看了点CMOS加工过程的内容~

   

   

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今天看了一下[1]的ch8 CMOS Processing Technology，了解到了一点新东西。

• 下图中，LD是side diffusion的长度。离子注入会损害硅晶格，因此，随后晶圆会被加热到约1000℃，持续15到30分钟，从而修复晶格，这一过程，称为“annealing（翻译过来为退火）”。annealing会导致S/D区域的side diffusion。因此，晶圆只会进行一次退火，在所有注入步骤都完成后进行。

• 掩膜(mask)越多，造价越贵。在制作管子的时候，会有n-well mask，poly mask, source/drain mask, contact mask， M1 mask等等。

  这倒也和PCB类似，板子层数越多，越贵。

  
  

• 印象中，以前写过的一篇文章中，有表示对这个自动对齐(self-aligned)的概念不太理解，想找来着，发现关键词总是对不上，作罢！

  正好在该章节中，又看到了，觉得有点理解了。

  如下图所示，先有栅极和氧化层，然后才生成source和drain极。

   

  因为，如果先生成source和drain，然后再生成栅极和氧化层的话，即使产生一点点的错位，也有可能使得源(或漏)极和栅极区域之间出现间隙，从而阻止沟道的形成，如下图所示。

    如果先有栅极和氧化层，然后再通过离子注入生成source/drain的话，     即使有偏差，也只是使得两个极的宽度不太对称而已，如下图所示。

• 文中提到，owing to reliability issues,contacts to the gate polysilicon are not placed on top of the gate area。我猜想，应该是指：

• 文中还提到，如果需要大范围连接的时候，比如上面的source和drain极，不会采用一个整个大的连接，而是用一个个小的contact window，而且，每个contact window的大小是固定的，版图设计师没法更改。

  因为，如果用一个大的contact window的话，可能会出现下图的情况。

  
  

参考文献：

[1] Behzad Razavi, Design of Analog CMOS Integrated Circuits