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从S域解析电容是如何通高频阻低频的?

11月前浏览359

在硬件电路设计中,我们经常会使用到电容。初学电容时,老师会教我们电容具有“通交流,阻直流;通高频,阻低频”的特性。今天我们尝试从S域聊一下这个特性。

   

一道问题



   

   

照例,先抛出来一道问题:从S域解析电容是如何通高频阻低频的?

电容通高频阻低频的特性,各位同学都很清楚,现在换一个维度来看看是怎样的。

   

搭建测试环境


   

   

搭建一个简单的测试电路,使用矢量网络分析仪(VNA)作为测试电路的信号源VG1,VF1接在VNA的port1(发送端),VF2接在VNA的port2(接收端),电容C1 0.1uf串联在信号源VG1的输出端,电路如下图所示。

实际测试环境如下图所示:


   

解析S曲线



   

   

通过VNA,我们获取到如下4条曲线,左上角为斯密史圆图,右上角为回波损耗S11,左下角为S21的极坐标图,右下角为插入损耗S21。


这里先说下插入损耗(Insertion Loss)S21。插入损耗是指在信号传输过程中,由于元件或器件的插入而导致的功率损失。在网上找到如下图示,比较直观。


S21数值,越接近于0dB,说明输出信号的幅值越接近输入信号的幅值,传输过程的损耗越小。理想状态就是等于0dB,Vtrans=Vinc,没有损耗。相反,S21数值负的越多,说明信号损耗越大。再回到上面得出的S21曲线。



在Mark1位置,读出来S21的增益幅度为-0.427dB;在Mark2位置,读出来的S21增益幅度为-6.475dB,相差了6dB,也就是2倍的关系。进一步往左看,S21增益幅度在50kHz时大约为-11dB。这样可以看出,越是低频,S21数值负的越多,呈现为一个高通滤波器的趋势,也就是前面所说的,通高频,阻低频。


上图为S11曲线,S11正好和S21相反,越接近于0dB,说明大部分信号被反射回来;越远离0dB,说明信号被反射回来的越少。如此,我们看到在Mark1位置S11=-24.266dB,而在Mark2位置S11=-1.776dB,相差很多。再往低频延伸,S11接近于0dB,说明传向电容的信号绝大部分都被反射回来,这里也印证了电容通高频阻低频的特性。

另外两幅图:斯密史圆图和极坐标图,今天在这里就不做介绍。感兴趣的同学可以自行研究下。

   

总  结



   

   

先聊到这里,梳理下今天讨论的内容:

通过对S域曲线S21/S11的解读,来解析电容的通高频阻低频的特性。


怎么样?一个简短的问题,给出的回答可浅可深,就看你对这个知识点的理解达到怎样的程度。你学废了么?


来源:硬件微讲堂
电路
著作权归作者所有,欢迎分享,未经许可,不得转载
首次发布时间:2025-09-24
最近编辑:11月前
硬件微讲堂
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