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Lumerical | 基于渐变折射率透镜的边缘耦合器

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在硅光子技术快速发展的背景下,光纤与芯片波导的高效耦合始终是制约系统性能提升的关键瓶颈。近期,Xu等科研人员在《JOURNAL OF LIGHTWAVE TECHNOLOGY》发表的研究成果,为这一难题提供了创新解决方案——一种基于梯度折射率(GRIN)透镜并辅以互补锥结构的边缘耦合器[1],实现了标准单模光纤(SMF)与硅波导的低损耗、宽带宽、偏振不敏感耦合,同时显著简化了制造工艺,为硅基光子芯片的实用化进程提供了重要支撑。

硅光子耦合技术的现状与挑战

硅基光子芯片凭借低延迟、高传输速率等优势,成为5G、云计算等领域的核心载体。然而,硅材料无法集成片上光源,需通过外部光纤与片上波导耦合实现光信号传输。目前主流的耦合方式中,光栅耦合存在损耗高、偏振敏感等局限;传统边缘耦合虽性能更优,但在适配标准单模光纤(SMF,模场直径10.4μm)时,常因模场失配导致损耗增加,且复杂结构(如多层、3Dtaper)加剧了制造难度。

基于渐变折射率(GRIN)透镜的边缘耦合器因工艺稳定、偏振不敏感等特性被寄予厚望,但传统设计需数十层交替材料,如Loh[2]等人设计的边缘耦合器需要40对Si-SiO₂交替层,Lim[3]等人的设计需要20层以上,这无疑增加了制造复杂性和成本。如何在简化结构的同时保持高性能,成为该领域的核心挑战。

创新设计:

GRIN透镜与互补锥结构的

协同优化

(一)整体结构:两层协同实现高效模场转换

该耦合器基于标准SOI晶圆(BOX厚度3μm,顶层硅220nm),由GRIN透镜与互补锥结构组成,如图1所示。GRIN透镜含5层SiON薄膜,折射率自上至下递增,将SMF的10.4μm模场垂直压缩至3.5μm并聚焦于底层;互补锥结构由SiON锥与Si逆锥构成,进一步压缩模场至硅波导尺寸,实现高效匹配。

图1边缘耦合器示意图

二)GRIN透镜:从11层到5层的简化突破

初始设计的11层GRIN透镜虽性能优异,但制造复杂。研究团队基于有效介质理论(EMT),将折射率相近的层合并为5层,通过下面公式计算等效折射率,确保聚焦性能接近理想“无限层GRIN透镜”。仿真显示,5层结构与11层的耦合损耗差异可忽略,如图2所示。

公式:

图2三种梯度折射率透镜的性能比较

(a)折射率分布;(b)电场演化;(c)耦合损耗

(三)互补锥结构:参数优化实现低损耗转换

互补锥的长度(Lt)与Si逆锥尖端宽度(Wtip)是关键参数。仿真表明,Lt≥700μm、Wtip=40nm时可实现近无损耗转换;即使Lt缩短至290μm,TE/TM模式损耗仍<0.5dB,如图3所示。

图3(a)互补锥形结构的电场演化;

(b)yz平面在不同位置的模场分布;

(c)互补锥结构长度Lt和硅倒锥尖宽度Wtip对耦合损耗的关系;

(d)互补锥形结构内TE和TM模式的模场分布

仿真验证:

多工具协同保障设计可靠性

研究采用Ansys Lumerical软件,分阶段完成仿真优化:

  1. 2D-FDTD仿真:优化GRIN透镜,设置网格精度50nm×50nm×20nm,边界为PML,光源为模式光源。结果显示,1550nm处TE/TM模式损耗低至0.039dB/0.052dB,焦距72μm时性能最优,如图4所示。

    图4GRIN透镜焦距Lf与耦合损耗的关系

  2. EME仿真:独立优化互补锥结构,分析其模式转换效率,分析模场演化,确定Lt与Wtip的最佳范围,确保模式平滑转换。

  3. 3D-FDTD仿真:验证整个边缘耦合器的性能,确保各部分协同工作的有效性。1450-1650nm波段内,TE/TM模式损耗均<0.3dB,1550nm处分别为0.128dB/0.179dB,宽带宽特性显著,如图5所示。

图5(a)整个边缘耦合器的电场演化;

(b)边缘耦合器的耦合损耗谱。

制备工艺与性能测试

(一)精密制备:四步流程确保结构精度

  1. 硅波导制备:通过EBL光刻与ICP-RIE刻蚀(C₄F₈/SF₆气体)形成垂直侧壁。

  2. SiON薄膜沉积:采用ICPCVD技术,通过调节N₂O流量控制折射率,Ar气保障膜厚均匀性。

  3. 薄膜蚀刻:用Cr硬掩模选择性蚀刻上层4层SiON,保留底层用于模场耦合。

  4. 沟槽制备:EBL光刻后ICP-RIE刻蚀沟槽,防止光泄漏。

图6边缘耦合器的制造工艺流程

(二)性能指标:低损耗、宽带宽、偏振不敏感

测试系统采用可调谐激光器(1510-1600nm)与光功率计,结果显示:

  1. 1550nm处,TE/TM模式耦合损耗分别为1.21dB/1.78dB,偏振相关损耗(PDL)仅0.5dB。

  2. 1dB带宽超90nm(受激光器范围限制),1510-1600nm内损耗波动<1dB。

  3. 与传统GRIN耦合器相比,5层结构大幅简化工艺,性能更优。

参考文献:

[1] Xu J, Guo C, Li Y, et al. Graded-Index Lens Based Edge Coupler With Low-Loss, Broad Bandwidth for Efficient Coupling Between Silicon Waveguide and Standard Single-Mode Fiber[J]. Journal of Lightwave Technology, 2024. 

[2] Loh T H, Wang Q, Zhu J, et al. Ultra-compact multilayer Si/SiO2 GRIN lens mode-size converter for coupling single-mode fiber to Si-wire waveguide[J]. Optics express, 2010, 18(21): 21519-21533.

[3] Lim K P, Ng D K T, Pu J, et al. Graded-index thin-film stack for cladding and coupling[J]. Applied Optics, 2016, 55(24): 6752-6756.

来源:摩尔芯创
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首次发布时间:2025-07-22
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Lumerical | 利用硅基超表面实现相位与振幅双梯度调控

在光子集成技术飞速发展的今天,如何精准操控光的传播路径,让光在微小的芯片上完成复杂的光学任务,成为了科研人员不懈探索的目标。近日,来自伊朗大不里士大学的研究团队在《Scientific Reports》期刊上发表了一项突破性研究,他们设计的相位和振幅梯度波导耦合超表面[1],能将芯片上的导波光场随心所欲地塑造成各种所需的自由空间模式,为集成光学领域开辟了崭新的道路。传统光耦合技术的困境要想在光子集成芯片(PICs)上实现高性能的光学成像、通信或传感功能,首先面临的挑战就是如何让光在芯片内外高效地“进出”,即芯片上的光波导需要高效的“光耦合器”。传统的光耦合技术主要基于边缘耦合和表面光栅方法。然而,这些方法往往不够灵活,只能在特定角度下工作,而且耦合效率低,导致大量光能量浪费。更关键的是,这些方法难以满足现代PICs对紧凑性和多功能性的需求。超表面作为一种由亚波长单元构成的超薄结构,近年来在光场调控领域展现出了惊人的潜力。通过调控每个亚单元对光的相位、振幅等特性,能够实现传统光学元件难以完成的功能,比如全息成像、光束偏转等。但遗憾的是,大多数超表面研究都局限于自由空间光的相互作用,难以直接与片上器件集成。相位-振幅双梯度超表面的理论突破(一)硅基超表面-波导耦合系统的拓扑结构论文提出了一种全硅基超表面涂层一维波导结构,如图1所示,其核心单元为“超胞(super-cell)”,每个超胞由三根硅棒组成,沿波导轴向排列。这种设计的精妙之处在于:通过硅棒的几何参数(长度、宽度、高度)调控,实现对导波的相位积累(βx)与超胞诱导相位(φs(x))的叠加,从而构建出任意光场分布的相位函数φ(x)=βx+φs(x)。图1硅基超表面涂覆一维光波导的主要拓扑结构硅棒被放置在波导的顶部,使用3D时域有限差分(FDTD)求解器(Ansys Lumerical FDTD模拟套件)对其散射行为进行数值模拟,结果如图2所示。所施加的TE00模式激发硅条的电偶极子和磁偶极子本征模式,而它们的叠加使得硅棒可以实现2π的相位覆盖范围,这就为精确调控光场相位奠定了基础。图2波导上硅棒Ey和Hx的场分布(二)振幅梯度补偿研究团队发现,导波在波导中传播时会产生衰减,导致末端光场振幅降低,进而影响聚焦效果。为此,他们提出了“振幅梯度”设计方法:通过优化不同位置硅棒的几何参数,使散射光振幅随导波衰减规律递增,实现能量的均匀分配。图3的参数扫描结果显示,硅棒的长度(lx)与高度(lz)对散射光的相位与振幅影响显著。团队选取三组相位差为2π/3、振幅相近的硅棒参数(如图3中白色圆圈标记),构建了具有振幅补偿功能的超表面。这一设计将耦合效率从传统方法的8%提升至16%,同时将聚焦光斑的半高宽(FWHM)缩小至893nm,接近衍射极限。图3硅棒长度(lx)和高度(lz)参数扫描中模拟相移的色图。对于(a)ly=750nm(b)ly=1000nm(c)ly=1200nm的振幅;对于(d)ly=750nm(e)ly=1000nm(f)ly=1200nm的相移。实验验证:从金属透镜到宽带性能的系统性验证(一)金属透镜概念验证为验证设计理论,团队设计了一款焦距f=7500nm、工作波长1550nm的硅基金属透镜。该透镜由17组超胞分为三段排列:第一段5组(Λ₁=1100nm)、第二段4组(Λ₂=1000nm)、第三段8组(Λ₃=850nm)。图4与图5的对比实验显示,初始设计因未补偿振幅衰减,聚焦效果不佳;而引入振幅梯度后,电场分布在焦平面(Z=7500nm)呈现清晰的聚焦光斑,强度分布半高宽从2.8μm优化至893nm。这一结果直接证明了相位-振幅双梯度设计的有效性。图4所提出的波导驱动超透镜的初始值的归一化电场强度分布图5所提出的波导驱动超透镜的最终值的归一化电场强度分布(二)宽带光束偏斜特性在1450nm至1600nm波长范围内,团队研究了金属透镜的聚焦偏移特性。图6的实验数据表明,随着波长增加,焦点位置向波导输入端偏移,这与理论预测的相位函数(如下图)完全一致。值得注意的是,该结构在1550nm附近的带宽内仅产生极小的光束偏斜,验证了其在宽波段应用中的稳定性。相位函数图6超透镜分别在λ=1450nm、1550nm及1600nm处的电场强度分布技术优势1.效率与损耗的双重优化全硅基结构:摒弃传统金属-硅混合结构,避免等离子体效应导致的能量损耗,将耦合效率提升至16%,为同类技术的两倍。背向散射抑制:通过硅棒参数优化,几乎消除了光场向波导的背向散射,进一步提高能量利用率。2.片上集成的适配性该结构完全兼容标准硅光子学工艺,可通过电子束光刻(EBL)与化学气相沉积(PECVD)实现多层硅棒的精确加工,为大规模片上集成提供了工艺可行性。总结与展望在该篇论文中,基于所提出的结构,获得了16%的效率。这种效率的提高可能是由于两个原因:第一,所提出的仅基于硅的纳米棒结构,第二,文中提出的幅度梯度的想法。另外,文章中的设计方法可以很容易地扩展到各种功能的片上光学元件。此外,在这种方法中,通过在硅波导上空间排列硅棒阵列,还可以实现更先进的应用,如导波驱动全息图,光子集成光谱仪,固态激光雷达,遥感等。参考文献:[1]Tanhayivash Y, Soofi H, Nikmehr S. Phase and amplitude gradient waveguide coupled metasurfaces[J]. Scientific Reports, 2025, 15(1): 1-11.- END - 来源:摩尔芯创

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