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MOS管Vgs(th)明明写着2V,为啥还要10V去驱动呢?

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之前给大家分享过一个兼容设计的案例:输入电压可能是12V,也可能是24V,两种电压二选一。在不同输入下,PMOS管的Vgs驱动电压会不一样——12V输入时Vgs约6V,24V输入时Vgs约12V。

这就引出一个问题:这种电路在设计的时候,我们到底要考虑哪些因素?或者说,驱动电压究竟给多少才合适?

往深了说,其实是一个老生常谈的话题:MOS管手册里明明写着Vgs(th)最小只要1V或者2V电压就能导通,为什么实际电路中大家偏偏要用10V、12V甚至更高的电压去驱动?

我之前写过一篇文章聊这个事,当时没梳理清楚,今天重新整理一下思路。

咱们直接说结论:Vgs(th)只是让MOS管刚刚开始导通的门槛电压,而10V~15V是让MOS管完全充分导通的推荐工作电压。 两者根本不是一回事。

1、阈值下的实际电流只有1mA

你去看任何一款MOS管的数据手册,Vgs(th)=2.5V的时候,后面一定会跟着一个测试条件:ID=1mA。也就是说,在这个阈值电压下,MOS管只能流过1mA的电流。你要是用它来驱动一个几安培的负载,根本不可能,因为这时候管子还处于高阻状态,带不动任何实际负载。

2、驱动电压不够,内阻就降不下来

MOS管数据手册上标称的那个很小的导通电阻RDS(on),比如2.1mΩ,通常是在Vgs=10V的条件下测出来的。

如果你只给5V,内阻可能还停留在5~6mΩ。驱动电压越低,沟道开得越不完全,内阻就越大。大电流流过来的时候,管子上的压降和功耗(I²R)都会明显增加,温升很快。用2.5V去驱动的结果,就是MOS管严重发热,大概率会烧掉。

3、最关键的一点:冲过米勒平台的速度

MOS管在开通的过程中,栅极电压会经过一个米勒平台。在这个平台期间,MOS管处于半开半关的状态,漏极电压和漏极电流同时存在,这时候的开关损耗是最大的。如果在这个平台停留太久,管子会急剧发热。

驱动电压越高,栅极电容充电的压差就越大,充电电流就越大,栅极电压上升的速度就越快。用12V驱动,栅极电压能很快冲过米勒平台这个区域,缩短开关时间,从而降低开关损耗。

如果用5V甚至2V驱动,栅极电压爬升得慢,在米勒平台停留的时间就长,开关损耗大幅增加,效率会低很多。

好了,今天的内容不多,就分享到这里了,咱们下期再见!

来源:硬件笔记本
电路
著作权归作者所有,欢迎分享,未经许可,不得转载
首次发布时间:2026-07-08
最近编辑:3月前
硬件笔记本
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