专利解读：一种用于单波224G单端驱动EML的高频封装方案

该高频封装的具体结构如下图所示，图中各关键组成部分的名称已用红色字体进行标注，设计要点如下：

• EML driver采用外置 Bias-T设计

• EML chip采用了“Bias-T free”设计

• EA的匹配为双RC匹配网络

• PCB和COC的之间采用了双层GSG打线，且COC上的打线pad采用了“Pi”型(π型)匹配

• 小的转接RF sub采用了侧面镀金，没有GND过孔

为更直观地展示上图对应的信号路径与关键组件，下图提供了该封装结构的简化版原理图。