屏蔽罩+铜箔,CST仿真详解铜箔封堵解决缝隙天线效应
前言
本文通过CST仿真给屏蔽罩贴铜箔和导电泡棉来看看,和没有屏蔽罩电场强度对比看看。仿真建模
本文贴的是0.1mm的铜箔,本人今天还是有点极端给屏蔽罩缝隙全堵住,贴成这个熊样。CST 辐射仿真
首先我们仿真的是没有屏蔽罩的辐射场强,电场探头设置的360°环绕,3m场,带宽3GHz~6GHz。此时4.2666GHz电场强度33.5dBuV/m。红色频谱是无屏蔽,橙色频谱是屏蔽罩+铜箔
从无屏蔽VS屏蔽罩+铜箔对比结果看,4.2666GHz电场强度分别是70.8dBuV/m和33.5dBuV/m。所以屏蔽效能(SE)是37dB。 从屏蔽罩+铜箔电场分布图上可以看到效果立竿见影,电场强度小了不少,屏蔽效能37dB,达到行业要求的>30dB,可以得出屏蔽罩辐射不降反升主要原因是整个屏蔽罩存在缝隙天线效应所致。最后总结
本文通过CST仿真验证,屏蔽罩辐射不降反升,主要原因是屏蔽罩缝隙形成的缝隙天线效应。本文使用0.1mm铜箔堵住缝隙后,屏蔽效能达到 37dB,超过行业常用的>30dB 要求。吸波材料对破坏腔体谐振有效,但不能完全解决缝隙泄漏问题。著作权归作者所有,欢迎分享,未经许可,不得转载
首次发布时间:2026-09-28
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