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PCB罗氏线圈要加上下屏蔽层?CST仿真罗氏线圈屏蔽层对交变电场的屏蔽效能

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上周我们讲了《CST仿真详解静电场对PCB罗氏线圈有无上下屏蔽层的影响》,今天看看PCB罗氏线圈上下屏蔽层对交变电场的影响。本文通过CST仿真详解PCB罗氏线圈上下屏蔽层对交变电场的抗干扰能力,同时仿真一下屏蔽效能。
 

屏蔽层的原理和作用  

PCB罗氏线圈屏蔽层的原理是利用高电导率材料形成良好的接地,使屏蔽层成为一个等电位体,将外部电场终止于屏蔽层,从而保护内部电路。其中关键的是接地,对屏蔽体是否完全封闭要求不高。

PCB罗氏线圈屏蔽层的作用是屏蔽层作为接地的导电屏障,通过为干扰电荷提供低阻抗的泄放路径,来抑制电磁干扰(EMI)。对于PCB罗氏线圈而言,其屏蔽层主要用于抵御来自外部快速变化的电场。

仿真建模

在距离罗氏线圈平面100mm处建立一个单极子天线,如图,激励一个电压源。
罗氏线圈内部线圈中心位置添加电场探头,仿真频宽0.0001~10MHz。如图所示:

仿真结果

仿真结果如下图,PCB罗氏线圈有无上下屏蔽层,线圈内部电场探头接收到的电场强度对比,绿色曲线是无屏蔽的电场强度,红色是有屏蔽时的电场强度。单位dBuV/m。
本文PCB罗氏线圈屏蔽效能曲线是这样的,如图所示:Y轴单位dB,X轴是频率(MHz)。
从结果看很明显,PCB罗氏线圈有上下屏蔽层对交变电场的抗干扰能力很显著。
下图是0.1MHz下单极子天线激励的电场到罗氏线圈的整个过程,动图暂时。

最后总结

本文基于CST仿真PCB罗氏线圈上下屏蔽层对交变电场的抗干扰能力。PCB罗氏线圈增加上下屏蔽层后,对交变电场的抗干扰能力显著提升。其原理是屏蔽层采用高电导率材料并良好接地,形成等电位体,将外部电场终止于屏蔽层,同时为干扰电荷提供低阻抗泄放路径,从而抑制电磁干扰。文章说明,屏蔽层的关键在于“接地”,对屏蔽体是否完全封闭要求不高。总体而言,仿真验证了上下屏蔽层对PCB罗氏线圈抵御外部交变电场干扰具有明显效果。

来源:CST电磁兼容性仿真
电路电磁兼容电场CST材料
著作权归作者所有,欢迎分享,未经许可,不得转载
首次发布时间:2026-11-02
最近编辑:22分钟前
CST电磁兼容性仿真
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