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IEC61000-4-2 ESD测试标准解读及其案例分享

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大家好,我是EE小新。


今天通过查阅资料,整理了一些关于ESD的资料,和大家分享。

ESD的测试标准解析


ESD静电放电测试通常根据IEC 61000-4-2进行。这个测试是确定外部的静电放电或由ESD产生的感应场、二次放电,是否会对产品产生影响。可能放电部位包括任何可接触的控制件、电缆连接器或其他可接触的金属件。


放电电压为±4KV、±8KV或±15KV,具体数值取决于产品的使用环境或实际使用。对于这种测试,几类性能判据可能是可接受的。性能判据的分类参考ESD标准IEC 61000-4-2,但受试产品的数据丢失、系统的重新启动或损坏通常认为是测试不合格。


在通常的测试中,ESD施加在EUT的不同点上,同时观察其性能是否发生变化。仅有导体会发生ESD,而对绝缘体或抗静电材料则不会。如果存在裸 露的金属,那么对此金属进行放电就会产生ESD。如果不能阻止ESD电流瞬态,那么就必须控制放电电流的路径。


如果能搞清楚放电电流的路径并对其进行改变,是一种更实际的解决办法。如果已知ESD电流的注入点,那么确定电流离开产品的最可能的点将是很有帮助的。由于涉及高频高达1GHz,放电电流的一些路径可能是通过电容而不是沿着导线。


在进行ESD电流的可能路径时,我们可以认为通过高频时-电容是短路的,导线是开路的,这样可以对电路的电流路径进行简化分析。


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▲ 常见的ESD脉冲进入信号连接器的接地外壳 示意图



如图所示,常见的ESD进入点为I/O及信号连接器的外壳,比如USB、以太网或串口。除非这些连接器的外壳与产品的屏蔽壳体进行了很好的搭接,否则ESD电流将直接进入到PCB上,从而使电路受到干扰或损坏。


对于一些低成本的产品,由于没有使用成本较高的屏蔽壳体,因此也会产生问题。在这种情况下,一个好的办法是增加金属转移平面,这就将电流转移到电源的安全地回路或通过对地电容泄放到大地,再让电流路径返回其源端。


2 ESD静电放电的故障原因分析


在大多数情况下,各项试验的检测和诊断方式大同小异比如辐射发射。对于高频特性的ESD,这是因为从产品向外辐射的天线振子,比如电缆和外壳缝隙也能作为接收天线,将ESD产生的场传入产品,潜在地引起干扰,甚至使系统重启。


此外,如果I/O连接器没有与金属壳体进行好的搭接,由于电流尽力返回到产生它的源端。因此ESD电流能直接进入EUT,从而使电路受到干扰或损坏:


01、I/O连接器外壳和产品壳体之间的高阻抗搭接。


02、电缆屏蔽层和外壳或屏蔽壳体的搭接不好。


03、屏蔽面板与外壳或壳体之间的搭接不好。


04、显示屏LED/LCD存在大的缝隙。


05、I/O电缆或电源线电缆上的滤波不充分或瞬态保护器件使用不当。


06、关键电路处射频旁路不足,比如CPU的复位信号线。


因此,可以建立如下的等效电路工作模型:


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▲ 等效电路工作模型


注意点:ESD能量从产品外壳泄放的过程中会形成静电场干扰,既有传导的路径还有辐射的路径;也因此会出现产品的失效情况。


3 常见的失效模式


ESD静电放电通常产生的问题如下:


01、系统重启


02、模拟或数字电路出现故障


03、显示屏上出现错误的数据及显示屏显示异常


04、数据丢失


05、数据传输停止、变慢或中断


06、高误码率


07、产品的状态发生改变


08、电路受到故障


4 故障诊断及优化方法


01、确保其与金属壳体进行了好的搭接。


02、检查可能会在连接器外壳和产品外壳之间产生阻抗的涂层或喷涂。


03、确保连接器的外壳都是紧固的,各组件之间具有低阻抗的路径。


04、确保产品外壳与保护地或ESD发生器的返回路径进行了正确的连接。



如果怀疑是电缆把ESD电流耦合给了产品及电路,这时推荐的故障诊断方法:


  • 尽可能在接近产品连接器的电缆上加装铁氧体共模扼流圈。

  • 在任何可疑的输入或输出端口处设计简单的低通RC滤波器,串联电阻的典型值为47~100Ω,与信号或电源返回路径之间的典型电容值为1~10nF。

  • I/O接口线上设计共模扼流圈。

  • 数据线上设计TVS器件。TVS设计注意其选型设计规则和方法。

  • 确保所有的壳体紧固件都是紧固的。

  • 可使用铜带密封可疑的缝隙。

  • 在泄漏缝隙和内部电路电子元器件之间增加附加的隔离。

  • 在泄漏缝隙和内部电路之间增加内部屏蔽体,并将其与外壳地进行直接连接。


如果ESD通过键盘和按键进入,这时推荐的方法:

  • 在按键和键盘的PCB之间增加内部屏蔽体并将其与外壳地进行直接连接。

  • 在结构上设计的ESD静电放电的防护处理如下图所示。


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▲ 按键在结构上的ESD设计示意图


5  典型的解决方法


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▲ ESD故障示意图



串联设计比如铁氧体磁珠、共模扼流圈和小阻值的串联电阻器。可用于阻止或减小电流脉冲。


并联设计:比如电容器件、反偏的二极管、火花隙或气体放电装置,当跨接在数据线上时,可将大部分的ESD电流转移至外壳平面或安全地。


对于高速数据线,可以使用的两种最佳技术为陶瓷ESD装置和硅ESD装置。陶瓷防护装置的电容值非常小,大约为0.05pF、耐压非常高且寿命长。


对于8KV的ESD脉冲,他们可将峰值电压限制到300V,钳位电压为40V。硅ESD装置的电容值稍大点,为0.25pF。其优点是具有非常快的开通时间,可将峰值电压限制在50V以内,钳位电压为8~10V。


对于没有金属壳体的产品或EUT,ESD抗扰度的设计值得关注。其设计方法:可以在会导致任何元器件出现敏感ESD电流路径上增加串联阻抗,以及在想让ESD电流离开产品的位置处增加低阻抗的转移路径。


通过软件设计也可能使产品对ESD产生固有的抗扰度:


01、不要使用无限的“等待”状态。


02、在适当的情况下,使用“看门狗”程序让EUT重启。


03、使用校验位、校验或纠错码,以防止存储损坏数据。


04、一定要确保所有的输入为锁存的和选通的;不能为浮点的。



6  电路的设计采用堵和导的方法


01、MCU控制芯片的电源和地的滤波设计


02、接口电路的电源滤波及信号电路的R,C滤波


03、驱动器I/O发送和接收端的电阻R,阻容RC的反射及串扰控制


04、PCB的信号回流和电源与地回流面积的控制;


7 PCB的ESD防护设计技巧


01、把干扰泄放到大地或者对地阻抗最小的点上;


02、减小干扰进入PCB内部电路的能量;


03、增加被 干扰电路的高频阻抗;


04、对敏感的器件或电路进行防护;


05、加强绝缘击穿距离;


注意:当静电放电ESD干扰信号通过耦合方式到达电路板内部的时候,如下图所示:


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注意:PCB的设计地走线,地回路,接地点的位置设计也是解决抗扰度ESD设计最关键的设计方法与思路。



下面通过几个实例来和大家一起分享下。


1. 某智能手表在侧键附近打ESD后出现反复开关机现象  

根据反复重启的时间判断,类似于长按Power键。检查Power_On信号,发现已经被持续拉低,Power_On信号的原理图如下:
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为了降成本,位置1并没有贴TVS管,而是用一个电容代替,电容的耐压值是25V。失效的机器,这个电容已经短路,可以判断ESD进入壳体,直接打坏了位置1的电容。
如果把位置1的电容耐压提高到50V,能抗的ESD枪数量会增多,但最终还是会坏。这个项目不是防水的,密封性做得很差,所以才有问题。

【解决方法】
把位置1的电容换成TVS管,或者位置1不要贴任何东西,在位置2放一个1nF的电容。靠1K电阻+1nF电容来吸收ESD能量。

另外,在侧键的FPC附近,增加了GND露铜区域,引导ESD先进入GND。这也是一种低成本的解决方法,如果ESD能量足够大,实测几乎可以把1K电阻打坏。

2. 某智能手表在USB接口外壳打ESD造成黑屏死机问题  

充电口是Micro-B型USB接口,接触放电±10KV,会出现黑屏,死机,闪屏等现象。
抓死机Log,没有发现什么端倪。
将USB信号逐个引出,VBUS,D+,D-都没有出现问题,打ID管脚,会出现类似现象。打GND,会很低概率出现类似现象。遂将问题定位到ID管脚,和GND上。
仔细检查USB接口附件的Layout,问题如下:
1、USB_ID管脚是悬空的。
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2、在L3和L6层,靠近USB接口,有与屏相关的敏感信号。

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悬空的ID管脚是知名威胁,静电积累到一定程度,肯定会对周围放电,二次放电的威力更大。
USB周围的有敏感信号,在打ESD时,附近的GND电平瞬间局部抬高,尤其是看到USB接口的屏蔽壳跟表层相连,周围没有非常多的过孔打到内层GND,这更加重了GND局部电平的提高,这会干扰到这些敏感信号,导致死机,黑屏,闪屏问题。

【解决方法】
USB的固定PIN以及GND PIN,只接主GND,不要每一层都接GND。MIPI,LCD_TE,LCD_RST远离USB接口。

3. 某智能手表屏幕朝下,打后壳会黑屏  

这是一个SPI接口的显示屏,问题比较简单,一个偶然的机会发现是SPI信号中,CS线被软件强制拉低,且一直处于低的状态,这样是不行的。

实测将CS线的行为改成符合SPI协议,只在传输数据时拉低,这个黑屏的问题解决了。

4. 某智能手表在USB的GND PIN上注入接触-8KV静电,会概率关机  

首先抓取了Log分析,没有发现什么线索。

直接拆开整机,在主板的不同地方的GND,注入ESD,统计关机的次数,得出一个简单的规律,只有在靠近电池BTB的地方,才会大概率出现,初步判断是ESD干扰了电池周围的信号。

电池BTB周围的信号有D+,D-,VBUS,MIPI,BAT_ID,BAT_THERM等,逐个在这些信号上,注入小两级的ESD,比如±2KV,有些信号会导致PMU损坏,有些会导致死机。只有BAT_ID信号会出现关机的现象。

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关机有两种可能,一是内部软件流程关机,二是电池突然掉电。尤其是第二种,往往很容易忽略。因为某些情况下,ESD注入两枪,立即就出现了关机现象,这很像是电池掉电了。

电池掉电有两种可能,一是电池保护板保护机制生效,切断了供电。二是Vbat到PMU的通路被打断。排查了主板上的器件,Vbat的通路经过的都是一些模拟器件,可能性比较小。

我们直接从主板VBAT飞线,连接到程控电源上,再打ESD的时候,发现就不会关机了。这进一步说明,在注入ESD时,是电池本身没有输出了。

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电池保护板的原理图如下:

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在图中GND上注入+8KV,没有问题,因为右边的TVS吸收了大部分能量,由于正向导通,钳位电压较低(小于4.4V),电池保护板没有触发保护机制。但是如果注入-8KV,TVS管开始反向钳位,瞬间的钳位电压较高(大于4.4V),超过电池起保护电压,电池触发保护机制,MOS管U2断开,导致关机。下图是TVS管的钳位特性,也能佐证这个结论。

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注意电池保护板的保护IC,是判断C1两端的电压,来决定是否起保护的。所以要解决这个问题,需要增大C1的容值。实测将C1增大到1uF,关机的概率明显降低了。

降低了,但没有彻底解决问题,肯定还有其他原因。这个原因是先猜出来,然后试验验证的。

上文提到只有BAT_ID信号会出现关机的现象。所以猜测静电耦合到了ID管脚,进入PMU导致关机。

下面是这次电池保护板的走线,ID的走线与GND有较长的耦合长度,GND上的瞬间能量能很快耦合到这根线上,最终直接进入到PMU。
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虽然主板上ID走线也跟GND有很长的耦合距离,但是主板上的GND与Vbat之间有TVS钳位,GND的电压不至于跳变太厉害,也不会耦合很多能量到ID线上。反而是电池FPC上的GND电平跳动最大,ID线在FPC上耦合的能量更多。

FPC改版成如下样式,ID和GND基本没有重叠区域,能量也不会耦合到ID管脚上,再也没有出现过关机问题。
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5. 屏幕朝下,ESD接触放电后壳,TP失效  

经检查,确定是TP IC被打坏。没有仔细分析IC损坏的原因,因为发现TP FPC背后的双面导电胶太弱,根本没有粘到GND上。TP没有很好接地,导致了这个问题。

只要TP接地良好,就肯定不会出现TO IC失效问题。
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来源:EEDesign
电源电路电子芯片标准解读电场材料控制
著作权归作者所有,欢迎分享,未经许可,不得转载
首次发布时间:2025-07-22
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EE小新
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