今天看到一个需求,因为时间的原因没有做,简单看了一下这个需求,看到还是有点设计内容的,在此发出来和大家一起分享学习。
工作频率:100MHz~1000MHz;
增益:≥47dB@47dBm;
增益平坦度:≤±2dB;
输出P1dB功率:≥45dBm;
输出饱和功率:≥47dBm;
增益调节范围:≥20dB,步进0.25dB;
输入驻波:≤1.5:1
拿到一个需求第一步就是分析这个需求,难点是什么,需要怎么做。
这个需求看下来有几个难点
1.工作频率100-1000MHz,频率跨了10个倍频程,一般情况下,1个倍频程6dB不平衡,10个倍频程,增益平坦度是一个设计难点。
2.增益调节范围20dB,步进0.25dB。这个需要设计一个数控衰减器在电路中,如果要求是数控还得增加一个单片机,如果需要模拟控,责简单很多。
3.输入驻波要求1.5,对于功放来说,1.5的驻波其实比较难做,好在可以通过加器件去实现和改善。
发射链路主要就是增益分配和功率分配,功率从末级往前级到,考虑设计冗余,末级功率一般要选择大于49dBm以上,一般PA的增益都在17左右,所以整个发射电路需要三级驱动。
将数控衰减器放在第一级可以改善输入驻波。

完成方案的框架设计,然后就是器件选型了,根据设计方案可以知道,第一级选择一个LNA就可以满足设计需求,如果增益不平,可以加一个负反馈调整增益平坦度。典型的GAILI-5

第二级,功率已经达到30dBm,是一个小功放了,LDMOS在这个频率增益特别不平坦,很难调平,几年前最难的功放就是用LDMOS做跨倍频程的功放设计了,各种巴伦阻抗变换,前后的匹配,每一级调出来都是一部血泪史。
好在现在GAN下限到了低频段了,很多国产的功放厂家都可以做到100-1000MHz的内匹配设计了,所以为了调试简单及方便,第二级选择GAN的PA,选择一个p1大于30dBm的功放,考虑设计容量和线性,一般要选择大于34dBm以上的功放(如果峰均比高,功率需要更大)。国产的也很多。


第三级,第三级是正宗的大功率设计,由于第二级已经采用了GAN,电路中引进了负压,所以为了减少设计逻辑的简单性,末级也采用GAN的功放。

数控衰减器,要求大于20dB,步进0.25dB。

上面的所有步骤就完成了这个功放的原理设计,但是对于一些细节仍需要去完善。
1.功放的保护,一般到了10W以上的功放都要做开短路保护,即使不提,作为工程师的我们也不能忘记。
2.温度保护,这种功放一般也要做温度检测和温度保护。
3.功放的上电时间设计,一般对于通信的功放对功放的爬坡时间都有要求,对于具体要求具体设计功放的上电。
4.功放有没有峰均比设计
5.功放的结构散热,这么大功率散热也是一个必须考虑的问题。
6.电源设计。
7.布板设计,增益大于45dB以上必须考虑电路会不会形成环路自激,布局摆放的时候要注意电路的走向,电源的走向。
功放设计属于射频中重要的一环,学会增益分配设计和功率分配是功放入门的基本要求,真正的难度在于功放的调试和对功放细节的完善。
祝好!