200Gbps/lane 甚至更高时,很多团队第一反应还是去盯 DSP、FFE、CTLE 和 COM。但这篇 DesignCon 2026 论文提醒我们,真正先开始掉队的,往往不是算法,而是封装到板级之间那一串你早就习惯了的物理过渡: C4 bump、BGA ball、PCB pad、PTH VIA、板内走线、连接器,再加上球图朝向与地回流路径。
Amphenol 和 MediaTek 这篇文章最值得看的地方,在于它没有只讲某一个局部优化技巧,而是把问题拆成了三层: 共振、串扰、互连架构。也就是说,它不是在回答“某个结构能不能调好”,而是在回答“传统 package-to-board 还能不能继续撑住下一代 SerDes,如果不够,下一步该往哪里迁移”。
这篇论文的价值,不是又给出一张更漂亮的插损曲线,而是把几个工程上常被分开讨论的问题串到了一起:
package-to-board 过渡为什么会在高频下长出共振缺口Traditional / Near-package / On-package 三种架构到底差多少on-package,收益是不是只体现在链路损耗上这也是它和很多“局部结构优化”论文不一样的地方。作者想讲清楚的,不只是哪个设计点更优,而是下一代 200Gbps+ SerDes 到底该怎么重新分配封装、板级和 PHY 的复杂度。
论文先把问题摆得很直接。
传统 package-with-board 通道里,信号需要连续穿过 C4、封装走线、BGA、PCB pad、PTH VIA 和板内走线。到了高频后,这些结构不再只是几个可被平均化处理的小不连续点,而会形成明显的阻抗台阶、频率相关反射和 cavity resonance。
作者给出的一个典型现象是: 对 1.0 mm 方形 ball grid、参考阻抗 46.25 Ohm 的案例,差分插损在约 53 GHz 附近出现明显下陷,而 TDR 也能看到 PCB trace、BGA ball 和 PTH VIA 位置上的阻抗不连续。
图1|传统 package-to-board 通道里,信号要连续穿过封装、BGA、PCB pad 和 PTH VIA,这些垂直过渡在 200Gbps+ 下会同时带来反射、共振和串扰问题
这背后的工程含义很重要:
论文第二部分最值钱的地方,是把“为什么会出现那个插损缺口”说清楚了。
作者用 eigenmode 分析去看 PCB 里的 ground cavity。结果显示,在 VIA pitch = 0.95 mm 的条件下:
49.4 GHz 和 67.2 GHz54.5 GHz 和 72.3 GHz也就是说,六角球图/过孔图并不只是“排布方式不同”,它实际上把 cavity 尺寸缩小了,因此把共振模态整体往更高频推。
图2|论文用 eigenmode 分析 ground cavity 的模态与电场分布,目的不是解释概念,而是定位真正会限制带宽的共振源
更关键的是,作者没有停在“找到了问题”,而是继续往前做结构修正。
他们采用 HDI 思路,把 ground VIA 从 pad 中心附近移得更靠近 signal VIA,再结合 anti-pad 优化来缩小 cavity。论文给出的判断是,对于 0.95 mm 这样的大球距、大球径封装,经过这种优化后,PKG-to-PCB junction 的可用带宽可以做到 超过 95 GHz。
图3|把 ground VIA 往 signal VIA 方向收紧,并配合 anti-pad 优化后,论文给出的结论是 package-to-PCB junction 带宽可超过 95GHz
这一段特别值得 SIPI 工程师带走,因为它说明:
论文还明确提到,抬高这些 PCB cavity resonance 后,局部结构有机会支持到 425Gbps PAM6 所需的带宽区间。但这里要注意,作者讨论的是过渡结构带宽能力,不等于整条系统链路已经完整证明可稳定运行到该水平。
很多团队在做 ball map 时,容易把差分对朝向看成“布线方便优先”的机械问题。但这篇论文给出的结论很明确: 到了 200Gbps+,差分对在球图中的方向、邻近 aggressor 的相对角度,以及周围 ground ball 的布置,会直接改写串扰分布。
论文比较了两类拓扑:
23 种差分对朝向17 种差分对朝向在 50 / 100 / 200 Gbps 多个速率下,作者用 Nyquist 点处的 power-sum crosstalk 和总 ICN 进行比较,并统一采用:
4.25 ps58.437 GHz600 mV结果很一致:
PSXtalk 更低ICN 更低
图4|对于 square 与 hexagonal ball grid,论文比较了 Nyquist 点 power-sum crosstalk 和总 ICN,结论是六角球图整体更低、更均匀
这件事的工程意义非常直接。
过去你可能会把“球图朝向”当成 package layout 的后处理问题,但在这篇论文的语境里,它已经变成一个必须前置到架构阶段的 SI 变量。因为一旦进入 200Gbps+,Nyquist 频带附近的耦合会被直接累积成 margin 损失,而不是像过去那样还能靠更宽松的眼图容掉。
如果说前两部分是在解释传统 package-to-board 为什么越来越吃力,那么第四部分就是在回答: 下一步该怎么选架构。
论文比较了三类通道:
Traditional:封装出板,经 BGA + board VIA + 5 inch / 8 inch PCB stripline 后,再到连接器和线缆Near-package:封装出板后只走 2 inch PCB,再进入 NPCOn-package:不再走板内长线,经过 1.5 inch substrate stripline 后直接进入 CPC
图5|论文比较了 traditional、near-package 与 on-package 三种互连路径,核心差别在于是否保留板级长走线和多个垂直过渡
这个比较设计得比较工程化。
一方面,作者先用“真实长度组合”直接比较这三条路径的综合表现。另一方面,又专门做了一组“总损耗尽量拉平”的对比,把架构差异和纯损耗差异拆开来看。
这两组对比合在一起,结论才比较完整。
先看未做总损耗归一化的结果,也就是更接近真实系统路径的比较。
论文 Table III 给出的关键数字是:
Traditional #1:COM 4.06 dB,ERL 12.98 dB,FOM_ILD 0.193 dBTraditional #2:COM -0.008 dB,ERL 13.16 dB,FOM_ILD 0.177 dBNear-package:COM 5.15 dB,ERL 12.72 dB,FOM_ILD 0.167 dBOn-package:COM 7.55 dB,ERL 22.36 dB,FOM_ILD 0.063 dB如果只看这组结果,on-package 的优势非常明显。它不只是插损更低,更重要的是反射控制和损耗偏差也显著更好。
图6|在论文的通道比较中,on-package 不只是 COM 最高,ERL 和 FOM_ILD 也明显优于 traditional 与 near-package
但作者没有把故事写得过于简单。他们又进一步把三类通道的总损耗尽量拉到接近一致,再比较一次。这个时候得到的数字是:
Traditional:COM 4.85 dB,ERL 12.91 dB,FOM_ILD 0.196 dBNear-package:COM 5.15 dB,ERL 12.72 dB,FOM_ILD 0.167 dBOn-package:COM 5.12 dB,ERL 23.38 dB,FOM_ILD 0.031 dB这组结果特别值得细看。
因为它说明了两件事:
near-package 和 on-package 的 COM 已经非常接近on-package 的 ERL 和 FOM_ILD 仍然明显更优也就是说,on-package 的价值不只是“路径更短、损耗更低”,而是它把阻抗环境和高频损耗分布一起做得更可控了。这种优势在量产阶段尤其关键,因为 drill、pad、stub 和 true-position 偏差都会优先放大那些本来就比较脆弱的垂直过渡。
这篇论文最有产业意味的一部分,在我看来不是 COM 本身,而是作者把 equalization sensitivity 也拉进来了。
他们以 IEEE 802.3dj 的 212.25Gbps PAM4 为基线,逐步减少 FFE 资源,比较三类通道的 COM 变化。结果很有意思:
FFE (6/8/80) 下,On-package 为 5.12 dBOn-package 仍有 5.06 dBOn-package 仍有 5.00 dBOn-package 仍有 4.51 dBNear-package 和 Traditional 分别降到 3.50 dB 和 3.29 dB
图7|FFE 资源逐步缩减后,on-package 仍能维持更高 COM,这意味着它有机会换回更低的 PHY 复杂度和功耗
这意味着什么?
意味着 on-package 的收益不只体现在通道端,还会往 SerDes 端反推:
从系统角度看,这比“多拿 0.x dB COM”更重要。因为它说明架构迁移有机会同时换回 SI 裕量、芯片面积和系统功耗。
如果只留最关键的量化信息,我觉得至少有下面这些:
0.95 mm pitch 下的第一模态约为 49.4 GHz vs 54.5 GHz67.2 GHz vs 72.3 GHz1.0 mm 方形 ball grid 案例中,插损在约 53 GHz 附近出现明显 resonance dipPKG-to-PCB junction 带宽可超过 95 GHzOn-package 的 COM 达到 7.55 dB,而 Traditional #2 几乎掉到 0 dBOn-package 的 COM 与 Near-package 接近,但 ERL 仍高达 23.38 dBOn-package 的 FOM_ILD 仅 0.031 dB,明显优于 Traditional 的 0.196 dBOn-package 仍保有 4.51 dB COM
图8|slides 的总结页把全文主线收得很清楚:传统 package-to-board 会同时受到共振、串扰和多重过渡限制,而 on-package 是更可扩展的路径
如果把这篇论文放回日常工程,我觉得最值得带走的是下面五点。
第一,package 和 board 真的不能再分着看了。
到了 200Gbps+,很多问题不是单点结构不够好,而是多个垂直过渡叠加后一起把带宽掏空。
第二,先找模态,再谈优化。
如果 cavity resonance 已经在目标频带附近被激发,那继续抠材料损耗和线宽细节,很多时候只是“在错的问题上做精细优化”。
第三,ball map 拓扑和差分对朝向必须前置。
这不再是后端 layout 的局部自由度,而是会直接进入串扰与 margin 预算的架构变量。
第四,near-package 是一条现实过渡路线。
它比传统板级好,但还保留了一部分板级灵活性,适合那些还不能一步切到 on-package 的产品。
第五,on-package 的价值不只是低损耗。
更深层的收益在于更高的 ERL、更低的 FOM_ILD,以及对 FFE 资源依赖更低,这些都会回流到芯片复杂度、功耗和量产稳健性上。
这篇论文没有把结论写成“传统 package-to-board 已经彻底走不通”,而是更谨慎地给出了一个产业趋势判断:
near-package 可以作为阶段性改良方案on-package interconnect更重要的是,作者没有把 on-package 写成一个只在电气图表里成立的理想方案,而是明确把它和 PHY 复杂度、功耗、die area 以及系统级可扩展性联系了起来。
对今天还在做 112G/224G 的团队来说,这篇论文最值得看的,并不是“明天就该不该上 CPC”,而是它已经提前把下一代 200G+ SerDes 的问题结构画出来了: 先处理模态,再控制串扰,最后重构互连架构。
论文来源:Hansel Des mond D’Silva, Boris Bakshan, Samuel Kocsis, Ching-ku Liao, Linda Huang, Tobey Li, Yi-Ting Kuo, Cheng-wei Tsai, Chunwei Chen,DesignCon 2026
论文题目:Advancing Signal Integrity for High-Speed SerDes: From Package-Board Constraints to On-Package Interconnects