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大厂、转行、跳槽、加薪,想明白就好啦

9小时前浏览2
大家好,我是EE小新。
铁三铜四过去了,星球的一位同学薪资比较低,找工作的时候猎头跟我他说,工资低是因为现在公司跟本人没有及时去要求调薪导致的,不能让下一个公司买单,要求大涨幅不合理。大家觉得对吗?

1. 公司涨薪和跳槽怎么取舍?

A:你不谈,公司不给你涨薪的,小公司老板都装傻,除非是正规大公司,剥削的就是员工,不然利润哪里来。
B:说实话,跳槽有好处,每两年跳一次,工资和技能不停的翻倍,接触的行业和产品,越来越高级。
如果在1个公司,钱也没有,技能业务领域也不能增值,那还是算了!
兄弟们出来工作就为了赚点钱,要么现在多赚点儿,要么将来多赚点儿,不然浪费时间,黄金工作时间就那么几年,其实牛人都是不用上班的,起码不用坐班。
B: 公司有两个主管不用在公司上班,一个季度来几天。

2. 如何从低端转行做高端行业?

我们最近一个来的,是做资产评估的,这次给了30k,也是不停转行过来的,芯片和射频都弄过,一开始学网站维护,后来转到PCBA维修,比如你这次去的公司有芯片设计和流片,自然有人带你,慢慢向高端转(不过现在跨行就业没那么容易了)。

3. 技术挣钱的方法

技术要赚钱不容易,要么做系统,要么玩稀缺,越稀缺越好,总在一个行业,除非这个行业自己做到最顶级,不然很容易把自己搞废,除了自己熟悉的领域,已经不能做其他东西了,岁数大了,没啥选择了,不断加强自己的优势点,横向扩张业务领域。

想不明白的人,一般要么不停的换工作,要么找个幻想中可以干到老的公司。

4. 跳槽多会影响你的技术水平吗?

有人说10年不跳槽不好,频繁跳槽也不好。但是只要你不是几个月一跳,我觉得跳槽多少根本不是问题,只是在面试投递简历,第一关是HR进行筛选的,她们有绩效目标和考核KPI。离职1人,招聘1人,对于部门而言,有人干活就行,好像没什么区别,但是对于HR来说就是2个名额,而且大公司的裁员指标和招聘名额是分开的,负责的HR是不同的人。

对于技术而言,硬件水平怎么样,面试的时候直接就问出来了,没那么多条条框框。

面试题分享

1.介绍一下iic


IIC(Inter-Integrated Circuit) 是一种由Philips开发的同步、半双工、多主从结构的串行通信总线,用于短距离低速设备通信。

  • 物理层2根线(SDA数据线 + SCL时钟线),支持多设备(通过地址寻址)。

  • 通信模式

    • 主设备发起通信,控制时钟;从设备响应。

    • 支持标准模式(100kbps)、快速模式(400kbps)、高速模式(3.4Mbps)。

  • 特点

    • 地址寻址(7位或10位地址)。

    • 开漏输出结构,需外接上拉电阻。

    • 支持多主设备(通过总线仲裁和时钟同步)。

  • 典型应用:传感器(如温湿度)、EEPROM、RTC芯片等。


2. iic时序的定义


IIC时序由以下关键信号组成:

  • 起始条件(Start Condition):SCL为高电平时,SDA从高→低跳变。

  • 停止条件(Stop Condition):SCL为高电平时,SDA从低→高跳变。


数据传输

  • SCL低电平时,SDA可变化;SCL高电平时,SDA需稳定(数据采样)。

  • 每个字节(8bit)后跟随1bit的ACK/NACK(由接收方拉低SDA表示ACK)


时序参数

  • 建立时间(t_SU;STA):起始条件前SDA的稳定时间。

  • 保持时间(t_HD;STA):起始条件后SCL的第一个上升沿延迟。

  • 数据建立/保持时间(t_SU;DAT, t_HD;DAT)等。


    3. iic上拉电阻的选择会影响什么


    上拉电阻(R_pullup)的取值影响以下方面:

    1. 上升时间:R_pullup与总线电容(C_bus)共同决定信号上升沿速度(τ = R × C)。

      • R过大→上升时间过长,可能导致时序 violation。

      • R过小→电流增大,功耗升高,可能超出驱动能力。

    2. 功耗:R越小,静态电流(VDD/R)越大,功耗越高。

    3. 抗干扰能力:R过大会降低噪声容限。

    • 典型取值:4.7kΩ~10kΩ(3.3V/5V系统),需根据总线电容计算:

       

      (t_r为最大允许上升时间,由IIC模式决定)


    4. pcb晶振的布局要注意什么


    • 靠近IC:缩短晶振与芯片引脚的距离,减小走线长度。

    • 远离干扰源:避开高频信号、电源、发热元件,用地平面隔离。

    • 走线对称性:晶振两脚走线等长,避免引入相位差。

    • 避免过孔:减少寄生电容和电感。

    • 接地屏蔽:晶振外壳接地,周围铺地并打地孔,抑制辐射。

    • 负载电容匹配:确保电容(C1、C2)靠近晶振,容值符合规格。


    5. 介绍一下项目的电源系统


    • 输入电源:适配器、电池等(如12V输入)。

    • 电压转换

      • DC-DC降压:高效转换为主电源(如12V→5V)。

      • LDO稳压:为噪声敏感模块供电(如5V→3.3V)。

    • 电源路径管理:优先级切换(如电池/外部电源)。

    • 滤波与去耦:π型滤波器、磁珠、去耦电容(抑制高频噪声)。

    • 保护电路:过压保护(OVP)、过流保护(OCP)、反接保护。

    • 低功耗设计:休眠模式下关闭非必要电源域。


    6.dcdcldo选型你会考虑些什么



       
    DC-DC    
    LDO    
    效率    
    高(>85%)    
    低(~Vout/Vin)    
    噪声    
    较大(开关噪声)    
    低(无开关)    
    压差    
    小(0.3V以下)    
    较高(0.5V~2V)    
    成本    
    较高(需电感)    
       
    适用场景    
    大电流、宽压差    
    低噪声、小压差    


    7.buck的电感选取考虑些什么


    先看看电感计算公式(忽略续流二极管Vd)

       

    (D为占空比,ΔI_L为纹波电流,通常取负载电流的20%~40%)

    • 饱和电流(I_sat):需大于峰值电流(I_peak = I_load + ΔI_L/2)。

    • 温升电流(I_rms):RMS电流下电感的温升需在允许范围内。

    • DCR(直流电阻):影响效率(损耗 = I²×DCR)。

    • 尺寸:根据PCB空间选择封装(如贴片电感)。


    8.了解饱和电流和温升电流吗


    • 饱和电流(I_sat):电感磁芯饱和时的电流,此时电感值急剧下降,可能导致MOS管过流损坏。

    • 温升电流(I_therm):电感在特定环境温度下,温升达到规定值(如40°C)时的RMS电流,影响长期可靠性。


    来源:EEDesign
    电源电路芯片通信材料控制SCL
    著作权归作者所有,欢迎分享,未经许可,不得转载
    首次发布时间:2025-07-21
    最近编辑:9小时前
    EE小新
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