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200G SerDes为什么越来越像封装问题?这篇文章板级瓶颈讲透了

3月前浏览931

 

当 SerDes 速率继续逼近 200Gbps/lane 甚至更高时,很多团队第一反应还是去盯 DSP、FFE、CTLE 和 COM。

但这篇 DesignCon 2026 论文提醒我们,真正先开始掉队的,往往不是算法,而是封装到板级之间那一串你早就习惯了的物理过渡: C4 bumpBGA ballPCB padPTH VIA、板内走线、连接器,再加上球图朝向与地回流路径。

Amphenol 和 MediaTek 这篇文章最值得看的地方,在于它没有只讲某一个局部优化技巧,而是把问题拆成了三层: 共振、串扰、互连架构。也就是说,它不是在回答“某个结构能不能调好”,而是在回答“传统 package-to-board 还能不能继续撑住下一代 SerDes,如果不够,下一步该往哪里迁移”。

为什么这篇文章值得看

这篇论文的价值,不是又给出一张更漂亮的插损曲线,而是把几个工程上常被分开讨论的问题串到了一起:

  • • package-to-board 过渡为什么会在高频下长出共振缺口
  • • 地平面 cavity mode 为什么会开始主导带宽上限
  • • 差分对在 ball map 里的朝向,为什么会直接改写串扰
  • • Traditional / Near-package / On-package 三种架构到底差多少
  • • 如果转向 on-package,收益是不是只体现在链路损耗上

这也是它和很多“局部结构优化”论文不一样的地方。作者想讲清楚的,不只是哪个设计点更优,而是下一代 200Gbps+ SerDes 到底该怎么重新分配封装、板级和 PHY 的复杂度。

第一个瓶颈:传统 package-to-board 过渡,已经不是“小失配”问题

论文先把问题摆得很直接。

传统 package-with-board 通道里,信号需要连续穿过 C4、封装走线、BGAPCB padPTH VIA 和板内走线。到了高频后,这些结构不再只是几个可被平均化处理的小不连续点,而会形成明显的阻抗台阶、频率相关反射和 cavity resonance。

作者给出的一个典型现象是: 对 1.0 mm 方形 ball grid、参考阻抗 46.25 Ohm 的案例,差分插损在约 53 GHz 附近出现明显下陷,而 TDR 也能看到 PCB trace、BGA ball 和 PTH VIA 位置上的阻抗不连续。

图1  

图1|传统 package-to-board 通道里,信号要连续穿过封装、BGA、PCB pad 和 PTH VIA,这些垂直过渡在 200Gbps+ 下会同时带来反射、共振和串扰问题

这背后的工程含义很重要:

  • • 你已经不能再把 package 和 board 分开各自“做得差不多”
  • • 高频下先暴露出来的,往往不是单纯损耗,而是结构不连续引发的共振和回波
  • • 链路预算里最难控的部分,开始从水平走线转移到垂直过渡

第二个瓶颈:真正限制带宽的,很多时候是地 cavity 的模态

论文第二部分最值钱的地方,是把“为什么会出现那个插损缺口”说清楚了。

作者用 eigenmode 分析去看 PCB 里的 ground cavity。结果显示,在 VIA pitch = 0.95 mm 的条件下:

  • • 方形地过孔阵列的第一、第二模态大约在 49.4 GHz 和 67.2 GHz
  • • 六角阵列对应提升到约 54.5 GHz 和 72.3 GHz

也就是说,六角球图/过孔图并不只是“排布方式不同”,它实际上把 cavity 尺寸缩小了,因此把共振模态整体往更高频推。

图2  

图2|论文用 eigenmode 分析 ground cavity 的模态与电场分布,目的不是解释概念,而是定位真正会限制带宽的共振源

更关键的是,作者没有停在“找到了问题”,而是继续往前做结构修正。

他们采用 HDI 思路,把 ground VIA 从 pad 中心附近移得更靠近 signal VIA,再结合 anti-pad 优化来缩小 cavity。论文给出的判断是,对于 0.95 mm 这样的大球距、大球径封装,经过这种优化后,PKG-to-PCB junction 的可用带宽可以做到 超过 95 GHz

图3  

图3|把 ground VIA 往 signal VIA 方向收紧,并配合 anti-pad 优化后,论文给出的结论是 package-to-PCB junction 带宽可超过 95GHz

这一段特别值得 SIPI 工程师带走,因为它说明:

  • • 真正该优先优化的,未必是再去抠一点铜损
  • • 先把 ground cavity mode 往上推,往往比盲目压材料损耗更有效
  • • 很多“板子一拼上去就突然变差”的问题,本质上是模态被激发了,而不是单纯走线太长

论文还明确提到,抬高这些 PCB cavity resonance 后,局部结构有机会支持到 425Gbps PAM6 所需的带宽区间。但这里要注意,作者讨论的是过渡结构带宽能力,不等于整条系统链路已经完整证明可稳定运行到该水平。

第三个瓶颈:差分对朝向不是细节,它会直接改写串扰分布

很多团队在做 ball map 时,容易把差分对朝向看成“布线方便优先”的机械问题。但这篇论文给出的结论很明确: 到了 200Gbps+,差分对在球图中的方向、邻近 aggressor 的相对角度,以及周围 ground ball 的布置,会直接改写串扰分布。

论文比较了两类拓扑:

  • • 方形 ball grid: 23 种差分对朝向
  • • 六角 ball grid: 17 种差分对朝向

在 50 / 100 / 200 Gbps 多个速率下,作者用 Nyquist 点处的 power-sum crosstalk 和总 ICN 进行比较,并统一采用:

  • • 发射端上升时间约 4.25 ps
  • • 接收端噪声滤波带宽约 58.437 GHz
  • • 差分信号幅度 600 mV

结果很一致:

  • • 六角球图的 PSXtalk 更低
  • • 六角球图的 ICN 更低
  • • 六角球图不同 case 之间的波动更小
  • • 在每对差分对周围增加 ground ball 后,串扰还能进一步下降
图4  

图4|对于 square 与 hexagonal ball grid,论文比较了 Nyquist 点 power-sum crosstalk 和总 ICN,结论是六角球图整体更低、更均匀

这件事的工程意义非常直接。

过去你可能会把“球图朝向”当成 package layout 的后处理问题,但在这篇论文的语境里,它已经变成一个必须前置到架构阶段的 SI 变量。因为一旦进入 200Gbps+,Nyquist 频带附近的耦合会被直接累积成 margin 损失,而不是像过去那样还能靠更宽松的眼图容掉。

最关键的路线选择:继续走传统板级,还是转向 near-package / on-package

如果说前两部分是在解释传统 package-to-board 为什么越来越吃力,那么第四部分就是在回答: 下一步该怎么选架构。

论文比较了三类通道:

  1. 1. Traditional:封装出板,经 BGA + board VIA + 5 inch / 8 inch PCB stripline 后,再到连接器和线缆
  2. 2. Near-package:封装出板后只走 2 inch PCB,再进入 NPC
  3. 3. On-package:不再走板内长线,经过 1.5 inch substrate stripline 后直接进入 CPC
图5  

图5|论文比较了 traditional、near-package 与 on-package 三种互连路径,核心差别在于是否保留板级长走线和多个垂直过渡

这个比较设计得比较工程化。

一方面,作者先用“真实长度组合”直接比较这三条路径的综合表现。另一方面,又专门做了一组“总损耗尽量拉平”的对比,把架构差异和纯损耗差异拆开来看。

这两组对比合在一起,结论才比较完整。

量化结果怎么读:On-package 不只是 COM 高,而是整条通道更干净

先看未做总损耗归一化的结果,也就是更接近真实系统路径的比较。

论文 Table III 给出的关键数字是:

  • • Traditional #1COM 4.06 dBERL 12.98 dBFOM_ILD 0.193 dB
  • • Traditional #2COM -0.008 dBERL 13.16 dBFOM_ILD 0.177 dB
  • • Near-packageCOM 5.15 dBERL 12.72 dBFOM_ILD 0.167 dB
  • • On-packageCOM 7.55 dBERL 22.36 dBFOM_ILD 0.063 dB

如果只看这组结果,on-package 的优势非常明显。它不只是插损更低,更重要的是反射控制和损耗偏差也显著更好。

图6  

图6|在论文的通道比较中,on-package 不只是 COM 最高,ERL 和 FOM_ILD 也明显优于 traditional 与 near-package

但作者没有把故事写得过于简单。他们又进一步把三类通道的总损耗尽量拉到接近一致,再比较一次。这个时候得到的数字是:

  • • TraditionalCOM 4.85 dBERL 12.91 dBFOM_ILD 0.196 dB
  • • Near-packageCOM 5.15 dBERL 12.72 dBFOM_ILD 0.167 dB
  • • On-packageCOM 5.12 dBERL 23.38 dBFOM_ILD 0.031 dB

这组结果特别值得细看。

因为它说明了两件事:

  • • 如果把“总损耗”这个变量先压平,near-package 和 on-package 的 COM 已经非常接近
  • • 但即便在这种条件下,on-package 的 ERL 和 FOM_ILD 仍然明显更优

也就是说,on-package 的价值不只是“路径更短、损耗更低”,而是它把阻抗环境和高频损耗分布一起做得更可控了。这种优势在量产阶段尤其关键,因为 drill、pad、stub 和 true-position 偏差都会优先放大那些本来就比较脆弱的垂直过渡。

一个特别值钱的结论:On-package 还能换回 PHY 复杂度

这篇论文最有产业意味的一部分,在我看来不是 COM 本身,而是作者把 equalization sensitivity 也拉进来了。

他们以 IEEE 802.3dj 的 212.25Gbps PAM4 为基线,逐步减少 FFE 资源,比较三类通道的 COM 变化。结果很有意思:

  • • 默认 FFE (6/8/80) 下,On-package 为 5.12 dB
  • • 去掉 floating tap 后,On-package 仍有 5.06 dB
  • • 去掉 fixed post taps 后,On-package 仍有 5.00 dB
  • • 在 fixed 和 floating post taps 都关闭的最苛刻场景下,On-package 仍有 4.51 dB
  • • 同一场景中,Near-package 和 Traditional 分别降到 3.50 dB 和 3.29 dB
图7  

图7|FFE 资源逐步缩减后,on-package 仍能维持更高 COM,这意味着它有机会换回更低的 PHY 复杂度和功耗

这意味着什么?

意味着 on-package 的收益不只体现在通道端,还会往 SerDes 端反推:

  • • 更少的 FFE tap 需求
  • • 更小的 die area
  • • 更低的功耗
  • • 更低的 PHY 档位压力

从系统角度看,这比“多拿 0.x dB COM”更重要。因为它说明架构迁移有机会同时换回 SI 裕量、芯片面积和系统功耗。

这篇论文最值得记住的几个数字

如果只留最关键的量化信息,我觉得至少有下面这些:

  • • 方形与六角 ground cavity 在 0.95 mm pitch 下的第一模态约为 49.4 GHz vs 54.5 GHz
  • • 第二模态约为 67.2 GHz vs 72.3 GHz
  • • 传统 1.0 mm 方形 ball grid 案例中,插损在约 53 GHz 附近出现明显 resonance dip
  • • 优化 ground VIA 位置与 anti-pad 后,PKG-to-PCB junction 带宽可超过 95 GHz
  • • 架构原始对比里,On-package 的 COM 达到 7.55 dB,而 Traditional #2 几乎掉到 0 dB
  • • 在总损耗拉平后,On-package 的 COM 与 Near-package 接近,但 ERL 仍高达 23.38 dB
  • • 同一组归一化对比里,On-package 的 FOM_ILD 仅 0.031 dB,明显优于 Traditional 的 0.196 dB
  • • 当 fixed 与 floating post taps 都关闭时,On-package 仍保有 4.51 dB COM
图8  

图8|slides 的总结页把全文主线收得很清楚:传统 package-to-board 会同时受到共振、串扰和多重过渡限制,而 on-package 是更可扩展的路径

对 SIPI 工程的启发

如果把这篇论文放回日常工程,我觉得最值得带走的是下面五点。

第一,package 和 board 真的不能再分着看了。
到了 200Gbps+,很多问题不是单点结构不够好,而是多个垂直过渡叠加后一起把带宽掏空。

第二,先找模态,再谈优化。
如果 cavity resonance 已经在目标频带附近被激发,那继续抠材料损耗和线宽细节,很多时候只是“在错的问题上做精细优化”。

第三,ball map 拓扑和差分对朝向必须前置。
这不再是后端 layout 的局部自由度,而是会直接进入串扰与 margin 预算的架构变量。

第四,near-package 是一条现实过渡路线。
它比传统板级好,但还保留了一部分板级灵活性,适合那些还不能一步切到 on-package 的产品。

第五,on-package 的价值不只是低损耗。
更深层的收益在于更高的 ERL、更低的 FOM_ILD,以及对 FFE 资源依赖更低,这些都会回流到芯片复杂度、功耗和量产稳健性上。

写在最后

这篇论文没有把结论写成“传统 package-to-board 已经彻底走不通”,而是更谨慎地给出了一个产业趋势判断:

  • • 传统板级路径还能做,但高频下会越来越受限于共振、反射和串扰
  • • near-package 可以作为阶段性改良方案
  • • 真正更可扩展的方向,是把板级长路径和多重垂直过渡尽量收掉,转向 on-package interconnect

更重要的是,作者没有把 on-package 写成一个只在电气图表里成立的理想方案,而是明确把它和 PHY 复杂度、功耗、die area 以及系统级可扩展性联系了起来。

对今天还在做 112G/224G 的团队来说,这篇论文最值得看的,并不是“明天就该不该上 CPC”,而是它已经提前把下一代 200G+ SerDes 的问题结构画出来了: 先处理模态,再控制串扰,最后重构互连架构。

参考论文

论文来源:Hansel Des mond D’Silva, Boris Bakshan, Samuel Kocsis, Ching-ku Liao, Linda Huang, Tobey Li, Yi-Ting Kuo, Cheng-wei Tsai, Chunwei Chen,DesignCon 2026
论文题目:Advancing Signal Integrity for High-Speed SerDes: From Package-Board Constraints to On-Package Interconnects

 

来源:信号完整性设计
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著作权归作者所有,欢迎分享,未经许可,不得转载
首次发布时间:2026-05-21
最近编辑:3月前
信号完整性设计
硕士 | 资深SIPI工程... 专注高速高频信号完整性
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