Fu P.-H. et al. | Optics Express 2016, 24(26), 30547 | COMSOL-FEM + 遗传算法
定向耦合器是光子集成回路(PIC)中最基础的器件之一,广泛用于光开关、滤波器和功率监测。传统平行波导定向耦合器的耦合系数κ对波长高度敏感,工作带宽极窄。台湾大学研究团队提出一种广义设计思路:把整个耦合器沿传播方向分割成34个短节段,把每一节的传播常数β与耦合系数κ都当作优化变量,用遗传算法(GA)自动寻优,从而在SOI平台上实现任意分光比、C+L波段(1530~1630nm)宽带工作的耦合器。本文重点复现其COMSOL有限元仿真建模与验证流程。
常规做法是用耦合模理论(CMT)重叠积分算κ,但对强约束、强耦合的硅波导误差较大。论文采用**COMSOL Multiphysics有限元法(FEM)**求解单波导与耦合波导的本征值问题,直接得到β0、β1、κ与ψ,κ精度显著优于重叠积分。仿真设置:SOI条波导高度h=320nm、宽度w=320nm,耦合间距G=300nm;考虑Si与SiO₂在1500~1660nm的材料色散。图2给出了COMSOL输出的准TM模场分布——单波导基模、偶超模与奇超模,由超模理论ψ=(βe−βo)/2确定耦合强度。
在此基础上,用COMSOL批量计算构建查找表:变量范围λ=1530~1630nm、w0与w1=280~360nm、G=150nm~1µm。图3(a)表明Δβ随宽度w0增大呈二次增长、几乎不随波长变化,即Δβ(λ,w)≈Δβ(w);图3(b)表明κ随间距G增大呈指数衰减、并随波长增大而增大。有了这两张查找表,优化过程中CMT光谱计算只需查表插值,不需要重复剖分网格,大大缩短遗传算法的求解时间。
器件总长L=34µm,分割为34个梯形节段(Δz=1µm),每段再细分为10个小矩形(Δz′=0.1µm)。优化变量为G_i∈[0.15µm,1µm]、w0,i∈[280nm,360nm],相邻节段宽度变化限制≤10nm、间距偏转角≤2.5°,以保证CMT精度。适应度函数F50/50=Σ(P0(λl)−0.5)²,λl=1530+10l nm(l=0~10);种群300、轮盘赌选择、交叉率0.6、附加变异算子。为避免陷入局部最优,先用简化模型(κ=p·z+q·R1(z),Δβ=r·(R2(z)−0.5))生成合理初始种群,再进入完整优化。350代后F50/50降至1.4×10⁻⁴(图4)。
优化结果(图5):50/50耦合器在1530~1630nm内P0=49.57%~50.81%,功率偏差±0.070dB、±1%带宽超100nm,约为传统耦合器的30倍。同样的方法成功设计了75/25、25/75、0/100耦合器,±2%带宽均超100nm;扩展到200nm带宽设计(±0.352dB)与准TE模式(h=320nm/w=320nm:±0.055dB;h=220nm/w=350nm:±0.222dB),证明方法对任意分光比、偏振与几何参数通用。
为验证CMT优化结果的可靠性,论文用全矢量BEM(束包络法,类似FEBPM)与**COMSOL 2D-FEM**做交叉验证:真实3D有限元计算量大,采用自研等效方法构建2D结构(与商用软件常用方法一致)。图6为BEM仿真的1530/1580/1630nm功率分布场,耦合区能量交换充分、输出端功率均衡。图7显示CMT与BEM在1530~1630nm差异<1%、1500~1660nm差异<2%,FEM结果与CMT同样吻合良好;BEM/FEM总输出功率99.2%~99.7%(CMT归一化为1)。计算耗时对比(λ=1580nm):BEM约495s、FEM约245s、CMT仅0.006s——因此用CMT做优化、COMSOL-FEM做最终验证是最高效的组合。工艺容差分析显示Δw对Δβ影响小、对κ几乎无影响,间距减小与光约束增强两种机制相互补偿,容差良好。