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和AI进行了10多次对话后,终于看到能说服我的答案了,哈哈--弱反型和强反型时的电流公式问题

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碎碎念

(1)
我的疑问,是看亚阈值导通的时候,开始有的。当时是想,是什么原因,导致亚阈值导通和导通的状态下,出现两种不同的电流表达形式呢?
于是,我就问了deepseek一个问题:
deepseek说,这是因为这两种情况是基于不同的物理机制,一个是扩散,一个是漂移。
嗯,有点刷新我的认知。
在下面的能带图中,我感觉是看不出来的这个不同的。在下面的能带图中,我看到的是,如果是弱反型层的话,那就紫色部分的橙线与蓝线之间的距离小一点;如果是强反型层的话,那就紫色部分的橙线与蓝线之间的距离大一点。
(2)
于是,我又去看了一下Ali教授和Mark教授的一些视频[1,可文末扫码],又问了一些deepseek一些问题,感觉上好像有点闭环了,当然也有可能还有理解上的错误,欢迎探讨。
上面的能带图,是MOS管的一个维度,也就是沿着y轴的能带图,如下图所示。
MOS管的能带图,还可以从另一个维度来绘制,即下图所示的x轴。
以上是三种材料相互独立时,各自的能带图。当三种材料相互接触,为了保持费米能级是恒定值(因为此时没有电流),channel的能带图会向上有所偏移。
此时的分析,可能就有点继承PN结的分析了。
不过,为啥这个对应反向饱和电流的-1项,在subthreshold conduction的电流中,没有了呢?是被忽略掉了么?这个我还需要再看看。
(3)
回到前面的疑问,弱反型层和强反型层,为什么电流的公式差这么多?前者对应扩散电流,后者对应漂移电流。
deepseek是这样回答的。

感觉意思是,刚开始,source极的电子浓度是要比channel高的,所以是扩散机制;但是持续扩散,直到source极的电子浓度和沟道中的电子浓度差不多,这个时候,就是漂移机制起作用了。

来源:加油射频工程师
电子芯片材料
著作权归作者所有,欢迎分享,未经许可,不得转载
首次发布时间:2025-05-05
最近编辑:4小时前
加油射频工程师
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