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X-ray,热阻法,瞬态热阻法——无损质量全检技术比较(一)

14天前浏览197
3月份写过一篇文章,提到了如何在质量检测中应用瞬态热测试技术,收到了一些读者的反馈,也提出了一些疑问,今天用这篇文章详细地为大家解析无损质量检测技术。据我了解,在该领域,也没有行业标准,纯粹是个人的理解和实践总结,仅供参考。  
电子元器件无损质量全检技术,比较常见的一种是使用X-ray检测,既通过X射线的透射和散射原理,实现对电子元器件内部结构和缺陷的检测。当X射线穿过样品时,不同密度的材料对X射线的吸收程度不同,因此可以通过测量透射或散射后的X射线能量,得到样品内部的密度分布和缺陷信息。

图一 电子产品质量检测 X-ray

检测前,需要做一定的准备,在进行电子元器件X-ray检测前,需要先对样品有可能产生的质量问题,做充分的了解,包括样品的结构、材料、工艺以及可能存在缺陷的形态,位置等。因为,为了尽可能获得有效数据,需要根据样品的特性和要求,选择合适的X-ray设备和技术参数。  
准备工作完成后,就可以进行检测,将样品放置在X-ray设备中,调整设备参数和角度,使X射线能够充分照射到样品的各个部位。设备采集透射或散射后的X射线能量并通过计算机系统处理,转换成图像数据和信息。  
图像数据处理和分析目前主要依靠人工,有经验的工作人员观测样品内部的组织和结构,以及可能存在的缺陷,并对这些信息进行判断和评估,可以确定产品的质量和性能是否符合要求。也有一些设备开发了图像设别技术,但该技术尚处于开始阶段,并未在工业中大面积的应用。  
X-ray无损检测技术的工业应用,主要有:  
  • 集成电路的封装工艺检测:层剥离、开裂、空洞和打线工艺;    

  • 印刷电路板制造工艺检测:焊线偏移,桥接,开路;    

  • 表面贴装工艺焊接性检测:焊点空洞的检测和测量;    

  • 连接线路检查:开路,短路,异常或不良连接的缺陷;    

  • 锡球数组封装及覆芯片封装中锡球的完整性检验;    

  • 高密度的塑料材质破裂或金属材质检验;    

  • 芯片尺寸量测,打线线弧量测,组件吃锡面积比例量测。    

X-ray可以很好的检测电子产品的大部分质量问题,因为对图片的处理和评估主要靠人工,如果评估人员的经验不足,或者质量问题无法用图像来显示(比如孔隙微小的虚焊),所隐含的质量问题,并不能很好的被检测出来。  
电子产品内部的散热,主要依赖材料和材料之间的热传导,如果产品中存在质量隐患,会导致产品的热传导能力下降,从而导致产品的热阻增大,用热阻法检测电子产品的质量问题,也是一种比较常见的方法。  
搭建热阻测试台架,包括上位机,测试主机,夹具,下位机等等。把样品放入台架中,测试样品某一个特点的热阻值。在测试前,和X-ray一样,也需要做一定的准备工作。  

图二,热阻法质量检测流程  

热阻的定义是温度梯度除以功率,测量热阻的方法参考JESD 51-1的标准(参考文章:热测试(一)——ETM法测量结温),热阻法测量质量问题的大致步骤如下:  
  1. 一般以样品中主要的半导体热源作为电学法测试对象,根据该半导体选择合适的测试电流,并测试该电流相应的电压温度响应系数K    

  2. 选择合适的加热电流;    

  3. 加热至热平衡;    

  4. 测量热平衡状态下的结温T1    

  5. 设定散热路径上某特点温度测量点,并测试其温度T2    

  6. ΔT=T1-T2 ,得到温度差,并除以加热功率P,计算出结到某特定点的热阻值    

  7. 对比基准热阻值,相减后得到热阻的偏移值,若偏移值超过上限,则样品为不良品。     

要得温度梯度,需要检测两个温度,实际工程应用中,通常是以环境温度作为T2,这样就只要测量芯片的稳态结温,最终会转化成测量结电压,既基于良品做芯片结温电参数(结电压)的测量,测试值作为对标基准。通过标准工装夹具,对被测样品做结电压的测量,计算实际测量电压和基准电压的差值,若差值超过一定的数额则为不良品。  
热阻法的判据比较简单直接,如果测试条件规范,其应用简单快速,一定程度上,可以满足大批量样品的全检要求,但是热阻法也存在一些问题及风险:  
  • 加热到热平衡,需要一定的时间,这和被测样品的总热容有关;    

  • 电压表征的是温度值,但是不同芯片的电压温度系数K,可能会存在差异,实际检测中又不可能对每个芯片的K系数做标定;    

  • 如果被测芯片的一致性不是很好,测量结果也会存在差异;    

  • 无法计算0秒的结温,误差不可避免;    

  • 偏离值设置也是问题,偏离过小,导致大批良品被检测出来,而偏离过大,就有漏检的风险;    

  • 电子产品的质量问题,可能出现在多个位置,比如焊料,基板,封装等等,最终的温度增量是每个质量隐患的叠加和统合,而质量问题一般不会在整个散热路径上均匀分布。    

热阻法的本质是测系统的稳态热阻,核心测量设备技术难度低,操作简单,价格便宜。因此,热阻法对于简单的散热结构的质量检测,比如单一部位的质量问题,如果给与适当的冗余,还是具备一定应用价值的。但是,如果被测样品的散热路径比较复杂,有可能是多个质量问题并存的情况下(工业上大概率是如此),热阻法就力不从心了。  
最近几年,一种新兴的无损质量全检技术——瞬态热阻法,逐步被行业认知并应用。  

图三 瞬态热阻法  

瞬态热阻法和热阻法都是电学法,瞬态热阻法是在降温区,以高频信号连续采集结温信息,得到结温随着时间变化的曲线(参考JESD 51-14的标准,或者文章《热测试(二)——瞬态热测试与结构函数》)。应用瞬态测试技术,一定程度上可以解决热阻法难以解决的问题。  
瞬态热测试技术得到的数据都有时间坐标,关注的是温度随时间的变化,因此,并不需要把系统加热到热平衡,这可以大大缩短每个检测周期的时间。  
从热源(Chip)到环境,材料的时间常数分布,大致如下:  
芯片层(Die),其时间常数大概是数10us-ms  
Die Attach,其时间常数大概是数10ms  
封装结构,其时间常数大概是几百ms-秒级;  
散热结构,其时间常数大概是几十秒到几千秒。  
从上述的时间常数谱,可以看出如果质量问题出现在Die Attach层,加热时长只有几十ms最多是几百ms即可,因此可以根据实际需要检测部位的时间常数来确定加热时间,无需加热至热平衡。  

图四 脉冲功率和热平衡下Zth的对比  

从上图可以看出,在4ms之前脉冲功率的Zth曲线和热平衡的Zth曲线,几乎是完全重合的。也就是说,如果需要检测这部分材料,加热时长只要数十ms即可。
来源:今昔CAE随笔
电路半导体电子芯片焊接材料
著作权归作者所有,欢迎分享,未经许可,不得转载
首次发布时间:2024-05-19
最近编辑:14天前
今昔CAE随笔
本科 | 销售总监 allenchousf
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