必收藏干货！NMOS背靠背使用全解析，硬件人直接抄作业
成长的过程就是慢慢的变成不想解释，不想解释，不想解释，只想做。
本期我主要分享关于MOS管的背靠背使用方法，具体分为PMOS和NMOS。
主要内容包括四个部分，如果大家觉得内容写得对自己有用，那么还希望大家不要吝惜自己的一键三连，有钱捧个钱场，没钱捧个人场
。
1、MOS管基础知识回顾；
2、PMOS背靠背使用原理分析；
3、NMOS背靠背使用原理分析；
4、为什么MOS管要背靠背两个一起用？一个不行吗？
一、MOS管基础知识回顾
图 1 MOS分类及符号
图 2 MOS管体二极管
1.3、MOS管如何导通？
N沟道：UG>US时导通。（简单认为）UG=US时截止；
P沟道：UG<US时导通，（简单认为）UG=US时截止；
二、PMOS的背靠背连接
之前有分享过PMOS背靠背的使用方法和基本原理，如下图3所示，这个电路在电源管理、充电控制等很多应用中都可以见到，但是应该不少小伙伴还不清楚这是干啥用的？也不清楚为什么要用两个PMOS实现通断？今天我们简单聊聊。
图 3 PMOS的背靠背连接
三、NMOS的背靠背连接
图 4 NMOS的背靠背连接
当A点电压为高时，因为Q3体二极管的原因，有如下图5所示通路，此时Q3的栅源电压>0且大于NMOS的阈值电压，所以Q3导通，Q3导通之后，将Q2的源极拉低，从而Q2的栅源电压>0且大于NMOS的阈值电压。所以Q2也导通，这就是NMOS背靠背时的导通过程，主要也是利用其体二极管与控制信号构成的临时回路将下管打开，然后再将上管打开。
图 5 高电平时控制回路
当A点电压为低时，Q2，Q3均不导通，也不构成任何回路，因此，无法打开。
四、为什么MOS管要背靠背两个一起用？一个不行吗？
5V_EN为低时，三极管Q5截止，PMOS的栅源之间压差为0，Q3截止，主回路（VDD_5V->Q3->VDD_SYS_5V）截止，电路无输出。
5V_EN为高时，三极管Q5导通，PMOS的栅源之间压差小于0且小于PMOS导通阈值电压，Q3导通，主回路（VDD_5V->Q3->VDD_SYS_5V）形成通路。
图 7 单个MOS的控制电路
使用单个MOS控制时，存在MOS管关闭，输出电压通过体二极管回流到输入的情况，而使用两个PMOS背靠背连接，当2个MOS管关闭时，它们可以阻断两个方向电流的流通。
图 8 双MOS管反向电流保护
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