DDR 的 PCB布局及走线要求
1. 定义
DDR：Double Date Rate 双倍速率同步动态随机存储器。
DDR、DDR2、DDR3常用规格：
2. 阻抗控制要求
单端走线控制 50 欧姆，差分走线控制 100 欧姆
3. DDR 布局要求
通常，根据器件的摆放方式不同而选择相应的拓扑结构。
A、DDR*1 片，一般采用点对点的布局方式，靠近主控，相对飞线 Bank 对称。间距可以按照是实际要求进行调整，推荐间距为 500-800mil。
B、DDR*2 片，布局相对主控飞线 Bank 对称，常采用 T 型拓扑结构， 推荐间距如下：
等长要求 L1+L2=L1+L3
C、DDR*4 片，以下列出了常用的 4 片 DDR 布局拓扑结构。
针对于 DDR2，这些拓扑结构都是能适用的，只是有少许的差别。
若PCB布线空间允许，Address/Command、Control、CLK，应优先采用单纯的“T”型拓扑结构，并尽可能缩短分支线长度，如上面拓扑结构的B图所示。
等长要求 L1+L2+L6=L1+L2+L7=L1+L3+L4=L1+L3+L5
然而，菊花链式拓扑结构被证明在 SI 方面是具有优势的。对于 DDR3 的设计， 特别是在 1600 Mbps 时，则一般采用 D 所示菊花链拓扑结构进行设计。
PCB 布线空间有限的，可以采用“T”型拓扑和菊莲拓扑混合的结构，如下图所示：
混合拓扑结构中“T”型拓扑的要求与两片DDR2/3 相同。
等长要求 L1+L3+L2=L1+L4+L5
4. 信号分组以及走线要求（以下以4片DDR3设计进行说明）
A、32条数据线（DATA0-DATA31）、4条DATAMASKS（DQM0-DQM3）, 4对DATASTROBES差分线（DQS0P/ DQS0M—DQS3P/DQS3M）
这36条线和4对差分线分为四组：
再将剩下的信号线分为三类：
Address/Command 、Control与CLK归为一组，因为它们都是以CLK的下降沿由DDR控制器输出，DDR颗粒由CLK 的上升沿锁存Address/Command、Control 总线上的状态，所以需要严格控制CLK 与Address/Command、Control 之间的时序关系，确保DDR颗粒能够获得足够的、最佳的建立/保持时间。
B、误差控制，差分对对内误差尽量控制在5mil以内；数据线组内误差尽量控制在+-25mil以内，组间误差尽量控制在+-50mil以内。
Address/Command 、Control全部参照时钟进行等长，误差尽量控制在+-100mil 以内。
C、数据线之间间距要满足3W原则，控制线、地址线必要时可稍微放宽到2W~3W， 其他走线离时钟线20mil或至少3W以上的间距，以减小信号传输的串扰问题。
D、VERF电容需靠近管脚放置，VREF走线尽量短，且与任何数据线分开，保证其不受干扰（特别注意相邻上下层的串扰），推荐走线宽度>=15mil。
E、DDR设计区域，这个区域请保障完整的参考平面，如下方图片所示：
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