大电流下,如何让MOS管/IGBT乖乖听话?驱动电路设计指南请收下
大家好,我是王工。今天为大家带来的是由TI编撰的《MOSFET与IGBT栅极驱动器电路设计原理》专业技术文档。这份资料对于咱们做开关电源研发、电机驱动、新能源逆变系统等领域的工程师具有重要的参考价值。作为开关电源系统的核心功率器件,MOSFET和IGBT的驱动电路设计直接关系到系统整体性能表现。在实际工程应用中,栅极驱动电路的优化是解决炸管、电源效率、热管理和EMI等关键问题的核心所在。本文档系统性地分析了当前主流的驱动电路解决方案。文档内容采用循序渐进的组织方式:首先从MOSFET基础技术原理和开关运行机制切入,逐步深入到各类实际应用场景。其中 特别值得关注的是对以下内容的详细阐述:接地参考型与高侧栅极驱动电路的完整设计流程交流耦合与变压器隔离的两种驱动方案同步整流器应用中MOSFET栅极驱动的特殊设计考量以下是设计指导声明: 声明:文字原创,文档来源于TI。本号对所有原创、转载文章的陈述与观点均保持中立,推送文章仅供读者学习和交流。文章、图片等版权归原作者享有,如有侵权,联系删除。 来源:硬件笔记本