硅钢片对高压线束静磁场磁路的影响，CST低频工作室告诉你答案
大家好,我是CST电磁兼容性仿真。这是我的第168篇原创文章。为避免错过干货知识,欢迎关注公 众号，共同学习，共同进步！前言
最近一段时间小编做了一些高压线束静电场的仿真案例，有些收获，这个仿真说实话也不难，用CST低频工作室仿真就行，静电场计算也不复杂，仿真速度也很快。那么，今天我们来一起用CST仿真下硅钢片对高压线束静磁场磁路的影响。硅钢片对静磁场磁路的影响
硅钢片相对磁导率很高（数千量级）。在永磁体磁路中，硅钢片降低磁路磁阻，使永磁体工作点向更高磁通、更低磁动势方向移动，从而提高气隙磁通。
总之一句话，硅钢片以高磁导率降低磁阻、集中和引导磁通；但受饱和非线性限制；叠片在静磁场中不靠抑制涡流起作用，而主要通过填充系数、片间绝缘和方向性影响有效磁阻；磁各向异性、接缝、剩磁、磁滞和加工应力会改变静态工作点。
CST静磁场仿真
恰好你有一段高压线束，仿真静磁场不需要考虑线束屏蔽。高压线束通的五百多安培的电流。如图所示仿真结果展示
从仿真图中可以看到磁路分布，磁感线从距离硅钢片最近的位置入射，通过硅钢片提供的地磁阻路径传导，并从进入射点对侧穿出，为什么从对侧穿出，因为只有对侧位置到入射点的两边磁路磁阻是一样的。磁感线会自己找到这个平衡位置。可以很显然看出，磁感线穿出位置磁场强度较高，如果你在该区域放置敏感芯片，那么芯片很容易受到这个磁场干扰。从图中可以很清晰地看到左边芯片上的磁场强度要大不少。仿真结果显示，左边磁场强度是280A/m，右边是136A/m，左边芯片的磁场强度超过右边芯片一倍。最后总结
本文通过CST低频工作室仿真硅钢片对静磁场磁路影响。得出结论硅钢片会引导高压线束静磁场磁通并在穿出侧形成强磁场集中，同侧布置的敏感芯片将承受更高的磁场干扰。
