收集了技术群里13个基础问题

最近在几个技术群里看到一些基础但出现频率很高的问题，今天整理出来和大家一起探讨，希望能帮助到刚入行的工程师朋友们。

MOS管选型主要参数有哪些?

选MOS管时主要看以下几个关键参数：Vds(漏源电压)、Id(漏极电流)、Rds(on)(导通电阻)、Qg(栅极电荷)、Vgs(栅源电压)。

实际选型要根据电路的工作电压和电流需求来综合考虑。

NMOS与PMOS的区别？

简单来说，NMOS导通时电流从漏极流向源极，需要栅极电压高于源极；PMOS则相反，电流从源极流向漏极，需要栅极电压低于源极。NMOS通常导通电阻更小，成本更低，所以应用更广泛。

电解电容内部是化学电解液，反向电压会导致化学反应不可逆损坏，所以必须区分极性。而瓷片电容是物理结构存储电荷，没有化学反应，所以可以双向使用。

DC-DC是开关电源，效率高(可达90%以上)但噪声大；LDO是线性稳压，效率低(≈Vout/Vin)，但输出干净。

选型原则：大压差、大电流用DC-DC；小压差、低噪声场合用LDO。

主要原因包括：开关管快速切换产生的高频噪声、电感电流不连续、布局不合理导致的地弹、反馈环路不稳定等。

解决方法包括优化布局、增加滤波、选择合适频率等。

Buck电路PCB布板注意事项

1、输入电容尽量靠近芯片Vin引脚

2、功率回路面积最小化

3、反馈走线远离噪声源

4、地平面要完整

带宽是示波器能准确显示的最高频率(-3dB点)，一般要≥5倍信号频率；采样频率是ADC每秒采样次数，理论上要≥2倍信号频率(奈奎斯特)，实际建议4-5倍以上。

必须加上拉！因为I2C是开漏输出，本身无法输出高电平，靠上拉电阻将总线拉高。阻值一般选4.7k-10k，具体根据总线电容和速度调整。

电容通高频阻低频。网上说1uF电容通常用于滤除1K到10KHz频率的信号。

1uF电容的滤波频率大约在：f=1/(2πRC)，假设R=1Ω，则f≈160kHz。所以1uF常用于滤除几百kHz以下的噪声。同时也要考虑ESR和封装，也会有一定的影响，所以我们一般都是大小电容配个滤除更宽频率范围内的波形。

寄生电容是导体间非故意形成的电容，也叫杂散电容。寄生电容只能尽量减小，无法消除避免，它是制造工艺决定的，可选用以下方式尽量避免：增加间距、缩短走线、使用屏蔽、选择低介电常数材料等。

过孔主要有两个寄生参数：寄生电感和寄生电容。寄生电感会增加信号的传输延迟，并在过孔处由于阻抗不连续导致信号反射。寄生电容会延长信号的上升时间，导致电路速度降低。

还有包括包括：引起信号反射、降低电源完整性、增加EMI问题等。

单片机跑飞或者死机，往往让人摸不着头脑，但其实常见原因就那么几类，咱们一个个来看：

1、软件问题（最容易中招）

• 死循环或逻辑错误：代码卡在某个循环里出不来，或者条件判断写错，程序“迷路”了。

• 看门狗没喂：开了看门狗却没按时“喂狗”，单片机被强制复位。

2、硬件问题（该查的别偷懒）

• 电源不稳：电压波动、电源噪声大，单片机供电不足，直接“宕机”。

• 复位电路异常：复位信号不稳定，单片机反复重启或者干脆不启动。

• 时钟信号出问题：晶振不起振、时钟电路受干扰，单片机“心跳”乱了。

• 电磁干扰（EMI）：强电磁环境导致信号紊乱，程序跑飞。

• 芯片或电路故障：单片机本身损坏、虚焊、接触不良，硬件问题没得商量。

3、外设惹的祸（别光盯着代码）

传感器/电机异常：外设信号异常、短路、过载，把单片机拖垮。

通信干扰（I2C/SPI/UART）：信号线受干扰，数据传错了，程序处理异常。

怎么排查？

先看电源：用万用表测电压稳不稳，纹波大不大。

查复位和时钟：示波器看复位信号和晶振波形是否正常。

软件调试：加日志、断点调试，重点查数组、指针、中断处理。

隔离外设：逐个断开外设，看看是不是某个设备导致的。

总结：死机跑飞无非“软、硬、外”三大类，按这个思路查，问题基本跑不掉！

当产品设计没规定指示灯颜色时，按这个顺序选准没错：

1、红色：电子产品的"急救灯"
• 最显眼，老远就能看见
• 专门用来报错/报警（比如电源挂了、系统崩了）

2、黄色/橙色：设备的"温馨提示"
• 比红色温和，比绿色显眼
• 适合表示待机、需要维护等提醒状态

3、绿色：经典的"OK灯"
• 表示通电正常、运行良好

4、蓝色：科技感的"正常指示灯"
• 表示一切运行正常
• 一般应用场景用的比较少

因为手持设备经常被人体接触，人体静电可达数kV，会损坏敏感芯片。ESD器件能在纳秒级将高压泄放，保护内部电路。

这些问题虽然基础，但确实是工程师日常工作中经常遇到的，特别是对于一些刚入门的同学。大家还有什么常见问题，欢迎在评论区补充讨论！

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