不同间距对半导体cnt器件性能影响

主要想看一下不同间距对半导体型cnt器件性能的影响，1.cnt的长度定在500~1000nm，手性可以调整，通过给定手型指数(n,m)，计算管径和能隙。
2.cnt特性：平行排布，同种手性，长度相等、两端对齐。源漏极压在cnt上，间距在500nm。
3.电极材料和介质材料没有特殊要求，常规使用的就行，比如Au，Pt，HfO2这种。4. 输出，Ids-Vgs，Ids-Vds，SS。然后需要根据cnt排布间距10nm，20 nm，40 nm，80 nm，看有没有明显趋势变化，模型要求三维，管是平行排布的，数量6根，平行碳管的间距和数量需要可调，

结果结果：1）看一个器件中，排布1根、2根、3根……6根cnt时，器件的电学性能；2）改变6根平行排布的cnt的间距，看到几种间距下的电学性能表现，电学性能输出结果：传输特性曲线，转移特性曲线，峰值跨度，亚阈值摆幅，等等