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SiC MOSFET的短路失效可靠性
电力电子技术与新能源论坛www.21micro-grid.com本文摘要:(由ai生成)SiCMOSFET短路失效可靠性较硅基IGBT差,易导致G-S和D-S短路。短路故障分...
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LLC变换器控制方法
LLC变换器控制方法电力电子技术与新能源论坛www.21micro-grid.com电力电子技术与新能源小店来源:电力电子技术与新能源
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大厂台达 环路设计Principles_of_Converter_Control
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IGBT的损耗计算和结温估计
摘要IGBT模块在选用前需进行热仿真,以评估使用条件是否超过其额定值。仿真输入涵盖电压、频率、功率因数、调制比、输出电流、冷却条件等。总...
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详解SPWM与SVPWM的原理、算法以及两者的区别
摘要SPWM和SVPWM是两种PWM技术,用于逆变器和变频器生成正弦波输出。SPWM通过改变脉冲宽度模拟正弦波,适用于直流交流逆变器,但直流侧电压利...
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电动汽车OBC磁元件分析与设计
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ANPC应用于1500V光伏逆变器
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光伏逆变器故障电弧检测AFCI详解附电路分析
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光耦CTR的余量设计
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与郑州大学周俊杰教授一起学“反问题及工程应用探讨”
本文摘要(由ai生成):这篇文档主要介绍了反问题的研究价值、定义、研究进展以及工程应用场景,并探讨了反问题在科学研究、工程技术和产品创...
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