如何正确的使用DFB laser的等效电路模型？
申明：本文讲的等效电路模型指的是小信号的模型，大信号模型跟小信号模型其实还是有些差异的。
很多人拿到DFB laser的等效电路模型后，不知道怎么样来正确的使用该模型，根源还是在于不了解DFB laser的高频特性，或者说没有直接测试过DFB laser的S参数吧。
DFB laser的S参数测试，需要使用到VNA（矢量网络分析），有一点大家要注意，VNA只能识别电信号，而给DFB laser加载调制信号，它发出的光信号，VNA是没法接收和识别，因此需要用到一个PD来将该光信号转换为电信号，这样VNA才可以进行E-E（电对电）的测试，因此整个DFB laser的测试，其实包含一个EO-OE（电转换为光—光转换为电）的转换过程，简易示意图如下：
因此对于DFB laser，它的S参数包含：
port 1的S11（反射参数）；
port1-2之间的传输参数S21，也叫做芯片的EO参数（EO response），S21=port 2接收到的电信号与port1的电信号之比，而port 2接收到的电信号大小又取决于LD的调制效率以及PD的响应度。
只有对DFB laser的S11和S21特性有直观的了解，并深入了解其原因，才能正确的使用它的等效电路模型，我们知道在不同的偏置电流Ibias下，LD的输出光功率是不一样的，那么在不同的Ibias下，其高频S参数又将如何变化呢？
关于这一部分内容，在祝宁华的《光电子器件微波封装》一书page35~39中有一些图表说明，但是书中没给出具体的电路仿真原理图，只给了一个通用的laser模型，也给出了仿真曲线拟合出来的具体RLC值，如下：
下面展示ADS仿真曲线和书中曲线的对比：
首先是S11的幅度和相位的比较
接下来是S21的曲线对比
从上面2图的对比可以知道，ADS仿真结果跟书中的结果是非常接近的，说明当前的电路仿真原理图是正确的
