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新能源构网控制技术研究

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来源:电力电子技术与新能源
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首次发布时间:2025-09-07
最近编辑:2小时前
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高压MOSFET/IGBT栅极驱动设计

增加了两个退耦电容,开关节点的负电压幅度显著降低。功率地与控制地之间增加一个适当的小电阻进行分开。 降低从功率MOS管的源极到驱动器COM端的寄生电感; 在VDD和GND之间添加高频陶瓷电容说明:本文来源网络;文中观点仅供分享交流,不代表本公 众号立场,转载请注明出处,如涉及版权等问题,请您告知,我们将及时处理。来源:电力电子技术与新能源

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