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IGBT基本特性

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IGBT基本特性

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来源:电力电子技术与新能源
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首次发布时间:2025-10-26
最近编辑:3天前
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大电流和大电压采样电路设计方式

大电压采样电路: 需要串联多个电阻进行分压,从而一级一级降低电压,防止电阻损坏或者短路直接打穿MCU。为什么需要加电压跟随器:进行阻抗的隔离,防止MCU的IO阻抗对分压产生影响: 大电流检测电路:隔离式线性霍尔电流传感器 MCS1806 小电流检测电路: 按键上电电路: 反相器: 电平转换电路: 虚短:运放的两个输入端视为同等电位;虚断:因为流入运放输入端的电流往往不足1uA,所以输入端可以视为等效开路。电压、电流采样电路设计主要方式:使用采样电阻,再送给放大器使用霍尔传感器使用电流检测IC低边电阻在接地通路中增加了不希望的额外阻抗;采用高侧电阻的电路必须承受相对较大的共模信号。低侧电流测量的优点之一是共模电压, 即测量输入端的平均电压接近于零。这样更便于设计应用电路, 也便于选择适合这种测量的器件。低侧电流感测电路测得的电压接近于地, 在处理非常高的电压时、 或者在电源电压可能易于出现尖峰或浪涌的应用中, 优先选择这种方法测量电流。由于低侧电流感测能够抗高压尖峰干扰, 并能监测高压系统中的电流。常见的开关电源控制模式有: 电压模式 电流模式 恒定导通时间模式 电路一:可以实现单向的防倒灌电路,因为即使PMOS关断,PMOS的体二极管还是会漏电。经过测试这个电路如果正向施加电压,负载电压直接等于电源电压的。 电路二:可以实现双向的防倒灌电路,但是需要一个IO控制电路。如果只使用一个MOS管,当控制MOS管关断时,电池可以通过MOS管的体二极管进行放电,这时就起不到关断作用。 三极管的基极并联一个电容可以加速三极管的导通关断时间,利用的是电容两端电压不能突变的原理: 注意防反接电路PMOS的寄生二极管的方向,一定是反着电源电流流通顺序的,不然丝毫没有起到防反接的作用。下图中PMOS的源极在左,漏极在右。 MOS的防反接电路: 无桥PFC的工作原理:用四颗MOS管代替四个二极管组成的整流桥进行整流: MOS 管栅极加二极管可以加速关断:为MOS的节电容提供了放电路径: 说明:本文来源网络;文中观点仅供分享交流,不代表本公众 号立场,转载请注明出处,如涉及版权等问题,请您告知,我们将及时处理。来源:电力电子技术与新能源

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