EDS和XPS都是常见的元素分析的方法,它们之间有什么区别呢?咱们从原理、分析特点、适用场景等聊一聊两者之间的区别。
原理简述:
电子束轰击样品→原子内层电子激发→产生特征X射线(不同元素对应不同能量特征峰)。
X射线能量转换为电信号→形成能谱图(横轴能量,纵轴强度)。
基于特征峰能量(如Cu的Kα峰能量为8.04 keV),定量分析通过峰面积与标准曲线对比。
XPS:X-ray Photoelectron Spectroscopy,X射线光电子能谱原理
原理简述:
单色X射线(如Al Kα或Mg Kα)照射样品→内层电子被激发→光电子逸出(结合能=入射光子能量-光电子动能)。
高分辨率谱仪测量光电子动能→结合能谱图(横轴结合能,纵轴强度)。
元素通过结合能指纹识别(如C 1s=285 eV,O 1s=532 eV),化学位移反映电子环境变化(如氧化态、配位键)。
优先考虑EDS的情况:
○ 需要快速、大面积的元素分布分析(如金属合金、地质样品)。
○ 样品无法承受长时间真空处理(如生物组织、聚合物)。
○ 对轻元素检测精度要求不高,但需分析重元素分布。
优先考虑XPS的情况:
○ 需要确定表面元素的化学键合状态(如催化剂、腐蚀产物)。
○ 分析痕量元素(ppm级)的表面吸附或反应。
○ 研究界面/薄膜的电子结构(如半导体器件)。
案例:电池材料分析:
○ EDS:快速分析电极材料中Mn、Ni、Co的比例及分布。
○ XPS:确认电极循环后Li、O元素的化学态变化(如Li₂O生成)。