电吸收调制激光器（EML）高速特性仿真

01. （主要）片上电吸收调制器（EAM）各种设计的高速特性区别？如1.纯深脊波导双沟；2.用聚酰亚胺（PI）填的双沟；3.用PI填满；4.纯掩埋；5.掩埋，然后两侧挖下去；6.掩埋，然后两侧挖下去，再填PI留下双沟；7.掩埋，然后两侧挖下去，再PI填满等。
02（次要），片上EAM的电极pad下面的绝缘垫的材料特性、厚度、尺寸等对芯片的影响；电极pad及连接短线的大小、形貌对芯片的影响。

需求：请问这些不同设计是怎么影响器件的电阻、电容、电感等阻抗特性的？对等效电路产生了什么影响？最终对速率产生了什么影响？
1. 给出不同设计下的EML的等效电路图。最好既给出平面等效电路图，又给出结合器件示意图得到的等效电路图；
2. 给出不同设计下的阻抗特性（电容电阻等），并说明它影响了等效电路图的哪个部分；
3. 给出不同设计下的小信号带宽曲线。

对工程师的期望：希望熟悉电吸收调制激光器（EML），并对EML的高速仿真有丰富的经验，感谢。