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脑机接口高精度手术机器人:关键技术与芯片全景解析

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今天看到央视新闻公 众号发布文章《七部门发文!研发用于植入脑机接口的高精度手术机器人》,文章指出:到2027年,脑机接口关键技术取得突破,初步建立先进的技术体系、产业体系和标准体系。电极、芯片和整机产品性能达到国际先进水平,脑机接口产品在工业制造、医疗健康、生活消费等加快应用。产业规模不断壮大,打造2至3个产业发展集聚区,开拓一批新场景、新模式、新业态。到2030年,脑机接口产业创新能力显著提升,形成安全可靠的产业体系,培育2至3家有全球影响力的领军企业和一批专精特新中小企业,构建具有国际竞争力的产业生态,综合实力迈入世界前列。


接下来,让我们深入探究这台被誉为“神经外科绣花机器人”的奥秘,拆解其五大关键技术模块以及对应的“芯”地图。

 

一、亚微米级运动控制

 

在进行电极阵列植入时,其精度要求近乎苛刻。电极阵列植入深度误差必须≤5μm,角度误差≤0.1° ,这是因为哪怕极其微小的偏差,都有可能导致错过单个神经元,进而影响整个脑机接口系统的功能。而在手术过程中,病人的呼吸、心跳以及脑脊液搏动会带来10 - 50μm的周期性位移,这些动态扰动无疑给精准植入增加了极大的难度。

 

为应对这些挑战,科研人员采用了宏微两级驱动技术。宏动平台运用音圈电机,能够完成厘米级行程,提供大范围的运动基础;微动平台则借助PZT压电叠堆与柔性铰链,实现纳米步距的精细运动控制。在传感器融合方面,通过激光干涉仪(分辨率<1nm)、MEMS惯性测量单元(IMU)以及光纤布拉格光栅(FBG)三维应力探头的协同工作,实现实时闭环补偿,确保机械臂的运动精准度。在专用芯片上,TI的压电驱动SOC DRV2700(±200V输出,0.1μm步距)与ADI的24 - bit电容式位置解码器AD7746形成“一驱一测”组合,延迟<50μs ,极大地提升了运动控制的响应速度和精度。

 

二、实时术中成像

 

实时术中成像需要具备高分辨率,以看清直径<100μm的血管,从而避免植入过程中引发出血等危险情况。同时,成像系统的低延迟也至关重要,三维重建 - 配准 - 显示链路必须<300ms ,只有这样,医生才能实现“所见即所得”,根据实时图像做出准确的手术决策。

 

为实现上述目标,采用多模成像融合技术。光学相干断层扫描(OCT)能够提供皮层血管图,让医生清晰了解血管分布;双光子显微镜(2PM)可精准定位神经元,为手术提供关键的神经位置信息;术中MRI/超声则用于呈现深部结构,全面展示大脑内部状况。在AI加速芯片方面,NVIDIA Clara AGX Orin(275 TOPS INT8)负责实时配准,强大的算力确保图像配准的高效准确;Xilinx Zynq Ultrascale+ MPSoC做前端图像预处理,功耗仅8W ,在保证处理性能的同时,有效控制能耗。在传输环节,TI的60GHz毫米波雷达芯片AWR1843无线回传图像数据,替代传统光纤,减少了拖拽扭矩,使成像设备的使用更加灵活便捷。

 

三、三维重建与手术规划

 

大脑组织是极其柔软的软组织,开颅后30min内脑组织位移可达3mm ,这给手术带来了极大的不确定性。而且,不同个体同一脑区皮层厚度差异可达50%以上,个体差异显著,使得手术规划不能一概而论。

 

针对这些问题,科研人员研发了术中 - 术前图像弹性配准算法,基于物理的有限元模型与深度学习相结合,将误差控制在<200μm ,有效解决了软组织漂移问题。在数据处理上,采用云端 - 边缘协同模式,术前规划在云端GPU集群完成,利用云端强大的计算资源进行复杂运算;术中把关键区域裁剪到边缘FPGA(Intel Arria 10),延迟<100ms ,确保手术过程中实时数据处理的及时性。在数据格式方面,采用开放标准OpenIGTLink+ROS2,方便第三方算法接入,促进技术的开放与创新。

 

四、多模态生理信号融合

 

脑电(μV级)、肌电(mV级)、心电(mV级)等信号具有明显的异构性,其动态范围相差可达1000倍,这给信号的统一处理带来了困难。同时,多通道采样时钟漂移必须<1ms ,否则融合后的信号会出现失真,影响对患者生理状态的准确判断。

 

同步采集SoC采用ADI AD4130 - 8(32 kSPS、24 - bit、8通道),其内置可编程增益放大器与噪声整形ADC,单通道功耗仅50μW ,能够对不同幅值的信号进行有效采集和处理。在边缘AI方面,ST STM32H7AI插件包支持TinyML模型在线推理,可实时检测癫痫样放电等异常生理信号,并触发机器人急停,保障手术安全。在无线协议上,采用蓝牙LE Audio + 私有2.4GHz并行链路,主备切换<10ms ,确保信号传输的稳定性和抗干扰能力。

 

五、系统级安全与可靠性

 

在手术过程中,任何一颗芯片失控都可能对患者的功能皮层造成严重伤害,因此单点失效问题必须得到有效解决。此外,在高场MRI(3T)环境下,机器人伺服电机易失控,这对手术的安全性构成了极大威胁。

 

为确保系统安全可靠,采用双冗余架构,主 - 备两套控制回路,且芯片来自不同晶圆批次,最大限度降低故障风险;故障检测芯片TI TPS65381对电源轨进行实时监控,一旦发生偏差<10μs即关断,避免故障扩大。选用瑞士Maxon ECX Speed 6 M无刷电机,其外壳采用100%无磁材料,通过3T MRI认证,有效解决了电磁兼容问题。在软件方面,遵循IEC 62304医疗软件安全级别C标准,运用故障树分析(FTA)+ 失效模式与影响分析(FMEA),将安全分析覆盖到寄存器级,全方位保障软件运行的安全性。

 

结语:

 

如果说脑机芯片是开启大脑奥秘的“读心术”,那么高精度手术机器人就是将这一技术精准落地的“穿针术”。只有将亚微米级运动控制、实时术中成像、三维重建、多模态融合与系统安全这五大技术栈全部打通,才能如同“把星星放进银河”一般,将电极阵列精准地放置到指定神经元旁。

 

目前,全球至少有7个团队(Neuralink、Synchron、国内清华 - 北航 - 天坛医院联合体等)已进入灵长类实验阶段。随着上述芯片和算法的持续迭代优化,预计在2027 - 2028年将出现首批获批临床的“全自主植入”机器人。届时,帕金森、脊髓损伤、难治抑郁等患者将迎来真正的“重启键”,脑机接口技术也将为人类健康事业开启全新的篇章 。




来源:射频学堂
电源电磁兼容光学芯片电机材料机器人MEMSFMEA控制
著作权归作者所有,欢迎分享,未经许可,不得转载
首次发布时间:2025-09-07
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射频电路的趋肤效应

在射频电路中,当信号通过导体传输时,电流会集中在导体表面附近,这种现象就是趋肤效应,也叫集肤效应,英文名称为skin effect。随着信号频率升高,这种集中趋势愈发明显,导体内部的电流密度会显著降低,如下图所示。趋肤效应可以从法拉第电磁感应定律来理解:当交变电流通过导体时,会在导体内部产生交变磁场,根据法拉第电磁感应定律,变化的磁场会激发涡流(涡旋电场)。涡流的方向在导体中心区域与原电流相反,在表面区域与原电流相同,相当于 “排挤” 了中心区域的电流,最终导致电流向表面聚集。频率越高,磁场变化速率越快,涡流效应越强,趋肤效应也就越显著。趋肤深度(Skin Depth)是量化趋肤效应的关键参数,指电流密度衰减到表面电流密度 1/e(约 36.8%)时的深度,通常用符号 δ 表示。它直观反映了高频电流在导体中能够有效穿透的厚度,是射频设计中选择导体尺寸和镀层的重要依据。趋肤深度的计算公式如下:公式表明,趋肤深度与频率的平方根成反比(频率越高,δ 越小),与电阻率的平方根成正比(材料导电性越差,δ 越大),同时受磁导率影响(磁性材料的 δ 更小)。下表是20℃时铜的的趋肤深度表,可以作为设计参考常见金属材料的趋肤深度对比:在射频领域常用的金属材料中,趋肤深度差异主要由电阻率和磁导率决定。以下为 20℃时,1GHz 频率下的典型趋肤深度数据(非磁性材料 μᵣ≈1):银:电阻率 1.59×10⁻⁸Ω・m,趋肤深度约 0.64μm。作为导电性最佳的金属,银的趋肤深度最小,适合对损耗要求极高的场景,但成本高昂。铜:电阻率 1.68×10⁻⁸Ω・m,趋肤深度约 0.66μm。导电性接近银,成本更低,是射频导线、PCB 镀层的主流选择。金:电阻率 2.44×10⁻⁸Ω・m,趋肤深度约 0.80μm。导电性略逊于铜,但抗氧化和耐腐蚀性优异,常用于连接器镀层。铝:电阻率 2.65×10⁻⁸Ω・m,趋肤深度约 0.84μm。重量轻但易氧化,多用于高频天线等对重量敏感的结构。铁:作为磁性材料(μᵣ≈1000),即使电阻率较高(9.71×10⁻⁸Ω・m),1GHz 下趋肤深度仅约 0.02μm,因损耗过大,极少用于高频导体。规律总结:非磁性金属中,导电性越好,趋肤深度越小;磁性金属因磁导率极高,趋肤深度远小于非磁性金属,不适合作为高频载流导体。射频设计中的注意事项导体尺寸优化:高频下导体的有效导电面积由趋肤深度决定,过粗的导体只会增加成本和重量,不会降低电阻。例如,1GHz 时铜的趋肤深度约 0.66μm,导线直径超过 2μm 后,中心部分几乎无电流通过,设计中需避免不必要的加粗。镀层选择:利用高导电性金属(如银、铜)作为镀层,厚度需大于 3 倍趋肤深度(确保电流密度衰减至表面的 5% 以下),同时兼顾抗氧化性(如金镀层)。例如,10GHz 时铜的趋肤深度约 0.2μm,镀层厚度需≥0.6μm。损耗控制:趋肤效应会导致导体电阻随频率升高而增大(电阻与√f 成正比),进而增加损耗。设计中可采用多股绞合线(Litz 线)分散电流,或通过表面抛光降低粗糙度(粗糙表面会增加实际导电路径长度,等效增大电阻)。接地与屏蔽设计:接地平面需保证足够的厚度(≥3δ),避免因趋肤效应导致接地阻抗升高;屏蔽层材料选择需结合趋肤深度和屏蔽效能,非磁性金属(如铜、铝)在高频下的屏蔽效果更稳定。频率适配:同一材料的趋肤深度随频率变化显著,例如铜在 1MHz 时趋肤深度约 66μm,10GHz 时降至 0.2μm,设计需针对工作频率区间优化导体结构。通过合理利用趋肤效应特性,选择适配的材料和结构,可有效降低射频系统的损耗,提升信号传输效率。注释:射频学堂原创或者转载的内容,其版权皆归原作者所有,其观点仅代表作者个人,射频学堂仅用于知识分享。如需转载或者引用,请与原作者联系。来源:射频学堂

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