠性；属于阳光电源磁元件体系化布局的一环，并非单次零散专利。

阳光电源磁元件「四步渗透战略」

专利先行
：全链条布局磁集成、电感散热、磁芯固定、低损耗电感相关专利；2026 上半年研发投入 20.95 亿元。
小批量验证
：依托自有逆变器、储能整机平台做样品测试、可靠性验证，拥有天然的实测场景。
核心型号自供
：优先自研高附加值、深度定制的磁集成变压器、低损耗电感（磁元件领域高利润品类）。
分级采购
：标准化通用磁元件继续外购；形成核心自研 + 标准件外购，掌握元器件议价主动权。

背后动因

2026 上半年阳光电源储能营收 154.56 亿，占总营收一半；但储能毛利率下滑 7.49pct，价格战降本压力传导至元器件端。
逆变器、储能、SST 向高频、高功率密度发展，磁元件不再只是采购件，而是整机系统性能的核心一环，直接决定损耗、散热、功率密度。

企业	战略路线	核心特点
阳光电源	技术自主	自研磁元件设计，掌握方案，保留外部采购渠道
华为数字能源	供应链深度绑定	赋能供应商，打造专属产线，不自建磁元件工厂
比亚迪	器件融合	从功率芯片层面做集成，减少对分立磁元件的依赖

共性：终端客户都在补齐磁元件设计能力，削弱传统磁元件厂商的不可替代性。

行业底层逻辑巨变

✅ 旧时代：客户不懂磁件，供应商能加工即可拿到订单，拥有议价权（来图加工模式）

✅ 新时代：终端大厂掌握磁元件自研设计；供应商必须证明技术、成本、性能优于客户自研方案✅ 未来门槛：只有能够参与客户下一代产品联合研发的厂商，才能持续留在供应链

国内磁元件龙头（京泉华、可立克、伊戈尔）三大应对策略

深度绑定大厂：订单稳定，但议价能力下降，沦为客户延伸研发单元；
开辟新兴赛道：提前布局 SST、AI 服务器电源等高门槛高端磁元件市场；
技术升级迭代：由单纯来图加工，升级为联合研发，从价格竞争转向材料、磁集成的技术竞争。

核心结论

终端入局磁元件，不是 “要不要自产” 的选择题，而是自研到什么深度的战略题。光储、SST、AI 算力电源拉动高端磁元件需求持续增长；但行业规则改写：当客户看懂你的产品，你必须拿出不可替代的价值，才能留在供应链牌桌上。

来源：电力电子技术与新能源

MOS管栅极为什么串联电阻，有什么作用？

1、如果没有栅极电阻，或者电阻阻值太小MOS导通速度过快，高压情况下容易击穿周围的器件。2、栅极电阻阻值过大MOS管导通时，Rds会从无穷大将至Rds(on)(一般0.1欧姆级或者更低)。栅极电阻过大时，MOS管导通速度过慢，即Rds的减小要经过一段时间，高压时Rds会消耗大量功率，导致MOS管发烫。过于频繁地导通会使热量来不及发散，MOS温度迅速升高。3、在高压下，PCB的设计也需要注意。栅极电阻最好紧靠栅极，并且导线不要与母线电压平行分布。否则母线高压容易耦合至下方导线，栅极电压过高击穿MOS管。MOS管栅极串联电阻作用的研究与反向并联的二极管一同构成硬件死区电路驱动电路电压源为mos结电容充电时经过栅极电阻，栅极电阻降低了充电功率，延长了栅极电容两端电压达到mos管开启电压的速度；结电容放电时经过二极管，放电功率不受限制，故此情况下mos管开启速度较关断速度慢，形成硬件死区。限流当使用含内部死区的驱动或不需要硬件死区时，是否可以省去栅极电阻呢？答案是不行。当开启mos管为结电容充电瞬间，驱动电路电压源近似短接到地，当驱动电驴电压源等价电源内阻较小时，存在过流烧毁驱动（可能是三态门三极管光耦甚至是单片机不能短接到地的io口等等）的风险。消除振铃同时，由于pcb布线电感、布线电阻和结电容构成构成LCR震荡，在布线电阻R及电压源输出阻抗较小的一般情况下，mos管栅极电压波动可能十分明显，造成振铃现象使mos管开启不稳定。在栅极串接一个阻值合适的电阻，可减小震荡的波动幅度，降低mos管开启不稳定的风险。综上所述：1）如果需要使用基于二极管和电阻的纯硬件死区，在二极管一侧还需要考虑增加一个合适阻值的电阻来限制振铃等现象。2）如果需要使用基于二极管和电阻的纯硬件死区，在结电容较小时，可以考虑在gs两端并联一颗合适大小的电容，与寄生电感和走线、电源阻抗一同形成时长精确可调的死区。4）某些型号的mos管自带栅极电阻或允许栅极dV/dt无穷大（一般手册会特别强调，这是卖点），驱动给的开启电压很大，即使已经发生振铃mos管也不会振荡开启/关闭。说明：本文来源网络；文中观点仅供分享交流，不代表本公众号立场，转载请注明出处，如涉及版权等问题，请您告知，我们将及时处理。来源：电力电子技术与新能源