ANSYS在SiC器件制造和封装中的应用

导电型碳化硅功率器件主要是通过在导电型衬底上生长碳化硅同质外延层，得到碳化硅外延片后进一步加工制成，品种包括SBD、MOSFET、IGBT等，主要用于电动汽车/充电桩、光伏新能源、轨道交通等领域。

半绝缘型碳化硅基射频器件是通过在半绝缘型碳化硅衬底上生长氮化镓外延层，制得碳化硅基氮化镓外延片后进一步制成，包括HEMT等氮化镓射频器件，主要面向通信基站以及雷达应用的功率放大器。