AutoDefect点缺陷计算专项模块V1.2版本升级

min_length=9      

# 可选设置最小晶格长度，默认10 A

num_atoms=64 300  

# 可选设置，最小/最大原子数，默认64-300

doping=T

doping_type=substitute

doping_atom=C     

# 选择替位C

sub_init_atom=N     

# 只替换N元素，默认遍历结构中所有的Ga和N

## 上述参数用于产生C替位N缺陷 ##

complex =T         

# 是否产生复合缺陷

complex_type= substitute  

# 以替位N作为基础结构添加缺陷

complex_vac_atom=Ga     

# 设置Ga空位缺陷

defect_radius=3     

# 在C替位C为中心，3埃为半径的球内搜索不等价复合缺陷

nonrate_type=2          

# 1：基于缺陷声子谱的多声子静态耦合方法 2：用一维声子模型方法

defect_name= 0_C_N

# 载流子复合发生的缺陷名称

recomb_charge = -1 0    

# 载流子复合发生的初态和末态的价态

recomb_band = 429 432   

# 载流子复合发生的能带

radiactive = F           

# 是否计算辐射复合，默认T

g_factor=4              

# 末态的简并因⼦

ground=0              

# 用于指定基态计算有效声子频率和电声耦合系数，默认为0

spin_channel = 2        

# 复合发生的自旋通道，1/2表示无自旋或自旋向上/向下

temperature = 100 800  

# 非辐射复合发生的温度

effectivemas=0.27 0.8     

# 电子/空穴有效质量

## 其它可选参数 ##

# trans_level=0.79      

# 可选参数，用于指定缺陷转变能级，默认从形成能计算结果中读取

# ep_ph       

# 可选参数，⽤于指定电声耦合强度，默认单位eV/(amu^1/2 Å)

# dQ_disp= -0.5 -0.4 -0.3 -0.2 -0.1 0 0.1 0.2 0.3 0.4 0.5   

# ep_disp= -0.164 -0.11 0 0.11 0.164  

# dQ_disp和ep_disp为初态到末态结构进行线性插值的比例。分别用于计算一维声子和电声耦合强度