我们最近一个来的,是做资产评估的,这次给了30k,也是不停转行过来的,芯片和射频都弄过,一开始学网站维护,后来转到PCBA维修,比如你这次去的公司有芯片设计和流片,自然有人带你,慢慢向高端转(不过现在跨行就业没那么容易了)。
技术要赚钱不容易,要么做系统,要么玩稀缺,越稀缺越好,总在一个行业,除非这个行业自己做到最顶级,不然很容易把自己搞废,除了自己熟悉的领域,已经不能做其他东西了,岁数大了,没啥选择了,不断加强自己的优势点,横向扩张业务领域。
想不明白的人,一般要么不停的换工作,要么找个幻想中可以干到老的公司。
有人说10年不跳槽不好,频繁跳槽也不好。但是只要你不是几个月一跳,我觉得跳槽多少根本不是问题,只是在面试投递简历,第一关是HR进行筛选的,她们有绩效目标和考核KPI。离职1人,招聘1人,对于部门而言,有人干活就行,好像没什么区别,但是对于HR来说就是2个名额,而且大公司的裁员指标和招聘名额是分开的,负责的HR是不同的人。
对于技术而言,硬件水平怎么样,面试的时候直接就问出来了,没那么多条条框框。
面试题分享
1.介绍一下iic
IIC(Inter-Integrated Circuit) 是一种由Philips开发的同步、半双工、多主从结构的串行通信总线,用于短距离低速设备通信。
物理层:2根线(SDA数据线 + SCL时钟线),支持多设备(通过地址寻址)。
通信模式:
主设备发起通信,控制时钟;从设备响应。
支持标准模式(100kbps)、快速模式(400kbps)、高速模式(3.4Mbps)。
特点:
地址寻址(7位或10位地址)。
开漏输出结构,需外接上拉电阻。
支持多主设备(通过总线仲裁和时钟同步)。
典型应用:传感器(如温湿度)、EEPROM、RTC芯片等。
2. iic时序的定义
IIC时序由以下关键信号组成:
起始条件(Start Condition):SCL为高电平时,SDA从高→低跳变。
停止条件(Stop Condition):SCL为高电平时,SDA从低→高跳变。
数据传输:
SCL低电平时,SDA可变化;SCL高电平时,SDA需稳定(数据采样)。
每个字节(8bit)后跟随1bit的ACK/NACK(由接收方拉低SDA表示ACK)
时序参数:
建立时间(t_SU;STA):起始条件前SDA的稳定时间。
保持时间(t_HD;STA):起始条件后SCL的第一个上升沿延迟。
数据建立/保持时间(t_SU;DAT, t_HD;DAT)等。
3. iic上拉电阻的选择会影响什么
上拉电阻(R_pullup)的取值影响以下方面:
上升时间:R_pullup与总线电容(C_bus)共同决定信号上升沿速度(τ = R × C)。
R过大→上升时间过长,可能导致时序 violation。
R过小→电流增大,功耗升高,可能超出驱动能力。
功耗:R越小,静态电流(VDD/R)越大,功耗越高。
抗干扰能力:R过大会降低噪声容限。
典型取值:4.7kΩ~10kΩ(3.3V/5V系统),需根据总线电容计算:
(t_r为最大允许上升时间,由IIC模式决定)
4. pcb晶振的布局要注意什么
靠近IC:缩短晶振与芯片引脚的距离,减小走线长度。
远离干扰源:避开高频信号、电源、发热元件,用地平面隔离。
走线对称性:晶振两脚走线等长,避免引入相位差。
避免过孔:减少寄生电容和电感。
接地屏蔽:晶振外壳接地,周围铺地并打地孔,抑制辐射。
负载电容匹配:确保电容(C1、C2)靠近晶振,容值符合规格。
5. 介绍一下项目的电源系统
输入电源:适配器、电池等(如12V输入)。
电压转换:
DC-DC降压:高效转换为主电源(如12V→5V)。
LDO稳压:为噪声敏感模块供电(如5V→3.3V)。
电源路径管理:优先级切换(如电池/外部电源)。
滤波与去耦:π型滤波器、磁珠、去耦电容(抑制高频噪声)。
保护电路:过压保护(OVP)、过流保护(OCP)、反接保护。
低功耗设计:休眠模式下关闭非必要电源域。
6.dcdc和ldo选型你会考虑些什么
7.buck的电感选取考虑些什么
先看看电感计算公式(忽略续流二极管Vd):
(D为占空比,ΔI_L为纹波电流,通常取负载电流的20%~40%)
饱和电流(I_sat):需大于峰值电流(I_peak = I_load + ΔI_L/2)。
温升电流(I_rms):RMS电流下电感的温升需在允许范围内。
DCR(直流电阻):影响效率(损耗 = I²×DCR)。
尺寸:根据PCB空间选择封装(如贴片电感)。
8.了解饱和电流和温升电流吗
饱和电流(I_sat):电感磁芯饱和时的电流,此时电感值急剧下降,可能导致MOS管过流损坏。
温升电流(I_therm):电感在特定环境温度下,温升达到规定值(如40°C)时的RMS电流,影响长期可靠性。