解决问题是一种重要的能力—功放烧毁分析
拿到一个问题该从何处着手？
功放击穿问题怎么定位？EMC过不了怎么搞？
功放烧毁怎么解决？很多人都能分析出一些原因
1.负载失配（高VSWR）：
最常见的原因之一。天线开路、短路、严重失配（如VSWR > 3:1）。
当负载阻抗严重偏离功放设计的最佳负载阻抗时，输出功率无法有效辐射出去。
大量能量被反射回功放的输出端。
2.过驱动（输入过大）：
输入信号功率超过功放设计允许的最大输入功率。
3.供电异常：
过压：电源电压瞬间飙升超过器件的最大额定电压(Vds_max, Vceo)。
过流：电源突发提供远超设计值的电流（可能由短路等故障引起）。
4.散热不足：
散热器设计不良（热阻过大）。
导热硅脂失效或涂抹不均匀。
风扇停转或风道堵塞。
5.自激振荡：
功放电路设计或布局不当产生负阻，在某些频率点满足振荡条件。
6.器件制造缺陷或老化失效：
内部存在薄弱点（如微裂纹、键合不良、掺杂不均匀）。
长期使用导致的金属迁移、热疲劳等。
上面这些都是常见的原因和现象，但是有没有人去关注根本的原因是什么？在《模拟电路》的章节中有一节提到了放大器烧毁的根本原因。
功放（功率放大器）烧毁的根本原因可以归结为能量转换失衡与热失控导致的半导体结温超过物理极限。
功放的本质是将直流电源提供的能量转换成特定频率的射频信号能量。
这个转换过程永远不是100%高效的。耗散功率是必然存在的副产品：
P_diss = P_dc - P_rf_out
其中 P_dc 是电源输入的直流功率，P_rf_out 是输出的有用射频功率。
这些耗散掉的功率（P_diss）最终主要以热能 的形式在功放的半导体器件（晶体管）内部产生。
半导体材料的一个重要特性是其电导率（或载流子迁移率）通常随温度升高而降低
当局部温度升高导致该区域导电性变差（电阻增大）时，根据 P = I^2 * R，在相同电流下，该区域的功耗会进一步增大 。
功耗增大又导致该区域温度继续升高 。
这就形成了一个正反馈循环 ：温度↑ → 电阻↑ → 功耗↑ → 温度↑↑ → 电阻↑↑ → 功耗↑↑ → …
所以从根本上来讲，是热量超过了功放能承受的热量。所以解决这个问题也都是围绕这个去展开，比如说一个LNA各个环节（匹配、输入信号大小、供电）都没有问题，可还是烧毁了，就可以去从散热的角度出发考虑。
又比如说功放和天线的匹配，功放单测没有问题，天线单测也没有问题，但是还是出现了功放烧毁的问题。原因可能是瞬间的失配造成了热量的积累导致超过了功放能承受的耗散功率。
前期的评估极限温度就显出了重要性。
总结，射频从当下来说，集成度越来越高，可做的工作可能也越来越少，但是透过现象去解决问题并不是每个人都具备。
