常用器件数据手册讲解 | 带你看懂MOS管的每一个参数

VDSS：漏极与源极之间电压的最大值不能超过-60V ；

VGSS：栅极与源极之间可以承受的最大电压±20V；

ID：漏极能流过的最大电流-130mA；

IDM：脉冲峰值，对于功率MOS来讲一般都有着很强的峰值通流能力，用于PWM开关的控制。

PD：器件能够承受的最大功率225mW，25℃以上需降额，温度升高1 ℃ ，降低1.8mW；

RθJA：热阻556 ℃/W；

Tj：结温和最大储存温度都是150℃

TL：一般是指手工焊接，或者利用回流焊，波峰焊等工艺，芯片可以短时间承受的最大温度。

那么结温和热阻有什么用呢？--半导体器件主要通过热传递的方式对元件本身进行散热，当芯片温度升高，超过结温后会导致元件损坏。具体计算方法可参考下式：

Tj=Ta+( R θJA × PD )
Ta = 封装的环境温度 ( º C )
R θJA = P-N结至环境的热阻 ( º C / W ) （数据手册一般会提供）
PD = 封装的功耗即功率 (W) 芯片功耗 = Pin-Pout

降低结温的途径：
1、减少器件本身的热阻；
2、良好的二次散热机构；
3、减少器件与二次散热机构安装介面之间的热阻；
4、控制额定输入功率；
5、降低环境温度；

VBRDSS：VGS= 0时，漏极与源极之间的击穿电压。

IDSS：零栅极电压漏极电流，VGS= 0时，D与S之间加VDSS。

IGSSF： VGS=20时，正向栅极-体漏电流。

IGSSR： VGS=-20时，反向栅极-体漏电流。

IGSSF、IGSSR是评估CMOS器件可靠性和稳定性的参数，设计时无需过

渡关注。

VGS(th)：开启电压，VGS(th)具有负的温度特性，而且变化率

比双极型晶体管大，MOSFET约为-5mV/°C。

RDS(on)：MOSFET处于导通状态下的阻抗。导通阻抗越大，则

开启状态时的损耗越大。因此，要尽量减小MOSFET的导通阻抗。

|yfs|：跨导， △ Id/ △ VGS，表示栅源电压VGS对漏极电流Id控制

能力的大小，影响MOS开关的响应速度。

输入电容（Ciss）：45pF

输出电容（Coss）：4pF

总栅极电荷（Qg）：1.1nC，栅极总电荷Qg大，驱动损耗大；

栅源电荷（Qgs）：0.3nC

栅漏电荷（Qgd）:0.2nC

Ciss=Cgd+Cgs，Cds shorted

Coss=Cgd+Cgs

Crss=Cgd

开启延迟时间（td(on)）：4.8ns

上升时间（tr）：19ns

关断延迟时间（td(off)）：52ns

下降时间（tf）：32ns

连续二极管正向电流（IS）：-0.13A

脉冲二极管正向电流（ISM）：-0.52A

二极管正向电压（VSD）：-2.2V

反向恢复时间（trr）：xx ns

反向恢复电荷（Qrr）：xx uC

ISmax=-0.13A

ISMmax=-0.52A

VSD=-2.2V

td(on)=4.8ns,tr=19ns, ton= td(on)+tr=23.8ns

td(off) =52ns,tf=32ns, toff= td(off)+tf=84ns

(评估转移特性)

栅源电压VGS和漏极电流ID关系

温度不变，VGS增大，ID增大；

VGS不变，ID随温度升高而降低。

(评估输出特性)

漏源电压VDS和漏极电流ID关系

电压不变，VDS增大，ID增大；

VDS不变，ID随电压升高而增大。

漏源导通电阻Rdson和漏极电流ID关系

温度不变，ID增大， Rdson缓慢增大；

ID不变， Rdson随温度升高而增大。

漏源导通电阻Rdson和结温Tj关系

同一曲线，Tj增大， Rdson增大；

不同曲线， Tj增大，ID越大，Rdson越小。

漏极电压VDS和寄生电容关系

VDS增大，寄生电容减小，Ciss最大，

Coss次之，Crss最小；

寄生二极管压降-VSD和前向电流-IS关系

温度不变，-IS基本保持稳定，满足二极管特性；

-VSD不变，温度升高， -IS电流会增大。

最后就是MOSFET的封装尺寸了。

1、在校大学生、应届毕业生；

2、助理硬件工程师；

3、想转行做硬件设计；

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