西电，真牛！

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今天，西安电子科技大学公众号发布了一篇文章——《为国铸重器！西电，亮相！》，文章详细介绍了西电各个实验室的研究成果在九三阅兵中的贡献，不得不说，西军电果然是西军电，大写的Nibulity！

No.1 雷达信号处理全国重点实验室

雷达信号处理全国重点实验室依托西安电子科技大学建设，有着清晰且扎实的发展历程。其前身是 1974 年成立的数字信号处理小组，1980 年发展为电子工程研究所；1991 年 4 月，实验室正式立项，成为我国首批国家级重点实验室，1995 年 9 月通过验收并正式投入运行；2023 年 1 月，为适配学科发展与科研需求，实验室顺利完成重组，开启了新的发展阶段。目前，实验室学术委员会主任由吴一戎院士担任，实验室主任为刘宏伟教授，形成了强有力的核心管理团队。

作为国家级实验室，该实验室承担着雷达信号处理领域基础性研究的重要任务，同时也是西安电子科技大学 “信号与信息处理” 国家级重点学科的科研与教学核心基地及依托单位，搭建了完善的人才培养体系，设有硕士点、博士点和博士后流动站，为行业持续输送高层次专业人才。依托实验室的学科实力同样亮眼：“信号与信息处理” 学科在教育部组织的国家重点学科评估中，两次位列全国第一；其所属的一级学科 “信息与通信工程”，在全国第五轮学科评估中获评 A+，并连续两轮入选国家 “双一流” 建设重点学科。2014 年，以该实验室为主体组建的 “信息感知技术协同创新中心”，成功通过国家 “2011 计划” 认定，且在行业产业类协同创新中心中排名第一，进一步奠定了西安电子科技大学在相关科研领域的特色优势与全国高校领先地位。

实验室的科研成果紧密服务于国家战略需求，技术成果广泛应用于国防领域。在九三阅兵中，雷达信号处理全国重点实验室研发的雷达探测相关技术，成功应用于多款 “国之重器” 及关键装备，涵盖空警 600、空警 500A 等预警装备，歼 - 10、歼 - 20、无人机等军机装备，东风系列、红旗系列导弹装备，以及预警探测雷达等，为国防装备的性能提升提供了重要技术支撑。

No.2 雷达探测感知全国重点实验室

雷达探测感知全国重点实验室于 2024 年 1 月获批启动建设，依托中国电子科技集团公司第十四研究所（中国电科 14 所）、西安电子科技大学、中国电子科技集团公司第三十八研究所（中国电科 38 所）三家单位共建。实验室以 1992 年 11 月成立的原天线与微波技术国家级重点实验室为基础，整合三家依托单位的内部优势资源组建而成，是国内在探测体系及雷达系统层次，开展高水平应用基础研究、前沿技术研究与关键技术研究的国家级创新平台。实验室采用联合建设模式，下设南京、西安、合肥三个分部，形成跨区域协同创新格局。

实验室西安分部依托西安电子科技大学建设，科研力量雄厚，人才结构优质。目前拥有固定研究人员 74 人，其中教授 29 人、副教授 31 人；70 人具有博士学位，占比达 94.6%。人才队伍中，先后获批国家级人才 9 人次、省部级人才 16 人次，还拥有省部级以上创新团队 2 个，并建有高等学校学科创新引智基地、天线教育部工程研究中心两大科研平台。

该分部聚焦复杂电磁特性表征与调控、开放式射频孔径与处理两大核心研究方向，先后承担了一大批国家重点项目及企事业单位横向合作项目，在先进天线微波测量技术、高性能天线及优化设计、大型电磁计算软件研发、天线隐身理论与技术、电磁辐射与散射理论等多个领域取得一系列突出成果，产生了显著的经济效益，相关成果累计获得省部级以上奖励 20 余项。

在“九三”阅兵中，雷达探测感知全国重点实验室的天线相关技术成果，已广泛应用于多款 “国之重器”，包括歼 - 15、歼 - 20、歼 - 20A、歼 - 20S 等战机，轰 6-K 轰炸机，东风系列、鹰击系列导弹，99 式坦克，高能微波武器，以及防空反导装备等，为国防装备性能提升提供了重要技术支撑。

No.3 宽禁带半导体器件与集成技术全国重点实验室

宽带隙半导体技术国家重点学科实验室，以宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室为基础，于 2007 年获国家批复正式启动建设。经过十几年的持续建设与发展，实验室已成为西安电子科技大学重要的科研与教学支撑平台，为学校 “国家集成电路人才培养基地”“国家示范性微电子学院”，以及 “电子科学与技术” 一级学科、“微电子学与固体电子学”“集成电路设计与集成系统” 两大国家重点学科提供有力支撑。

实验室聚焦宽禁带半导体领域核心技术攻关，确立了三大主要研究方向：一是宽禁带半导体材料生长机理与方法；二是宽禁带半导体器件制备与应用；三是新型半导体器件与集成电路技术系统应用研究。自上世纪 90 年代起，实验室便开启宽禁带半导体领域的科学研究与人才培养工作，经过多年积累，已发展成为国内外该领域开展科学研究、人才培养、学术交流、校企合作及成果转化的重要基地，并于 2020 年成功获批 “国家自然科学基金创新研究群体”，彰显了其在该领域的科研实力与学术影响力。

依托雄厚的科研基础，实验室搭建了完善的硬件设施与技术体系。建有面积达一千五百多平方米的宽禁带半导体超净工艺研发线，最高洁净度达百级标准，设备原值近 2 亿元，可充分满足化合物半导体器件制备流片工艺的技术需求。同时，实验室自主掌握了多项关键核心技术，涵盖材料生长设备研制、材料生长工艺、器件研制工艺、器件可靠性测试及 VLSI 电路系统应用设计等，形成了具有鲜明特色的宽禁带半导体科研体系。

凭借扎实的研究积累，实验室取得了一系列重大科研成果与荣誉。在奖项方面，累计获得国家技术发明奖 3 项、国家科技进步奖 4 项、国家教学成果奖 2 项，以及省部级一等奖 10 余项；郝跃院士更是荣获 2019 年度陕西省最高科学技术奖。在成果转化与应用上，实验室高度重视技术落地，“氮化镓紫外光电技术”“高效模数转换器及前端集成系统”“氮化镓微波功率器件”“低功耗集成电路系统芯片技术” 等多项研究成果，已成功应用于国家及国民经济重点工程，通过产业化技术转移，有效推动了 5G 通信基站、紫外工业光电应用等相关产业的发展。

在“九三”阅兵中，与实验室研究领域紧密相关的 “宽禁带半导体器件与集成技术全国重点实验室”，其研发的宽禁带半导体射频器件技术，已广泛应用于空警 500 预警机、歼 20 战斗机、歼 35 战斗机、高功率微波武器等 “国之重器”，为国防装备性能提升提供了关键技术支撑。

No.4 电子信息对抗与仿真技术教育部重点实验室

电子信息对抗攻防与仿真技术教育部重点实验室依托西安电子科技大学建设，核心聚焦电子信息对抗领域的基础理论研究与应用技术攻关。实验室充分发挥跨学科协作优势，通过建立高效的跨学科协作机制，在复杂场景目标识别等关键研究方向上取得了突破性成果，为电子信息对抗技术的发展提供了重要支撑。

实验室学术委员会主任由吕跃广院士担任，其提出的 “强化基础研究、优化成果转化” 理念，为实验室发展指明了方向，在此基础上，进一步奠定了 “需求导向、技术攻关、实用转化” 三位一体的核心发展路径，推动实验室实现基础研究与实际应用的深度融合。

在“九三”阅兵中，实验室的相关研究成果已成功应用于东风系列、运 20 系列等重要装备，为提升装备的电子信息对抗能力提供了关键技术保障。

No.5 空天地一体化综合业务网全国重点实验室

空天地一体化综合业务网全国重点实验室（原综合业务网理论及关键技术国家重点实验室）于 1989 年批准立项，1991 年开始建设，1995 年通过国家验收正式开放运行。实验室至今通过四次国家评估，2017 年评估结果为优秀。2022 年，实验室通过重组进入信息领域全国重点实验室首批建设名单。

近年来，实验室取得了一系列重要成果：提出安全网络编码理论体系，确定了安全通信的网络容量界，引领了网络编码领域的发展，国内首次获得 IEEE 埃里克・萨姆纳奖；提出异构无线网络大容量高安全组网技术，发明了我国第一个信息安全基础共性领域的国际标准，打破了美国在网络信息安全产业领域的垄断地位；突破空天在轨智能信息处理与传输技术，研制了我国第一颗全自主宇航级高速图像压缩芯片，打破了国外关键器件禁运限制，主导了高分、探月、探火等系列国家重大工程中的图像压缩与重建应用系统，解决了新一代无线通信系统、载人航天、深空探测工程等国家重大工程中信息传输和服务的迫切需求。截至目前，实验室共获国家科技奖励 13 项。

在“九三”阅兵中，实验室的电磁感知相关技术应用于阅兵核心区电磁安全侦测与防御系统，维护了阅兵行动的安全顺利进行。

西安电子科技大学2017年度教师岗位招聘启事

从建校之初的中央军委无线电学校，到发展中的中国人民解放军军事电信工程学院，再到如今的西安电子科技大学（简称 “西电”），九十余载风雨历程中，西电的综合实力始终稳居国内同类院校前列，从未褪色。作为电子信息领域的顶尖学府，西电始终坚守育人初心，源源不断培养出一代代电子领域的优秀人才。这些 “西电人” 扎根科研一线、投身国防事业，在祖国的国防建设与科技发展进程中，持续贡献着关键力量，书写了无愧于时代的篇章。

信息整理自西安电子科技大学官网，西安电子科技大学公众号

来源：射频学堂

射频电路的趋肤效应

在射频电路中，当信号通过导体传输时，电流会集中在导体表面附近，这种现象就是趋肤效应，也叫集肤效应，英文名称为skin effect。随着信号频率升高，这种集中趋势愈发明显，导体内部的电流密度会显著降低，如下图所示。趋肤效应可以从法拉第电磁感应定律来理解：当交变电流通过导体时，会在导体内部产生交变磁场，根据法拉第电磁感应定律，变化的磁场会激发涡流（涡旋电场）。涡流的方向在导体中心区域与原电流相反，在表面区域与原电流相同，相当于 “排挤” 了中心区域的电流，最终导致电流向表面聚集。频率越高，磁场变化速率越快，涡流效应越强，趋肤效应也就越显著。趋肤深度（Skin Depth）是量化趋肤效应的关键参数，指电流密度衰减到表面电流密度 1/e（约 36.8%）时的深度，通常用符号 δ 表示。它直观反映了高频电流在导体中能够有效穿透的厚度，是射频设计中选择导体尺寸和镀层的重要依据。趋肤深度的计算公式如下：公式表明，趋肤深度与频率的平方根成反比（频率越高，δ 越小），与电阻率的平方根成正比（材料导电性越差，δ 越大），同时受磁导率影响（磁性材料的 δ 更小）。下表是20℃时铜的的趋肤深度表，可以作为设计参考常见金属材料的趋肤深度对比：在射频领域常用的金属材料中，趋肤深度差异主要由电阻率和磁导率决定。以下为 20℃时，1GHz 频率下的典型趋肤深度数据（非磁性材料 μᵣ≈1）：银：电阻率 1.59×10⁻⁸Ω・m，趋肤深度约 0.64μm。作为导电性最佳的金属，银的趋肤深度最小，适合对损耗要求极高的场景，但成本高昂。铜：电阻率 1.68×10⁻⁸Ω・m，趋肤深度约 0.66μm。导电性接近银，成本更低，是射频导线、PCB 镀层的主流选择。金：电阻率 2.44×10⁻⁸Ω・m，趋肤深度约 0.80μm。导电性略逊于铜，但抗氧化和耐腐蚀性优异，常用于连接器镀层。铝：电阻率 2.65×10⁻⁸Ω・m，趋肤深度约 0.84μm。重量轻但易氧化，多用于高频天线等对重量敏感的结构。铁：作为磁性材料（μᵣ≈1000），即使电阻率较高（9.71×10⁻⁸Ω・m），1GHz 下趋肤深度仅约 0.02μm，因损耗过大，极少用于高频导体。规律总结：非磁性金属中，导电性越好，趋肤深度越小；磁性金属因磁导率极高，趋肤深度远小于非磁性金属，不适合作为高频载流导体。射频设计中的注意事项导体尺寸优化：高频下导体的有效导电面积由趋肤深度决定，过粗的导体只会增加成本和重量，不会降低电阻。例如，1GHz 时铜的趋肤深度约 0.66μm，导线直径超过 2μm 后，中心部分几乎无电流通过，设计中需避免不必要的加粗。镀层选择：利用高导电性金属（如银、铜）作为镀层，厚度需大于 3 倍趋肤深度（确保电流密度衰减至表面的 5% 以下），同时兼顾抗氧化性（如金镀层）。例如，10GHz 时铜的趋肤深度约 0.2μm，镀层厚度需≥0.6μm。损耗控制：趋肤效应会导致导体电阻随频率升高而增大（电阻与√f 成正比），进而增加损耗。设计中可采用多股绞合线（Litz 线）分散电流，或通过表面抛光降低粗糙度（粗糙表面会增加实际导电路径长度，等效增大电阻）。接地与屏蔽设计：接地平面需保证足够的厚度（≥3δ），避免因趋肤效应导致接地阻抗升高；屏蔽层材料选择需结合趋肤深度和屏蔽效能，非磁性金属（如铜、铝）在高频下的屏蔽效果更稳定。频率适配：同一材料的趋肤深度随频率变化显著，例如铜在 1MHz 时趋肤深度约 66μm，10GHz 时降至 0.2μm，设计需针对工作频率区间优化导体结构。通过合理利用趋肤效应特性，选择适配的材料和结构，可有效降低射频系统的损耗，提升信号传输效率。注释：射频学堂原创或者转载的内容，其版权皆归原作者所有，其观点仅代表作者个人，射频学堂仅用于知识分享。如需转载或者引用，请与原作者联系。来源：射频学堂