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锁相环的杂散怎么优化

1年前浏览183

锁相环噪声分为随机噪声和确定性噪声.从频率上来说就是随机杂散和确定性杂散。

杂散的存在会恶化相位噪声,影响邻道,影响SNR,从而影响整个系统的通信质量。

 随机噪声主要来源于器件的热噪声和闪烁噪声. 在频域上表现为频线的裙带( phase noise) , 在时域上表现为随机的抖动( jitter)

          

          

          

 确定性噪声主要来源于振荡器外部周期性干扰信号, 在频域上表现为不需要的 杂散( spur) , 在时域上则表现为周期性的抖动( 抖动的幅度呈现周期性)

 在锁相环设计中, 随机噪声通常由振荡器的品质因子( Q 值) 、偏置电路的噪声和控制环路共同决定    

而确定性噪声却来源很多, 常常无法通过仿真发现, 这使得杂散常常成为锁相环设计失败的主要原因

优化锁相环的杂散是设计锁相环的关键之一。

了解到锁相环的杂散成因就可以针对性的进行杂散优化。

1.电源pushing

电压控制振荡器将来自鉴相器的误差电压转换成输出频率。器 件“增益”定义为KVCO,通常以MHz/V表示。电压控制可变电容 二极管(变容二极管)常用于调节VCO内的频率。VCO的增益 通常足以提供充分的频率覆盖范围,但仍不足以降低相位噪 声,因为任何变容二极管噪声都会被放大KVCO倍,进而增加输出相位噪声。

电源波动也会给输出频率变化带来干扰成分。VCO对电源波动的灵敏度定义为VCO推压(Kpushing),通常是所需KVCO的一小部分。例 如,Kpushing通常是KVCO的5%至20%。因此,对于高增益VCO, 推压效应增大,VCO电源的噪声贡献就更加举足轻重。

所以锁相环的电源通常都采用低噪声的LDO。为了进一步抑制LDO的噪声通常会在LDO后加滤波器。简单的LC π 滤波器通常足以将带外LDO噪声降低20 dB。

2.参考杂散

当PLL锁定时,PFD的相位和频率输出(fREF和f N)理论上是相等的,但实际设计的电路时不是完全相等,只是小于一定的范围认为其相等,此时PFD处于锁定状态。    

尽管这些脉冲具有极窄的宽度,但它们的存在意味着驱动 VCO的直流电压是由频率为f REF的信号进行调制的。这会在 RF输出中产生参考杂散,且发生的失调频率为f REF的整数倍数,即我们常说的整数边界杂散。

如何优化整数边界杂散

常见的方法有三种:

          

l改变鉴相器频率,使得目标频率偏移整数边界杂散。在输入端加入预分频器就是这个道理。

l降低环路带宽,使得整数边界杂散落入环路带宽之外,从而被衰减。

l整数边界的杂散是由于周期性的时间选择同样的分频导致的,可以通过算法让该周期随机性,同时可以产生小数分频。

3.小数杂散

小数分频实现的过程,如果是周期性的N分频和N+1分 频,那么这个周期性的信号必然产生一杂散信号调制在输 出频率上。该杂散信号与ΔΣ调制的调制方式直接相关。    

小数模式虽然在宏观上看实现了小数分频。但是从单个周期看,其实锁相环一直处于失锁重新锁定的过程, 所以小数模式下输出频率的相位一直在变化,且锁相环 处于动态锁定过程中,电荷泵上下偏电流一直处于工作状态。

如何优化小数杂散

现有小数杂散优化的技术有:

l        加大环路滤波抑制能力,部分杂散幅度降低;注意:环路变窄,阶数变高,电路负载,锁定时间加长。

l        修改鉴相频率,规避部分杂散点;

l        减小泵电流,降低充放电效果,优化杂散幅度;

l        更改新品内部电荷泵设计;

       

          

总结:锁相环的杂散通常是系统杂散产生的大头,优化锁相环杂散可以系统的性能。    


来源:射频通信链
电源电路通信理论控制
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首次发布时间:2025-07-28
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匹诺曹
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射频基础器件—混频器

混频器是一种射频器件,其核心工作原理基于非线性元件,如二极管或晶体管,通过这些非线性元件将两个不同频率的电信号进行混合,从而产生一个新的频率的信号。这个过程可以通过乘积法和叠加法来实现,理想输出为两个输入频率的和频、差频信号。然而,实际上输出除了和频、差频信号外,还有谐波等各种频率组合。混频器的核心是实现了频谱的搬移。Acosαt*Bcosβt=AB/2[cos(α+β)t+cos(α-β)t] 对于混频器,需注意以下几点:以和频率用作IF时,混频器称为“上变频器”;使用差频率时,混频器则称为“下变频 器”。前者通常用于发射通道中,而后者则用于接收通道中。 在接收机中,当LO频率低于RF时,称为“低端注入”,此时混频器为“低端下变频 器”;当LO高于RF时,称为“高端注入”,此时混频器为“高端下变频器”。 每个输出的幅度只有各输入的一半(功率为四分之一);因此,理想线性混频器具有6 dB 的损耗。镜像响应 接收机存在一个基本问题,即“镜像响应”。以使用低端下变频器为例,所需输出的频率为ωIF = ωRF – ωLO。但是RF输入端的另一频谱分量也会进入IF通带,此处 也就是ωIF = ωLO – ωRF所表示的,那就是“镜像”频率。针对镜像这个问题,最可行的方案是谨慎选择IF频率,并在 RF输入端的混频器之前接入一个镜像抑制滤波器。 混频器术语 “混频器”是针对频率转换而优化的调制器。它在信号路径中的位置通常靠近天线,其信号 输入端(通常称为“RF端口”)处同时存在所需信号和(通常较大的)干扰信号。因此,混频器 必须拥有出色的线性度,即向RF端口施加测试信号时,达到可能的最高电平,其输出(IF 端口处)都应增加相同数量的dB。该特性由1 dB增益压缩点和三阶交调截点定义。转换过程 由施加于LO端口的输入驱动。频率范围 指射频混频器各个端口(包括RF、Lo、IF端口)能正常工作、提供最优性能的频率范围。功率电平 功率电平指馈送到混频器各端口的功率电平,一般指本振端口的功率电平。在使用混频器时,应注意本振信号功率电平应比射频信号功率高15-20dB,这样可以获得更佳的性能,这也有助于我们确定其他输入端口(射频或中频)的功率电平。本振功率 混频器的本振功率是指最佳工作状态时所需的本振功率。原则上本振功率愈大,动态范围增大,线性度改善(1dB压缩点上升,三阶交调系数改善)。变频损耗 变频损耗指混频器输出信号与输入信号的比值,也是输入射频功率和输出信号功率电平之间的差值。一般的,混频器典型的转换损耗值在5到10dB之间。1dB压缩 如我们所知,在混频器正常工作时,转换损耗是一个恒定值,与输入信号功率不相关,即输入功率增加1dB,输出功率相应增加1dB。然而,当输入功率的幅值过大时,不在是1dB到1dB的关系,而是呈现出非线性关系的变化。1dB压缩点定义为转换损耗从理想值增加1dB时所需的输入功率,它是衡量射频混频器线性度的指标。在射频电路上的功率电平设计时,混频器的输出功率应远远小于输出1dB的压缩点值,否则容易导致混频器饱和。动态范围 动态范围是指混频器正常工作时的微波输入功率范围。其下限因混频器的应用环境不同而异,其上限受射频输入功率饱和所限,通常对应混频器的1dB压缩点。隔离度 隔离度(Isolation/feedthrough)是衡量器件端口间信号泄露或者馈通地指标。混频器隔离度是指各频率端口间的相互隔离,包括本振与射频,本振与中频,及射频与中频之间的隔离LO-IF间隔离LO-RF间隔离 RF-IF间隔离。隔离度定义为本振或射频信号泄漏到其它端口的功率与输入功率之比,单位dB。 互调失真(TOI或输入输出IP3) 如果有两个频率相近的微波信号fs1和fs2和本振fLO一起输入到混频器,由于混频器的非线性作用,将产生交调.其中三阶交调可能出现在输出中频附近的地方,落入中频通带以内,造成干扰,通常用三阶交调抑制比来描述,即有用信号功率与三阶交调信号功率比值,常表示为dBc。因中频功率随输入功率成正比,当微波输入信号减小1dB时,三阶交调信号抑制比增加2dB。噪声系数 F= Pno/Pns Pno:当系统输入端噪声温度在所有频率上都是标准温度To=290K时,系统传输到输出端的总噪声资用功率。Pns:仅由有用信号输入所产生的那一部分输出的噪声资用功率。 由于镜像噪声的影响,混频器单边带噪声系数比双边带噪声系数大一倍,即高出3dB。 来源:射频通信链

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