Sentaurus仿真

我们的器件结构是这样的，首先是在硅片(重掺硅+SiO2)上面有一层Ta2NiSe5，然后在Ta2NiSe5上面均匀生长三个电极，然后在两侧的电极上面加等大一正一负的电压，这样由于分压效应中间的电极理想条件下电压为0，然后我们中间的电极是做得长一点，作为一个栅电极，在上面有一层hBN跟WSe2，然后WSe2两侧做了一个N掺杂，然后长了金属电极，所有金属均为Ti+Au