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声波滤波器全面对比(附参考书推荐)

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在射频前端领域,声波滤波器是实现 “信号筛选” 的核心器件 —— 它能从复杂的电磁信号中,精准提取目标频段(如 5G 的 2.6GHz、WiFi 的 5GHz),同时抑制无关干扰(如相邻频段的杂散信号)。随着 5G 通信、物联网、毫米波雷达的爆发,声波滤波器(尤其是 BAW/FBAR)因 “高频性能优、体积小、集成度高” 成为行业热点,也推动其相关岗位在招聘市场上 “薪资领跑”。

本文将从 “基础概念→核心类型(SAW/BAW/FBAR)→关键指标→应用场景” 全维度拆解声波滤波器,我们一起来全面认识一下这种类型的滤波器吧。

No.1 先懂基础:什么是声波滤波器?为什么需要它?

在讲具体类型前,先明确声波滤波器的 “本质” 和 “价值”—— 这是理解其成为热点的前提。

1. 核心:用 “声波振动” 实现滤波

声波滤波器是基于压电效应(电声转换)和声波传播特性,对射频 / 微波信号进行频率选择的器件。其核心逻辑是:

  • 第一步(电→声转换):输入的电信号通过 “压电材料” 转化为 “声波振动”(表面波或体波);
  • 第二步(波的筛选):利用声波在特定结构中的 “共振 / 干涉 / 反射” 特性,只让目标频段的声波保留,其他频段的声波被衰减;
  • 第三步(声→电转换):筛选后的声波再转化为电信号输出,实现 “滤波” 功能。

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简单类比:就像一把 “声波梳子”,只允许特定频率的 “信号头发” 通过,其他频率的 “杂发” 被梳掉。

2. 为什么声波滤波器成 “热点”?

在射频前端(如手机、基站的信号接收 / 发射模块)中,传统滤波器(如 LC 滤波器、陶瓷滤波器)存在明显短板,而声波滤波器完美适配了 “高频化、小型化、高集成” 的趋势:


滤波器类型    
核心短板    
声波滤波器的优势(SAW/BAW)    
LC 滤波器(电感 + 电容)    
高频下 Q 值低(信号损耗大)、体积大(高频电感难微型化)    
Q 值高(≥200,信号损耗小)、体积小(毫米级,适合手机)    
陶瓷滤波器    
带宽窄(仅支持单一频段)、高频性能差(>2GHz 损耗剧增)    
带宽灵活(可设计窄带 / 宽带)、高频性能优(BAW 支持 6GHz+)    


尤其是 5G 时代,射频前端需要 “多频段、高频段、小体积” 的滤波器(比如手机要支持 2G/3G/4G/5G 的十多个频段),声波滤波器成为唯一能满足需求的方案 —— 这也是其招聘需求和薪资飙升的核心原因。

No.2  声波滤波器的核心分类:SAW vs BAW(含 FBAR/SMR)

声波滤波器的核心分为两大类:声表面波滤波器(SAW) 和体声波滤波器(BAW),而 BAW 又细分为薄膜体声波滤波器(FBAR) 和固态装配体声波滤波器(SMR)。三者在原理、结构、性能上差异显著,对应不同的应用场景。

1. 声表面波滤波器(SAW):“表面传播” 的中低频主力

SAW(Surface Acoustic Wave)是最早商用的声波滤波器,核心是声波在压电材料的 “表面” 传播,就像水面上的波纹只在表层扩散。


(1)工作原理:电声转换 + 波的干涉

SAW 的核心结构由 “压电基底” 和 “叉指换能器(IDT)” 组成,原理可拆解为 3 步:

  1. 电→声转换

    :IDT(像两把交错的 “梳子”)通电后,在压电基底(如铌酸锂 LiNbO3、钽酸锂 LiTaO3)表面产生交变电场,压电材料因 “压电效应” 发生机械振动,生成声表面波(传播方向与 IDT 电极垂直,仅在基底表面 1-2 个波长深度内传播);  
  2. 信号筛选

    :声表面波在传播过程中,不同频率的波会因 “干涉效应” 被筛选 —— 目标频率的波会叠加增强,非目标频率的波会相互抵消衰减;部分 SAW 还会在 IDT 两侧加 “反射栅”,进一步反射目标波、抑制杂波;  
  3. 声→电转换

    :筛选后的声表面波到达输出 IDT,再次通过压电效应转化为电信号,完成滤波。  

(2)核心特点:成本低、中低频优,高频受限

优点    
缺点    
1. 成本低:结构简单(IDT 可通过光刻工艺批量制造),原材料(LiNbO3)成熟;2. 中低频性能好:在 3GHz 以下频段,插入损耗小(典型 0.5-2dB)、选择性高;3. 集成度高:可与其他元件(如天线、开关)集成到同一基底,适合小型化。    
1. 高频损耗大:频率 > 3GHz 时,声表面波在传播中能量衰减剧增(因表面散射),无法满足 5G Sub-6GHz 高频段(如 3.5GHz)需求;2. 功率容量低:表面振动易受大功率信号破坏,仅适合手机终端(小功率),不适合基站(大功率);3. 温度稳定性差:压电材料(如 LiNbO3)的压电系数随温度变化大,高温下滤波性能漂移。    

(3)典型应用场景

  • 手机中低频段:2G(900MHz)、3G(2100MHz)、4G 中低频(1.8GHz、2.1GHz)、WiFi 2.4GHz;
  • 物联网设备:NB-IoT(800MHz/900MHz)、蓝牙(2.4GHz);
  • 消费电子:FM 收音机(88-108MHz)、电视信号接收。

2. 体声波滤波器(BAW):“内部传播” 的高频王者

BAW(Bulk Acoustic Wave)是为解决 SAW 的 “高频短板” 而生,核心是声波在压电材料的 “内部”(体相)传播,而非表面,因此高频性能远超 SAW,是 5G 高频段(Sub-6GHz、毫米波)的核心器件。


BAW 根据结构差异,分为FBAR(薄膜体声波谐振器) 和SMR(固态装配体声波谐振器) 两类,两者原理相似(均为 “厚度共振”),但结构不同。

(1)核心原理:厚度共振 + 能量封闭

BAW 的核心是 “压电薄膜的厚度共振”—— 压电材料的厚度决定了共振频率(频率与厚度成反比:厚度越薄,频率越高),原理如下:

  1. 电→声转换

    :在压电薄膜(如氮化铝 AlN、氧化锌 ZnO)的上下表面镀 “金属电极”,通电后,电场使压电薄膜产生 “纵向伸缩振动”(体声波在薄膜内部上下反射);  
  2. 共振筛选

    :当输入信号频率等于 “压电薄膜的厚度共振频率” 时,体声波会发生 “共振”,信号顺利通过;非共振频率的信号则被薄膜吸收或反射,无法通过;  
  3. 能量封闭

    :为避免体声波能量泄漏,FBAR 采用 “悬浮结构”(压电薄膜四周悬空,底部无基底),SMR 采用 “布拉格反射层”(多层高低阻抗材料叠加,反射体声波),确保能量集中在薄膜内部。  

(2)FBAR vs SMR:BAW 的两大技术路线

FBAR 和 SMR 是 BAW 的两种主流实现方式,技术竞争集中在 “苹果供应链”(FBAR)和 “安卓供应链”(SMR),两者差异如下:


对比维度    
薄膜体声波谐振器(FBAR)    
固态装配体声波谐振器(SMR)    
核心结构    
压电薄膜(AlN)悬浮在衬底上(底部无支撑,仅边缘固定)    
压电薄膜(AlN)下方有 “布拉格反射层”(如 W/SiO2 交替层),底部有衬底    
关键优势    
1. 能量泄漏少(悬浮结构无基底吸收),Q 值更高(典型 > 1000);2. 频率上限高(可支持毫米波 28GHz/39GHz);3. 体积更小(无反射层,厚度更薄)。    
1. 结构稳定(有衬底支撑),制造良率高;2. 成本较低(布拉格反射层工艺成熟);3. 功率容量略高(衬底可散热)。    
技术难点    
1. 悬浮结构易破损,制造工艺复杂(需刻蚀掉底部衬底);2. 良率较低(薄膜厚度均匀性要求极高)。    
1. 布拉格反射层会引入少量能量损耗,Q 值略低于 FBAR;2. 高频下反射层匹配难度大(毫米波频段损耗增加)。    
主流厂商    
美国 Qorvo(收购 FBAR 鼻祖 Avago)、日本 TDK(收购 Epcos)    
美国 Broadcom、日本村田(Murata)、中国中电科    

(3)BAW 的核心特点:高频、高 Q、耐高温


优点    
缺点    
1. 高频性能顶尖:频率覆盖 1GHz-100GHz,完美适配 5G Sub-6GHz(3.5GHz、4.9GHz)和毫米波(28GHz、39GHz);2. Q 值极高:典型 Q 值 500-1500(FBAR 更高),插入损耗小(高频段 < 1dB),信号保真度高;3. 温度稳定性好:压电材料(AlN)的温度系数低,-40℃~85℃环境下性能漂移 < 1%;4. 功率容量高:体声波能量集中在内部,可承受大功率(如基站 PA 输出的 20W 功率),适合基站和雷达。    
1. 成本高:工艺复杂(薄膜沉积、光刻、悬浮结构 / 反射层制造),设备投入大;2. 制造难度大:压电薄膜厚度均匀性要求极高(误差需 < 1nm),良率控制难;3. 低频段竞争力弱:频率 <1GHz 时,薄膜需做得很厚(>1μm),制造难度增加,成本高于 SAW。    

(4)BAW 的典型应用场景

  • 5G 高频段:手机 Sub-6GHz 高频段(3.5GHz、4.9GHz)、毫米波模块(28GHz);
  • 基站:5G 宏基站、小基站的射频前端(大功率场景);
  • 雷达:汽车毫米波雷达(77GHz/79GHz)、无人机雷达;
  • 高端消费电子:WiFi 6E(6GHz 频段)、卫星通信(Ka 频段)。

3. SAW vs BAW:核心差异对比(选对器件的关键)


对比维度    
SAW(声表面波)    
BAW(体声波,含 FBAR/SMR)    
声波传播路径    
压电材料表面    
压电材料内部(体相)    
工作频率范围    
几十 MHz~3GHz    
1GHz~100GHz(毫米波)    
Q 值(品质因数)    
200~500    
500~1500(FBAR 更高)    
插入损耗    
中低频段 0.5~2dB,>3GHz>3dB    
高频段 < 1dB,毫米波 < 2dB    
功率容量    
低(≤1W,适合终端)    
高(≤20W,适合基站 / 雷达)    
温度稳定性    
差(LiNbO3 温度系数高)    
好(AlN 温度系数低)    
体积    
小(但高频下需增大面积)    
极小(薄膜结构,适合微型化)    
成本    
低(工艺成熟)    
高(尤其是 FBAR)    
核心应用    
2G/3G/4G 中低频、WiFi 2.4G    
5G 高频、毫米波、基站、雷达    

No.3  声波滤波器的关键性能指标:判断器件好坏的核心

无论是 SAW 还是 BAW,其性能都通过以下 6 个核心指标衡量,也是企业招聘中 “技术面试” 的高频考点:

1. 中心频率(fc)

  • 定义:滤波器允许通过的 “核心频段的中心值”(如 5G 3.5GHz 频段的滤波器,fc=3.5GHz);
  • 决定因素:SAW 由 IDT 电极的周期(周期越小,频率越高)决定;BAW 由压电薄膜的厚度(厚度越薄,频率越高)决定;
  • 要求:中心频率精度需≤±0.5%(5G 场景),否则会偏离目标频段,导致信号接收失败。

2. 带宽(BW)

  • 定义:滤波器允许通过的 “频率范围”(通常以 - 3dB 带宽表示,即信号功率衰减 3dB 时的频率范围);
  • 分类:窄带滤波器(BW<1% fc,如基站专用)、宽带滤波器(BW>10% fc,如手机多频段兼容);
  • 应用需求:5G 手机需要 “宽带滤波器”(如 3.3-3.6GHz,BW=300MHz),以覆盖多个子频段。

3. 插入损耗(IL)

  • 定义:信号通过滤波器后的 “功率衰减程度”(IL = 输入功率 - 输出功率,单位 dB);
  • 重要性:插入损耗越小,信号强度损失越少,手机接收灵敏度越高(续航更长)、基站覆盖范围越广;
  • 行业标准:SAW 在 2GHz 频段 IL<1.5dB,BAW 在 3.5GHz 频段 IL<1dB,毫米波频段 IL<2dB。

4. 品质因数(Q 值)

  • 定义:Q = 中心频率 / 带宽(fc/BW),反映滤波器 “频率选择性” 的好坏 ——Q 值越高,对相邻频段的抑制能力越强;
  • 影响:Q 值低的滤波器会 “漏过” 相邻频段的干扰信号(如 5G 3.5GHz 滤波器漏过 4G 3.4GHz 信号),导致通信卡顿;
  • 对比:SAW 的 Q 值≈300,FBAR 的 Q 值≈1200,因此 BAW 的抗干扰能力远优于 SAW。

5. 抑制比(Rejection)

  • 定义:滤波器对 “非目标频段信号” 的衰减程度(如对相邻频段信号的衰减,单位 dB);
  • 要求:5G 场景下,相邻频段的抑制比需≥40dB(即干扰信号通过滤波器后,功率衰减 40 倍以上),否则会干扰目标信号;
  • 示例:5G 2.6GHz 滤波器对 2.5GHz 干扰信号的抑制比需≥45dB,确保 4G 2.5GHz 信号不影响 5G 通信。

6. 功率容量(Pmax)

  • 定义:滤波器能承受的 “最大输入功率”(超过则器件损坏或性能漂移);
  • 应用差异:手机终端的滤波器 Pmax≈1W(小功率),基站的滤波器 Pmax≈20W(大功率),雷达的 Pmax≈100W;
  • 材料影响:BAW 的压电材料(AlN)机械强度高,功率容量远高于 SAW(LiNbO3 易碎裂)。

No.4  声波滤波器的产业链与市场趋势:为什么人才需求暴涨?

理解市场趋势,能更清楚 “为什么声波滤波器岗位薪资高”—— 核心是 “需求爆发 + 供给稀缺”。

1. 需求端:5G 是最大驱动力

  • 手机射频前端:5G 手机需要支持 “多频段”(通常 15-20 个频段),每个频段需 1-2 个声波滤波器,单机滤波器数量从 4G 的 10-15 颗增至 5G 的 30-50 颗;
  • 基站:5G 基站(宏站 + 小站)数量是 4G 的 2-3 倍,且每个基站需更多大功率 BAW 滤波器(用于信号放大后的滤波);
  • 物联网与雷达:物联网设备(如智能表计、车联网终端)、汽车毫米波雷达(77GHz)的普及,进一步拉动 SAW/BAW 需求。

据 Yole 数据,2025 年全球声波滤波器市场规模将突破 200 亿美元,年复合增长率达 15%,其中 BAW 占比将超过 60%。

2. 供给端:技术壁垒高,国产替代加速

  • 技术壁垒:声波滤波器的核心壁垒在 “材料(如高质量 AlN 薄膜)、工艺(如 FBAR 的悬浮结构光刻)、设计(电磁 - 声学协同仿真)”,全球仅 Qorvo、Broadcom、村田等少数企业掌握成熟技术;
  • 国产替代:过去国内声波滤波器依赖进口(占比 > 90%),近年中电科、华为海思、麦捷科技等企业加速突破 BAW/FBAR 技术,急需 “压电材料研发、工艺工程师、射频设计工程师” 等人才,导致薪资水涨船高(资深 BAW 工程师年薪可达 50-80 万)。

总结:声波滤波器的 “技术地图”

声波滤波器是 “射频前端的心脏”,其技术路线选择与应用场景强绑定:

  • 中低频段(<3GHz):SAW 是性价比之选,覆盖 2G/3G/4G 中低频、WiFi 2.4G;
  • 高频段(>3GHz,含 5G Sub-6GHz / 毫米波):BAW(FBAR/SMR)是唯一选择,支撑 5G、雷达、卫星通信;
  • 未来趋势:BAW 向 “更高频(毫米波)、更高集成(与 PA / 开关集成模组)” 发展,SAW 向 “低成本、多频段集成” 优化。

对于想进入该领域的从业者,核心需掌握 “压电材料特性、声波传播原理、射频滤波指标、制造工艺(如薄膜沉积、光刻)”,这些也是企业招聘中考察的核心能力 —— 而随着 5G 和国产替代的推进,声波滤波器人才的 “稀缺性” 仍将持续,是射频领域值得深耕的方向。

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来源:射频学堂
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首次发布时间:2025-10-19
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硕士 学射频,就来射频学堂。
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北京大学电子学院射频领域前沿研究整理

北京大学电子学院近年射频相关科研项目与课题,围绕 “材料 - 频段 - 集成 - 应用” 四大维度展开,既聚焦核心技术突破,又注重产业与跨域落地,为射频工程师提供前沿研究方向参考。(详细项目列表见文末附录)一、核心研究方向:四大维度突破射频技术瓶颈方向一:碳基纳米材料主导射频器件性能跃升主要技术亮点包括碳纳米管射频器件和二维半导体与异质结构碳纳米管射频器件相比传统硅基材料,电子迁移率提升 5-10 倍、功耗显著降低,实验室成果已实现碳管射频晶体管f_T = 540GHz、f_MAX=306GHz,重点突破 “太赫兹频段适配” 与 “CMOS 集成”,解决高频段性能瓶颈。为太赫兹雷达、6G 通信提供核心器件,如碳纳米管射频芯片适配太赫兹成像雷达小型化测试系统;二维半导体与异质结构以石墨烯、MoS₂为代表的二维半导体,凭借原子级平整表面减少信号噪声;氧化物顶栅结构提升晶体管高场耐压性,优化射频芯片 “低噪声 - 高功率” 双特性。二维半导体低噪声特性可优化超宽带 SAR 雷达前端放大器,降低信号失真率,与中科院微电子研究所 “射频 IP 核降噪设计” 形成技术互补。主要支撑项目(科技部 / 国家自然科学基金)项目类型项目 / 课题名称负责人执行周期核心目标科技部重点研发计划项目碳基太赫兹射频晶体管与微波集成电路研究(2022YFB4401600)张志勇2022.11-2026.10碳基太赫兹器件与微波电路集成科技部重点研发计划项目碳基纳米管太赫兹芯片与成像系统研究(2024YFA1209700)刘洪刚2025.01-2029.12碳基太赫兹芯片与成像系统开发国家自然科学基金基于合金接触的高性能 n 型阵列碳纳米管晶体管及其 CMOS 集成研究(62574010)曹宇2026.01-2029.12碳纳米管晶体管 CMOS 集成国家自然科学基金超洁净二维半导体低频噪声与集成技术探索(62574004)刘旸2026.01-2029.12二维半导体射频器件降噪方向二:从毫米波到太赫兹,突破频率上限主要技术亮点包括:太赫兹射频技术(&gt;100GHz)和毫米波技术。太赫兹技术从 “器件级” 向 “系统级” 跨越,重点突破两大方向:收发芯片集成:基于碳纳米管实现信号产生 - 放大 - 接收单片集成,解决分立器件体积大、损耗高问题;信号调控:通过光电融合技术(如集成光电振荡器)实现太赫兹信号精准调控,填补国内高频段调控空白。太赫兹技术满足高分辨率成像(如雷达目标细节探测)与高速数据传输(6G)需求;毫米波技术(28/39/60GHz)向 “宽频带 + 高集成” 升级,结合微波光子技术突破 10GHz 以上瞬时带宽,适配 MIMO 雷达多通道协同,提升抗干扰与探测精度。毫米波宽频带特性适配超宽带 SAR 雷达 18GHz 工作带宽测试,MIMO 协同技术提升分布式干扰对抗能力。2. 支撑项目(科技部 / 国家自然科学基金)项目类型项目 / 课题名称负责人执行周期核心目标科技部重点研发计划课题太赫兹碳基器件和电路研制(2022YFB4401603)丁力2022.11-2026.10太赫兹碳基电路开发科技部重点研发计划课题强磁场太赫兹回旋管理论设计与器件研制(2021YFA1600302)杜朝海2022.01-2026.12太赫兹回旋管器件设计国家自然科学基金基于集成光电振荡器的毫米波 / 太赫兹波产生、调控及应用研究(62405009)韩丰远2025.01-2027.12太赫兹信号产生与调控国家自然科学基金基于微腔光梳的混沌分布式 MIMO 雷达关键技术研究(62505004)沈碧涛2026.01-2028.12毫米波 MIMO 雷达抗干扰方向三:从 “器件 IP” 到 “系统级集成”,提升应用效率技术亮点包括射频 IP 核与 CMOS 产业化和多模态 SoC 集成射频 IP 核与 CMOS 产业化突破 “晶圆级制造” 与 “三维集成” 技术,射频器件生产效率提升 10 倍以上;IP 核复用降低成本,推动雷达射频芯片从实验室走向工程化。晶圆级 IP 核技术降低超宽带 SAR 雷达收发芯片量产成本,如提供量产化功率放大器 IP 核;多模态 SoC 集成将射频技术与成像、传感、光子功能整合,如 “射频振荡 + 声子激光” 双模芯片、“射频滤波 + 光子梳” 集成系统,拓展射频应用场景。多模态 SoC 可实现太赫兹雷达 “目标振动特性监测”,精准捕捉目标细微特征,匹配雷达测试系统需求。支撑项目(科技部 / 国家自然科学基金)项目类型项目 / 课题名称负责人执行周期核心目标科技部重点研发计划课题高性能碳纳米管晶体管晶圆级制备(2022YFB4401601)张志勇2022.11-2026.10碳纳米管器件晶圆级量产科技部重点研发计划课题碳纳米管三维光电集成(2020YFA0714703)贺小伟2020.12-2025.11射频 - 光子芯片异质集成国家自然科学基金基于片上光子神经网络的实时单像素成像与感知技术(62505006)田烨2026.01-2028.12射频 - 成像 - 感知片上集成国家自然科学基金基于微腔光梳的硅基集成微波光子滤波系统研究(12204021)舒浩文2023.01-2025.12射频滤波与光子梳技术融合方向四:射频技术渗透通信、雷达、生物医疗技术亮点包括通信 - 雷达一体化(ISAC)和生物医疗射频传感通信 - 雷达一体化(ISAC)研发宽频带射频信道模型,实现 “信号传输 + 目标探测” 双模功能,适配 6G 全频谱接入与雷达超宽带探测,推动国产化通感一体设备落地。通感一体技术为 6G 基站、车载雷达提供双模解决方案,与中科院微电子研究所 “5G 毫米波相控阵技术迁移” 协同;生物医疗射频传感利用碳纳米管射频传感器利用介电常数敏感性,实现生物分子高灵敏检测;射频调控模块提升 OCT 导航多光子成像深度与分辨率。生物医疗射频传感的抗干扰算法可迁移至雷达系统,提升分布式干扰对抗测试验证设备性能。支撑项目(科技部 / 国家自然科学基金)项目类型项目 / 课题名称负责人执行周期核心目标国家自然科学基金基于超材料传感器的通信感知一体化理论与关键技术(624B2008)刘旭2025.01-2026.12通感一体射频前端开发国家自然科学基金面向下一代移动通信感知的上中频信道测量、参数估计和模型构建(62571007)蔡雪松2026.01-2029.12通感一体信道模型构建科技部重点研发计划项目碳纳米管生物传感芯片晶圆级制造工艺研究(2022YFB3204400)夏煜2022.10-2025.09射频生物传感芯片量产国家自然科学基金OCT 导航多光子在体细胞影像技术研究(62575004)王爱民2026.01-2029.12射频调控成像技术优化附录:北京大学电子学院射频相关核心项目清单(完整版)(一)科技部重点研发计划1. 项目(7 项)项目编号项目名称负责人执行周期2024YFA1209700碳基纳米管太赫兹芯片与成像系统研究刘洪刚2025.01-2029.122022YFB4401600碳基太赫兹射频晶体管与微波集成电路研究张志勇2022.11-2026.102022YFB3204400碳纳米管生物传感芯片晶圆级制造工艺研究夏煜2022.10-2025.092022YFB2803700超大带宽电光调制器舒浩文2022.11-2025.102022YFB2902800多模超表面全息通信与感知关键技术研究邸博雅2022.11-2025.102021YFA0718300空间微重力环境下极低温原子的奇异物理特性研究周小计2021.12-2026.112021YFA0717400碳基亚 10 纳米节点超低功耗器件研究邱晨光2021.12-2026.112. 课题(16 项)课题编号课题名称负责人执行周期2024YFA1209701碳基太赫兹器件与收发芯片研究刘洪刚2025.01-2029.122024YFA1209702碳纳米管射频器件的界面物理研究刘旸2025.01-2029.122024YFF0727602高灵敏抗干扰氢气传感器研制花中秋2024.12-2027.112024YFC3406302高通量多组学纳米孔测序关键芯片研究许胜勇2024.12-2027.112023YFC3402604跨尺度声光多模态成像装置王爱民2023.12-2028.112023YFB2905501拓扑优化光发射耦合技术研究杨川川2023.12-2026.112023YFF0615603长极化寿命碱金属原子标准器件研究都长平2023.11-2026.102022YFA1204903高带宽石墨烯 / 硅光通信原型器件尹建波2023.05-2028.042022YFA1404804拓扑辐射调控光子集成器件彭超2022.12-2027.112022YFB4401601高性能碳纳米管晶体管晶圆级制备张志勇2022.11-2026.102022YFB4401603太赫兹碳基器件和电路研制丁力2022.11-2026.102022YFB3204401碳纳米管生物传感芯片晶圆级制造工艺研究夏煜2022.10-2025.092022YFB3204402高性能碳纳米管生物传感器件构建及晶圆制备肖梦梦2022.10-2025.092021YFA1202904超薄半导体柔性电路构筑与应用探索胡又凡2022.04-2027.032021YFA1600302强磁场太赫兹回旋管理论设计与器件研制杜朝海2022.01-2026.122020YFA0714703碳纳米管三维光电集成贺小伟2020.12-2025.11(二)国家自然科学基金(71 项,核心射频相关 30 项精选)项目编号项目名称负责人执行周期62574010基于合金接触的高性能 n 型阵列碳纳米管晶体管及其 CMOS 集成研究曹宇2026.01-2029.1262574004超洁净二维半导体低频噪声与集成技术探索刘旸2026.01-2029.1262405009基于集成光电振荡器的毫米波 / 太赫兹波产生、调控及应用研究韩丰远2025.01-2027.1262505004基于微腔光梳的混沌 信息来源:北京大学电子学院官网,射频学堂整理版权声明:射频学堂原创或者转载的内容,其版权皆归原作者所有,其观点仅代表作者个人,射频学堂仅用于知识分享。如需转载或者引用,请与原作者联系。射频学堂转述网络文章,皆著名来源和作者,不可溯源文章除外,如有异议,请与我们联系。来源:射频学堂

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