选择低噪声拓扑:
Buck(降压)、Boost(升压)、Buck-Boost:常用但需优化布局。
LLC 谐振、同步整流:EMI 特性更好,适合高频应用。
开关频率选择:
避免敏感频段(如 150kHz-30MHz 传导测试范围)。
高频(如 500kHz-2MHz)可减小无源元件尺寸,但可能增加开关损耗和辐射噪声。
X 电容(差模滤波):跨接在 L-N 线之间,滤除高频噪声(如 0.1μF-1μF)。
Y 电容(共模滤波):连接 L/N 对地(如 1nF-10nF),抑制共模噪声(需注意漏电流限制)。
共模电感(CMC):抑制高频共模电流(如 1mH-10mH)。
π 型滤波(LC 或 RC 组合)进一步衰减高频噪声。
LC 滤波(如 10μH 电感 + 100μF 低 ESR 电容)降低输出纹波。
铁氧体磁珠 用于高频噪声抑制(如 100MHz@600Ω)。
关键原则:
最小化高频环路面积(如开关管-电感-输入电容回路)。
地平面完整性,避免地弹(Ground Bounce)。
敏感信号(如反馈)远离噪声源(开关节点、电感)。
具体措施:
开关管(MOSFET)、二极管靠近电感,缩短高 di/dt 路径。
多层板设计(至少 4 层),提供完整地平面。
避免锐角走线,减少高频辐射。
散热与 EMI 平衡:大电流路径加宽铜箔,但避免形成天线结构。
RC Snubber 用于抑制开关管(MOSFET/二极管)的电压尖峰和振铃:
典型值:R=10Ω-100Ω,C=100pF-1nF(需实测调整)。
TVS 二极管 用于瞬态电压保护(如 ESD、浪涌)。
降低漏感:
采用 三明治绕法(初级-次级-初级)。
使用 铜箔屏蔽层 减少共模噪声。
磁芯选择:
高频应用选用 铁氧体(如 Ferrite),避免饱和。
单点接地(Star Ground):适用于低频模拟电路。
多点接地:适用于高频开关电源(降低地阻抗)。
分割地平面(如 PGND-AGND)但需谨慎,避免地环路。
金属屏蔽罩:用于高频辐射抑制(如 Buck 转换器的电感)。
散热片接地:避免成为辐射天线。
预合规测试:
传导 EMI(CISPR 32):检查 150kHz-30MHz。
辐射 EMI(30MHz-1GHz):近场探头定位噪声源。
常见整改措施:
增加 滤波电容 或 共模电感。
优化 Snubber 参数 或 PCB 走线。
| 项目 | 关键措施 |
|---|---|
| 拓扑选择 | |
| 输入滤波 | |
| PCB 布局 | |
| 缓冲电路 | |
| 变压器/电感 | |
| 接地策略 | |
| 测试整改 |
通过合理设计,DC/DC 开关电源可同时满足 高效率 和 低 EMI 要求,确保通过 FCC、CE、CISPR 等 EMC 认证。